所揭示的是一种用于凝固位于布置在设备（１００）中的坩埚（１２０）中的非金属熔融物（１３０）的方法，所述设备（１００）包括多个电感器（１００）以产生磁场。通过馈送具有第一频率（ｆ１）的第一组相位移交变电流（Ｉ１ａ、Ｉ２ｂ、Ｉ３ｃ、Ｉ４ｄ）而在所述熔融物（１３０）中产生第一行波磁场（Ｗ１）。通过馈送具有第二频率（ｆ２）的至少一个第二组相位移交变电流（Ｉ２ａ、Ｉ２ｂ、Ｉ３ｃ、Ｉ４ｄ）而在所述熔融物（１３０）中产生与所述第一行波磁场（Ｗ１）的方向相逆地行进的第二行波磁场（Ｗ２）。所述电感器（１００）以垂直布置安置在所述坩埚（１２０）上，使得所产生的交变场（Ｗ１、Ｗ２）在垂直方向（Ｙ）上行进穿过所述熔融物（１３０）且具有沿着所述坩埚或容器的壁的最小流动速率。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据独立权利要求项的导言的方法。特定来说，本专利技术涉及一种用于硅熔融物的定向固化的方法。
技术介绍
在太阳能工业中，常规做法是通过定向固化制备硅晶体以用于制备太阳能电池。 为此，颗粒形式的起始材料在石英玻璃坩埚中熔融以便接着在施加垂直温度梯度的情况下以定向方式实现固化。以此方式获得的块(称为锭)被锯成薄硅圆片，所述薄硅圆片可在进一步的方法步骤中经处理为太阳能电池。熔融物坩埚常规上以Si3N4层覆盖(例如参见 T ·博纳西西(Buonassis)等人在晶体生长期刊观7 (2006)，第402-407页中公开的论文 “光伏级铸锭多晶硅中的过渡金属评估杂质在氮化硅坩埚衬里材料中的作用(Transition metals in photovoltaic-grade ingot-cast multicrystalline silicon -Assessing the role of impurities in silicon nitride crucible lining material) ”)，所述Si3N4层保护坩埚壁以防止受侵入性硅熔融物影响且还促进在冷却之后从坩埚提取锭。熔融物中占主导的对流流动大体上由温度场确定。然而，存在尤其通过施加静止或非静止磁场而影响所述流的可能性。已知产生行波磁场，其以相对弱的场强提供为熔融物中的流带来强大影响的可能性。P.鲁道夫(Rudolph)在晶体生长期刊310(2008)，第1298-1306页中公开的论文 “施加到从熔融物的块状晶体生长的行波磁场从基础研究到工业规模的一步(Travelling magnetic fields applied to bulk crystal growth from the melt :The step from basic research to industrial scale) ”中存在对在晶体生长中施加静止或非静止磁场的概述。从第DE 35 27 387 Al号专利申请案中已知一种用于对金属熔融物进行电磁搅拌的方法，其中向位于熔融物坩埚上的电感器馈送不同频率的三相电流以便产生表示为方位角方向上的叠加旋转场的磁场。该处的布置提供成定子绕组的形式，如从三相马达已知，以便表达在水平面上旋转的旋转场。这些措施事实上适于磁性熔融物的电磁搅拌，但其实际上不适于尤其在垂直方向上实行的非金属熔融物的固化。从第DE 10 2006 020 234 Al号专利申请案中已知一种呈炉形式的装置和一种用于非金属熔融物的固化的方法。其中，产生具有以相位移三相电流进行馈送的三个电路回路的行波场。电路回路或电感器经布置以使得其产生大体上垂直移动的场。然而，以此方式产生的行波场尤其在熔融物坩埚的边缘区域上形成强洛伦兹力密度。这导致坩埚的边缘上熔融物的高速度，这又具有对熔融物坩埚的内涂层的不利(尤其是腐蚀)效果。第DE 103 49 339 Al号专利申请案描述一种具有加热器的晶体生长系统，所述加热器同时表示用于产生行波磁场的电感器。其中，电感器连接到电源以获得三相旋转电流， 且因此产生仅具有一个频率的行波磁场。第DE 101 02 126 Al号专利申请案描述一种用于通过使用单频率行波磁场从熔融物进行提取而制备晶体的方法。3第DE 10 2007 020 239 Al号专利申请案描述一种用于从含有多卷布置作为加热装置的导电熔融物制备晶体的装置。然而，所述多卷布置仅以单频率交变电流操作。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是以有利方式克服上文提出的缺点。特定来说，开头提出的类型的方法应以一方式改进，使得非金属熔融物的流分布和固化可以受控方式实行。所述目的通过具有根据技术方案1所述的特征的方法实现。因此，提出一种用于非金属熔融物的固化的方法，其中通过大量电感器产生磁场， 其中向所述电感器供应具有第一频率的第一组相位移交变电流，使得通过叠加磁场而在熔融物中产生第一行波场；且向所述电感器供应具有第二频率的至少一个第二组相位移交变电流，其中通过叠加以第二频率产生的磁场而在熔融物中产生第二行波场，与第一行波场相逆地引导所述第二行波场，且其中所产生的所述至少两个行波场在相对方向上，优选在垂直方向上通过熔融物。为此，提供大量电感器用于产生叠加的磁场，其中向电感器供应具有不同频率的至少两组相位移交变电流，以便在熔融物中产生第一行波场和在与第一行波场相对的方向上引导的至少一个第二行波场，其中所述电感器以垂直延伸的布置在坩埚上执行，使得所产生的行波场在垂直方向上在相对的方向上通过熔融物，且径向场分量彼此相互抵消或补偿。归因于特征的此组合，在垂直方向上形成两个相对的行波场，这导致以下事实在边缘区域中，导致比熔融物的体积区域中低的速度的洛伦兹力密度占主导。通过调整参数， 尤其通过选择两个频率的比率，可界定最大洛伦兹力密度占主导的到熔融物坩埚的内壁的足够的距离。根据此原理，可产生在垂直方向上叠加的两个以上行波场。优选的是，电感器形成为例如线圈，因此作为在水平方向上循环的绕组，其中所述绕组可彼此分离地在垂直方向上布置或甚至在垂直方向上彼此交错。在此情形中，坩埚以及绕组两者以及线圈的内部区域或直径可具有矩形形状的横截面。优选的是，还可向电感器供应用于加热熔融物的加热电流，加热电流由交变电流分量和直流电流分量组成。在此情形中，有效产生行波场需要加热电流具有至少一个可预先设置的百分比(尤其至少10% )的交变电流分量。如果第一频率和第二频率彼此相差至多可预先设置的倍数(尤其为2-40倍)，则也是有利的。频率的比率或因数可依据过程(例如依据结晶的程度)来设置。优选的是，第一和/或第二组相位移交变电流也可为彼此不等距的多个相位移交变电流。本专利技术尤其适于在硅熔融物的熔融炉或锅炉中使用。在此情形中，熔融物坩埚可在内壁上用保护层覆盖，尤其为Si3N4层，且形成为石英玻璃坩埚。在根据本专利技术的方法中，可设置优选参数以使得第一频率和第二频率以及第一穿透深度和第二穿透深度针对每一情况下产生的磁场满足以下等式权利要求1.一种用于位于坩埚(120)中的非金属熔融物(130)的固化的方法，其中通过大量电感器(100)产生磁场，其中向所述电感器(100)馈送具有第一频率(fl)的第一组相位移交变电流(Ila、lib、lie、Ild)，使得通过叠加磁场，在所述熔融物(130)中产生第一行波场 (Wl)；且向所述电感器(100)供应具有第二频率( )的至少一个第二组相位移交变电流 (I2a、I2b、I2c、I2d)，所述方法的特征在于通过叠加以所述第二频率( )产生的所述磁场，在所述熔融物(130)中产生与所述第一行波场(Wl)相逆地引导的第二行波场(W》，其中所述所产生的两个行波场(W1、W2)在大体上垂直方向(Y)上通过所述熔融物(130)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于以垂直延伸的布置将所述电感器(100)布置于所述坩埚(120)上，使得所述所产生的两个行波场(W1、W》大体上在垂直方向(Y)上在所述熔融物(130)中移动。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于将一组电感器(100)布置于所述坩埚(120)上，向所述组电感器(100)馈送具有所述第一和所述第二频率(fl、f2)的所述交变本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种用于位于坩埚（１２０）中的非金属熔融物（１３０）的固化的方法，其中通过大量电感器（１００）产生磁场，其中向所述电感器（１００）馈送具有第一频率（ｆ１）的第一组相位移交变电流（Ｉ１ａ、Ｉ１ｂ、Ｉ１ｃ、Ｉ１ｄ），使得通过叠加磁场，在所述熔融物（１３０）中产生第一行波场（Ｗ１）；且向所述电感器（１００）供应具有第二频率（ｆ２）的至少一个第二组相位移交变电流（Ｉ２ａ、Ｉ２ｂ、Ｉ２ｃ、Ｉ２ｄ），所述方法的特征在于通过叠加以所述第二频率（ｆ２）产生的所述磁场，在所述熔融物（１３０）中产生与所述第一行波场（Ｗ１）相逆地引导的第二行波场（Ｗ２），其中所述所产生的两个行波场（Ｗ１、Ｗ２）在大体上垂直方向（Ｙ）上通过所述熔融物（１３０）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·比勒斯费尔德，
申请(专利权)人：肖特太阳能公司，
类型：发明
国别省市：DE
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