提出了一种照明装置，其具有：带有凹进部（５）的基本体（１）；反射器（５１），其至少通过凹进部（５）的部分形成；设置在凹进部（５）中的至少一个光电子半导体部件（２０），其中半导体部件（２０）具有光学元件（３），该光学元件构建为将半导体部件（２０）在工作中发射的电磁辐射的至少一部分引导到反射器（５１）上，其中照明装置的辐射出射面（６１）为半导体部件的辐射出射面（４４）之和的至少两倍大。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有均匀的发光密度和减小的炫目效应的LED照明装置提出了一种照明装置。本专利申请要求德国专利申请10 2008 061 032. 1的优先权，其公开内容通过引用结合于此。一个要解决的任务在于，提出一种照明装置，其能够实现分布在整个照明装置上的均勻的辐射发射，并且于是减小该照明装置的外部观察者对亮度差别的觉察。另一要解决的任务在于，提出一种照明装置，其减小或者避免对于照明装置的外部观察者而言的炫巨效应(Blendwirkung)0根据至少一个实施形式，照明装置包括具有凹进部的基本体。基本体可以以热固性材料或热塑性材料、金属或者陶瓷材料形成或者包含这种材料。优选地，基本体是实心体。此外，基本体包括凹进部。凹进部是基本体中的凹陷，凹陷具有开口并且可以从外部自由接近。此外，凹进部例如具有底面和至少一个侧面。在底面和侧面上凹进部邻接基本体。 底面可以位于凹进部的与开口对置的侧上。开口和底面通过侧面彼此连接。根据至少一个实施形式，照明装置包括至少通过凹进部的部分形成的反射器。凹进部可以形成反射器。这可以通过将基本体在凹进部中反射性地来构建的方式来实现。为此，基本体本身可以至少在凹进部的位置上以反射性的材料来形成。同样可能的是，凹进部以反射性材料来涂覆。例如，涂层可以涉及金属例如铝。根据至少一个实施形式，照明装置具有设置在凹进部中的至少一个光电子半导体部件。半导体部件例如安置在凹进部的底面上。例如，多个半导体部件可以安置在凹进部中。半导体部件是带有用于产生电磁辐射/光的一个或多个冷光二极管芯片的冷光二极管。冷光二极管芯片可以是发光二极管芯片或者激光二极管芯片，其发射在紫外光至红外光的范围中的辐射。优选地，冷光二极管芯片发射在电磁辐射光谱的可见范围中的光。 冷光二极管芯片可以是半导体芯片。半导体芯片具有带有适于产生辐射的有源区的外延生长的半导体层序列。半导体器件的光轴垂直于半导体芯片的外延生长的半导体层序列。此外，半导体部件具有光学元件。光学元件设置在半导体芯片之后并且影响半导体芯片在工作中发射的电磁辐射。半导体部件在工作中发射的电磁辐射的至少一部分被光学元件引导到反射器上。 半导体部件发射的电磁辐射例如在光学元件的辐射耦合输出面上折射和/或反射并且从半导体部件耦合输出，使得电磁辐射的至少一部分入射到反射器上并且被反射器反射。辐射的另一部分通过光学元件从半导体部件耦合输出，使得其可以直接地、没有之前偏转到反射器上地从照明装置耦合输出。例如，光学元件的辐射耦合输出面是光学元件的背离半导体芯片的表面。根据至少一个实施形式，照明装置具有辐射出射面，其为半导体部件的辐射出射面之和的至少两倍大。照明装置的辐射出射面的面积是如下面的面积，该面通过基本体中的凹进部的开口到垂直于半导体部件的光轴的平面上的投影来限定。在此，“投影”表示凹进部的开口到相对于半导体部件的光轴垂直地走向的平面上的数学映射。半导体部件的辐射出射面的面积相应地确定为光学元件的辐射耦合输出面到已经限定的平面上的投影的面积。换言之， 两个辐射出射面的面积在投影至一平面中来确定。如果现在例如发射辐射的半导体部件位于凹进部中，则照明装置的辐射出射面为半导体部件的辐射出射面的至少两倍大。如果在凹进部中设置有多个半导体部件，则照明装置的辐射出射面为半导体部件的所有单个辐射出射面之和的至少两倍大。根据照明装置的至少一个实施形式，照明装置具有带有凹进部的基本体，和至少通过凹进部的部分形成的反射器。此外，照明装置具有设置在凹进部中的至少一个光电子半导体部件。半导体部件还具有光学元件，该光学元件构建为将半导体部件在工作中发射的电磁辐射的至少一部分引导到反射器上。照明装置的辐射出射面为半导体部件的辐射出射面之和的至少两倍大。在此，这里描述的照明装置尤其基于以下认识对于半导体部件的外部观察者而言通过发射辐射的半导体部件的高的发光密度可以引起增强的炫目效应。在此，发光密度是亮度的量度并且以单位面积的光强来限定。此外，对于外部观察者而言，仅仅半导体部件的辐射出射面是相对小的。如果半导体部件的高的发光密度与半导体部件的小的辐射出射面的组合得出对于外部观察者而言的干扰性和刺激性的发光印象，则其引起对于外部观察者而言的炫目效应。现在为了避免通过半导体部件的高的发光密度对于外部观察者造成的炫目效应， 在此描述的照明装置利用如下思想将反射器与发射辐射的半导体部件组合。为此，将光电子半导体部件安置在至少局部地形成反射器的凹进部中。高的发光密度和小的辐射出射面的问题以及伴随此而来的对于外部观察者而言的炫目效应现在通过如下方式来解决所发射的电磁辐射通过具有半导体部件的光学元件至少部分地偏转到反射器上。反射器将射到其上的电磁辐射反射。于是，从照明装置耦合输出的所有电磁辐射由光学元件所转向到反射器上的电磁辐射以及直接经由光学元件(没有之前入射到反射器上)从该部件耦合输出的辐射部分组成。这引起对于外部观察者可看到的辐射出射面的扩宽，该辐射出射面可以在照明装置的俯视图中通过反射器的整个内表面形成。有利地，半导体部件的光强分布到照明装置的辐射出射面上。这导致避免对于照明装置的辐射出射面的外部观察者而言的炫目效应。也就是说，在该部件的俯视图中至少从反射器所处的区域中发射电磁辐射，在必要时也从半导体部件所处的区域中发射电磁辐射。根据照明装置的至少一个实施形式，照明装置的基本体具有至少两个凹进部。也就是说，基本体可以具有多个凹进部，其中在每个凹进部中安置有半导体部件。同样可能的是，在一个凹进部中设置有多个半导体部件。有利地，通过将多个光电子半导体部件设置在凹进部中保证照明装置的尽可能高的光强。根据照明装置的至少一个实施形式，照明装置的辐射出射面的部分面的光密度与照明装置的全部辐射出射面的发光密度的平均值偏差小于20%、优选地小于10%、完全特别优选地小于5%。照明装置的辐射出射面可以分解为任意的部分面。所有部分面之和又得到照明装置的全部辐射出射面。如果观察照明装置的辐射出射面的任意部分面，则该部分面的发光密度与照明装置的发光密度的平均值偏差小于20%。有利地，照明装置的辐射出射面在其亮度方面显得均勻。通过光学元件将辐射的一部分引导到反射器上同时避免了对于外部观察者的炫目效应。根据照明装置的至少一个实施形式，在基本体的外表面上的凹进部具有为至少 5cm、优选地至少7cm、完全特别优选地至少IOcm的最大直径。半导体部件的整个光强分布到照明装置的辐射出射面上。例如，照明部件的辐射出射面为圆形、椭圆形或者矩形。这例如可以通过将凹进部的开口本身构建为圆形来实现。有利地，通过所选择的直径将辐射出射面选择得尽可能大，使得整个光强分布到照明装置的辐射出射面上并且于是照明部件的辐射出射面扩大。这样提供的辐射出射面引起完全特别适于照明例如大面积的对象的照明装置。此外，可以有利地通过选择辐射出射面的直径和由此选择辐射出射面的尺寸来调节照明装置的辐射出射面的发光密度并且此外使照明部件的辐射出射面的面积单独地与用户的需求匹配。根据照明装置的至少一个实施形式，从照明装置的辐射出射面至凹进部的最深点的距离比光电子部件的最大高度大至少2mm。凹进部的最深点是如下点，该点与半导体部件的光轴平行地距凹进部的开口最远。光电子部件的最大高度本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种照明装置，其具有：－基本体（１），该基本体具有凹进部（５），－反射器（５１），该反射器至少通过凹进部（５）的部分形成，－设置在凹进部（５）中的至少一个光电子半导体部件（２０），其中半导体部件（２０）具有光学元件（３），该光学元件构建为将半导体部件（２０）在工作中发射的电磁辐射的至少一部分引导到反射器（５１）上，－其中照明装置的辐射出射面（６１）为半导体部件的辐射出射面（４４）之和的至少两倍大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿莱斯·马尔基坦，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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