本发明专利技术揭示一种集成电路，其具有：未经修整带隙产生电路；及耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路。所述带隙产生电路具有：电流源，其由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合；双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与所述第一双极二极管装置并联耦合，其中所述集成电路的经修整带隙参考电压输出为双极二极管装置的数目的函数。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案的
涉及电路，且更特定来说涉及使用二极管元件修整带隙偏移。
技术介绍
在模拟电路设计中，可能难以获得精确的电压或测量，因为模拟组件具有许多随工艺、温度及/或所供应电力而变化的参数。因此，可从带隙参考电压电路产生集成电路的一个或一个以上参考电压。然而，如果所述带隙参考电压由于所供应电力或温度的变化而不准确，那么从所述带隙参考电压导出的所有参考电压也将是不准确的。此可诱发所述集成电路的操作中的实质误差。准确的电阻器值在模拟电路中对于实现精确的电流值也是重要的。举例来说，如果A/D转换器中的电阻器值不准确，那么与所述A/D转换器的位中的每一者相关联的电压范围可出错。用于实现更精确的电阻器值的当前技术包括使用激光器来在制作之后修整电阻器，以便获得所述电阻器的精确的值。举例来说，可制作具有比所需电阻值低的电阻值的薄膜电阻器，由此可使用激光束来移除所述电阻器的薄膜的一部分，借此增加其电阻且有效地将所述电阻器精确地“修整”到所述所需值。然而，此类经修整电阻器可在修整之后漂移且此种漂移可因热循环而加剧。另一种用于修整集成电路中的元件值的技术通过使用多个可熔融链接元件。然而，此种技术消耗集成电路上的实质区域，且需要额外外部引脚。
技术实现思路
根据实施例，一种集成电路可包含未经修整带隙产生电路；及耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合的电流源；双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与所述第一双极二极管装置并联耦合，其中所述集成电路的经修整带隙参考电压输出为双极二极管装置的数目的函数。根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可包含双极结晶体管。根据另一实施例，所述电流源可为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可通过与每一双极二极管装置串联耦合的相应金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与所述第一双极二极管并联耦合。根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可为确定为不同尺寸的至少两个双极二极管装置。根据另一实施例，至少一个双极二极管装置可通过与所述至少一个双极二极管装置串联耦合的熔丝与所述第一双极二极管并联耦合。根据另一实施例，所述集成电路可进一步包含用于控制与每一双极二极管装置串联耦合的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的控制单元。根据另一实施例，所述控制单元可包含非易失性存储器。根据另一实施例，所述电阻器可由串联耦合的至少两个电阻器形成。根据另一实施例，所述未经修整带隙产生电路可包含第一及第二分支，其各自具有电流源、串联耦合的电阻器与双极二极管装置以及与所述第一及第二分支耦合且具有控制所述电流源的输出的差分放大器。根据另一实施例，所述第一分支可包含一连串两个电阻器且所述两个电阻器之间的节点与所述差分放大器耦合，且其中所述第二分支在所述电阻器与所述双极二极管装置之间的节点处连接到所述差分放大器。根据另一实施例，所述未经修整带隙产生电路的每一双极二极管装置可包含双极结晶体管。根据另一实施例，所述未经修整带隙产生电路的每一电流源可为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据另一实施例，一种用于修整带隙输出的系统可包含未经修整带隙产生电路； 耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合的电流源，及双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管与开关串联耦合，其中所述双极二极管装置与开关的串联与所述第一双极二极管并联耦合；及提供用于所述开关的控制信号的处理器，其中所述集成电路的经修整带隙输出为通过所述开关并联耦合的双极二极管装置的数目的函数。根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可包含双极结晶体管。根据另一实施例，所述电流源可为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据另一实施例，开关可为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据另一实施例，所述系统可进一步包含用于控制所述开关的控制单元。根据另一实施例，所述控制单元可包含非易失性存储器。根据另一实施例，所述电阻器可由串联耦合的至少两个电阻器形成。根据又一实施例，一种用于修整带隙参考电压的方法可包含以下步骤通过具有内部反馈信号的带隙电路产生未经修整带隙电压；提供至少一个可修整带隙分支，所述至少一个可修整带隙分支包含与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合的电流源，及双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管与开关串联耦合，其中所述双极二极管装置与开关的串联与所述第一双极二极管并联耦合；通过所述内部反馈信号控制所述电流源；及控制所述开关，其中所述可修整带隙分支的经修整带隙输出为通过所述开关并联耦合的双极二极管装置的数目的函数。根据另一实施例，可通过处理器直接控制所述开关。根据另一实施例，可通过选择电路控制所述开关。根据另一实施例，至少一个开关可为熔丝且进一步包含设定所述熔丝的步骤。附图说明通过结合附图参阅以下说明可获取对本专利技术实施例及其优点的更完全理解，附图中相同参考编号指示相同特征，且其中图1图解说明根据本专利技术的某实施例耦合到未经修整带隙产生电路的实例性带隙产生电路；图2图解说明根据本专利技术的某实施例的实例性带隙产生电路；图3图解说明根据本专利技术的某实施例的具有多个双极二极管的带隙产生电路的实例；图4图解说明根据本专利技术的某实施例的具有多个双极二极管的可修整带隙产生电路的相关部分的另一实例；及图5图解说明显示根据各种实施例由带隙产生电路产生的输出参考电压的曲线图。具体实施例方式根据实施例，一种集成电路可包含未经修整带隙产生电路；及耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与另一双极二极管装置并联耦合，且其中所述集成电路的经修整带隙输出为双极二极管装置的数目的函数。 根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可包含双极结晶体管。根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可包含与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)耦合的双极结晶体管(BJT)。根据另一实施例，所述一个或一个以上双极二极管装置可串联耦合到一个或一个以上电阻器。根据另一实施例，一种用于修整带隙输出的系统，所述系统可包含未经修整带隙产生电路；及耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含 双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与另一双极二极管装置并联耦合，且其中所述集成电路的经修整带隙输出为双极二极管装置的数目的函数。参照图1到图5可最好地理解优选实施例及其优点，所述图中使用相同的编号来指示相同且对应的部件。图1图解说明实例性带隙产生电路102，其可由微控制器101或任何其它类型的微处理器或控制器控制且其耦合到未经修整带隙产生电路104。根据本专利技术的某实施例，经修整带隙产生电路102可通过(举例来说)微控制器101或任何其它处理器或控制器配置， 以提供大修整范围(例如，100mV)、小曲率变化、用于低电力应用的低电流(例如，ΙμΑ)。 未经修整带隙产本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种集成电路，其包含：未经修整带隙产生电路；及耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含：由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合的电流源，双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与所述第一双极二极管装置并联耦合，其中所述集成电路的经修整带隙参考电压输出为双极二极管装置的数目的函数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：明·勒，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：发明
国别省市：US
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