本发明专利技术的用于液晶面板的有源矩阵基板具备：扫描信号线（１６ｘ）、数据信号线（１５ｘ）以及连接到扫描信号线（１６ｘ）和数据信号线（１５ｘ）的晶体管（１２ａ），在１个像素（１０１）中设有２个像素电极（１７ａ、１７ｂ），一方像素电极（１７ａ）经过晶体管（１２ａ）连接到数据信号线（１５ｘ），并且上述有源矩阵基板具备电连接到该像素电极（１７ａ）的电容电极（３７ａ、３８ａ），在这些电容电极（３７ａ、３８ａ）与另一方像素电极（１７ｂ）之间分别形成电容。由此，能在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板中提高其制造成品率。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在1像素区域设有多个像素电极的有源矩阵基板和使用该有源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
技术介绍
为了提高液晶显示装置的Y特性的视场角依赖性(例如抑制画面泛白等)，提出了如下液晶显示装置(像素分割方式，例如参照专利文献1)将设于1像素的多个子像素控制为不同的亮度，利用这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级。在专利文献1记载的有源矩阵基板中，如图47所示，3个像素电极121a 121c 在1个像素区域中沿着数据信号线115排列，晶体管116的源极电极116s连结到接触电极117a，接触电极117a和控制电极118经过引出配线119连接，控制电极118和接触电极 117b经过引出配线126连接，接触电极117a和像素电极121a经过接触孔120a连接，接触电极117b和像素电极121c经过接触孔120b连接，电漂浮的像素电极121b隔着绝缘层与控制电极118重叠，像素电极121b与像素电极121a、121c分别电容耦合(电容耦合型的像素分割方式)。另外，在控制电极118与电容配线113的重叠部分形成保持电容。在采用该有源矩阵基板的液晶显示装置中，能使与像素电极121a、121c对应的子像素分别为亮子像素，使与像素电极121b对应的子像素为暗子像素，能利用这些亮子像素O个)、暗子像素 (1个)的面积灰度级来显示中间灰度级。现有技术文献专利文献专利文献1 日本国公开专利公报“特开2006-39290号公报(公开日2006年2 月9日)”
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在图47的有源矩阵基板中，例如，在控制电极118与像素电极121b发生短路的情况下，虽然能通过切断引出配线119来避免从数据信号线对像素电极121b写入信号电位，然而像素电极121b就失去了与像素电极121a的电容耦合。这样，在以往的有源矩阵基板中，与像素电极121b对应的子像素(暗子像素)容易成为缺陷，有可能降低成品率。鉴于上述课题，在本专利技术中，提出了在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中提高其成品率的结构。用于解决问题的方案本有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线，上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极的第1电容电极和第2电容电极，在上述第1像素电极和第2像素电极中的另一方像素电极与上述第1电容电极之间形成电容，在该另一方像素电极与上述第2电容电极之间形成电容。上述结构是在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中，将设于1像素区域的第1像素电极和第2像素电极经过2个电容(耦合电容)连接的结构。由此，在制造工序等中，即使在一方电容产生问题，也能利用另一方电容维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合。例如，在将第1电容电极和第2电容电极电连接到第1像素电极、并且在第1 电容电极和第2像素电极之间形成电容、在第2电容电极和第2像素电极之间形成电容的结构中，即使在第1电容电极与第2像素电极发生短路的情况下，将第1电容电极在与第1 像素电极的连接位置和短路位置之间切断，由此能利用形成于第2电容电极与第2像素电极之间的电容(耦合电容)维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合。由此，能提高本有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板的制造成品率。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述晶体管的一方导通电极、上述第1电容电极和上述第2电容电极形成于同层。由此，能使有源矩阵基板的层(layer)构造和制造工序简化。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1电容电极的至少一部分隔着覆盖上述晶体管的沟道的层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠，上述第2电容电极的至少一部分隔着上述层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1像素电极和第2像素电极的外周包括多个边，并且上述第1像素电极的一边与上述第2像素电极的一边相邻，上述第1电容电极和第2电容电极分别配置为与该相邻的2个边的间隙、上述第1像素电极和上述第2像素电极重叠。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述晶体管的一方导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极，并且该导通电极经过从该导通电极引出的引出配线连接到上述第1电容电极，上述第1像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述晶体管的一方导通电极和上述第1像素电极经过接触孔连接，并且上述第1像素电极和上述第1电容电极经过接触孔连接，上述第1 像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述晶体管的一方导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极，上述第2像素电极和上述第1电容电极经过接触孔连接，并且上述第2 像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。在本有源矩阵基板中，也能构成为以扫描信号线的延伸方向为行方向，上述第1 像素电极和第2像素电极在列方向上排列。在本有源矩阵基板中，也能构成为在行方向上相邻的2个像素区域中，其一方像素区域中的上述第1像素电极与另一方像素区域中的上述第2像素电极在行方向上相邻。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1像素电极包围上述第2像素电极。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第2像素电极包围上述第1像素电极。在本有源矩阵基板中，也能构成为还具备保持电容配线，所述保持电容配线与上述第1像素电极或电连接到该第1像素电极的导电体形成电容，并且与上述第2像素电极或电连接到该第2像素电极的导电体形成电容。在这种情况下，也能构成为上述保持电容配线以横穿上述像素区域的中央的方式与上述扫描信号线在相同的方向上延伸。另外，也能构成为上述第1电容电极和上述第2电容电极分别与上述保持电容配线形成电容。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述保持电容配线以横穿上述像素区域的中央的方式与上述扫描信号线在相同的方向上延伸。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1电容电极和上述第2电容电极分别与上述保持电容配线形成电容。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，在与上述第1电容电极重叠的部分的至少一部分和与上述第2电容电极重叠的部分的至少一部分除去了有机绝缘膜。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述层间绝缘膜具有除去了上述有机绝缘膜而成的薄膜部，所述薄膜部包括与上述第1电容电极的一部分和上述第2电容电极的一部分重叠的区域，上述第1电容电极和第2电容电极在扫描信号线的延伸方向上排列配置，并且上述第1电容电极跨越上述薄膜部的1边，上述第2电容电极跨越与该1边相对的边。由此，例如在第1电容电极和第2电容电极与第2像素电极之间形成耦合电容的结构中，在第1电容电极和第2电容电极在行方向上错开的情况下，第1电容电极和第2像素电极的重叠面积与第2电容电极和第2像素电极的重叠面积相补偿，能得到2个电容(耦合电容)的总量不易变化的效果。在本有源矩阵基板中，也能构成为上述薄膜部与上述第1像素电极和第2像素电极中的任一方重叠。由此，例如在第1电容电极和第2电容电极与第2像素电极之间形成耦合电容的结构的情况下，除了能得到上述效果以外，还能得到能减少第1电容电极和第2电容电极与本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种有源矩阵基板，其特征在于：具备：扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在１个像素区域中设有第１像素电极和第２像素电极，上述第１像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线，上述有源矩阵基板具备电连接到上述第１像素电极和第２像素电极中的一方像素电极的第１电容电极和第２电容电极，在上述第１像素电极和第２像素电极中的另一方像素电极与上述第１电容电极之间形成电容，在该另一方像素电极与上述第２电容电极之间形成电容。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：津幡俊英，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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