碘系偏振薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术的碘系偏振薄膜的特征在于，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在１．９～３重量％／２．８５ｍｍ３的范围内，在单片透射率为４３～４５％的范围内时波长６１０ｎｍ的正交吸光度Ａ２与波长４８０ｎｍ的正交吸光度Ａ１之比（Ａ２／Ａ１）为１．１６以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在液晶显示装置、电致发光(EL)显示装置、等离子体显示器(PD)和场发射显示器(FED =Field Emission Display)等图像显示装置中使用的。另外，本专利技术涉及具备该偏振薄膜的偏振板。
技术介绍
在图像显示装置(尤其液晶显示装置)中使用的偏振薄膜为了提供明亮、颜色再现性良好的图像，需要兼有高透射率和偏光度。这种偏振薄膜目前是如下制造的通过用溶胀水将聚乙烯醇薄膜(以下称为“PVA薄膜”)溶胀之后，在染色工序中使具有二色性的碘或二色性染料等二色性物质吸附取向，并且进行单轴拉伸来制造(下述专利文献1)。然而，在上述那样的通常的制造方法中，由于是在染色工序中在浸渍于染色液中的状态下进行拉伸的，因此，碘或二色性染料过量地吸附于PVA薄膜。结果，吸附的碘等发生了取向的降低，由此，在偏振薄膜中，具有在可见光(380 780nm)中的短波长区(380 410nm)发生漏光的问题。为了防止上述漏光，作为制造取向度高的偏振薄膜的方法，可列举出下述专利文献2中记载的方法。根据该制造方法，将PVA薄膜干式拉伸，然后使碘或二色性染料吸附取向。接着，在硼酸水溶液中浸渍的同时进行拉伸。另外，作为干式拉伸，记载了使用热辊进行单轴拉伸的方法、在设置于加热烘箱内的辊间施加拉伸力的同时进行拉伸的辊间单轴拉伸法等通常的方法。然而，在上述的制造方法中，在不进行溶胀工序的情况下加热PVA薄膜，并以4 5 倍左右的拉伸倍率进行干式拉伸，进一步进行染色工序，因此，难以使碘等充分吸附于PVA 薄膜。结果，在上述制造方法中，难以制作高偏光度的偏振薄膜。进而，若为了提高偏振光特性而增大在硼酸水溶液中进行的拉伸的拉伸倍率时，存在PVA薄膜发生破裂的问题。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2004-341515号公报专利文献2 日本特开平11-49878号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是鉴于上述问题而做出的，其目的是提供，该偏振薄膜增加了可见光(380 780nm)中的短波长区(380 410nm)的光吸收，从而防止该短波长区的漏光的发生，并且光学特性优异。用于解决问题的方案本专利技术人等发现，如果为不在染色工序中的染色浴中进行拉伸而是在染色浴外部进行拉伸的碘系偏振薄膜，则可以改善可见光中的短波长区的光吸收，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术的碘系偏振薄膜是用于解决上述问题的碘系偏振薄膜，其特征在于，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在1. 9 3重量％ /2. 85mm3的范围内，在单片透射率为43 45%的范围内时波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度Al之比(A2/A1)为1. 16以下。已知的是，通常波长480nm的正交吸光度是三价的碘络合物的含量的指标，波长 610nm的正交吸光度是五价的碘络合物的含量的指标。碘吸附到高分子薄膜中而形成的三价碘络合物在可见光(380 780nm)中的短波长区(380 410nm)的光吸收能力高。因此，如上述构成那样，通过将单片透射率为43 45%的范围内时的波长eiOnm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度Al之比(A2/A1)设定在1. 16以下，增加三价碘络合物的含量，可以提高可见光(380 780nm)中的短波长区(380 410nm)的光吸收。结果，有可能减少上述短波长区的漏光。在上述构成中，上述高分子薄膜优选是聚乙烯醇薄膜。本专利技术的碘系偏振薄膜的制造方法是用于解决上述问题的碘系偏振薄膜的制造方法，其特征在于，其是使碘在高分子薄膜吸附取向的碘系偏振薄膜的制造方法，其包括以下工序染色工序，通过使上述高分子薄膜在含碘溶液中浸渍而使碘吸附于该高分子薄膜； 拉伸工序，将染色后的上述高分子薄膜从上述溶液中取出，在该状态下，不加热上述高分子薄膜，以规定的拉伸倍率进行单轴拉伸；交联工序，通过将上述单轴拉伸后的高分子薄膜在交联浴中浸渍，使该高分子薄膜交联。根据上述方法，将在含碘溶液中染色的高分子薄膜在从该溶液中取出的状态下进行拉伸工序。另外，该拉伸工序不使用热辊、加热烘箱等对高分子薄膜进行加热。因此，上述方法中的拉伸工序与以往的干式拉伸不同。通过进行这种拉伸工序，可以增加吸附有碘的高分子薄膜中的三价碘络合物的含量。由于三价碘络合物在可见光(380 780nm)中的短波长区(380 410nm)的光吸收能力高，因此，通过进行上述拉伸工序，可以制造大量含有三价碘络合物的偏振薄膜。即，如果为上述方法，则可以制造能减少上述短波长区的漏光的碘系偏振薄膜。在上述方法中，优选的是，在上述染色工序中不进行在含碘溶液中的高分子薄膜的单轴拉伸。由此，可以防止碘在高分子薄膜中过量地吸附，并且可以减少所吸附的碘的取向降低。结果，可以进一步防止可见光中的短波长区的漏光。在上述方法中，在上述拉伸工序中进行的单轴拉伸的拉伸倍率优选在1. 2 1. 8 倍的范围内。此外，本专利技术的偏振板的特征在于，在上述的碘系偏振薄膜的至少一个面上设置有透明保护薄膜。由此，可以提供不发生可见光(380 780nm)中的短波长区(380 410nm)的漏光、光学特性优异的偏振板。专利技术的效果本专利技术通过上述说明的方法，发挥了以下所述的效果。即，本专利技术的碘系偏振薄膜通过将单片透射率为43 45 %的范围内时的波长 6IOnm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度Al之比(A2/A1)设定在1. 16以下，可以提高可见光中的短波长区的光吸收，且可以减少该短波长区的漏光。结果，可以提供光学特性优异的碘系偏振薄膜。另外，本专利技术的碘系偏振薄膜的制造方法通过从上述溶液中取出染色工序后的高分子薄膜，并在该状态下进行拉伸工序，可以增加三价碘络合物的含量。结果，可以减少可见光中的短波长区的漏光，制造光学特性优异的碘系偏振薄膜。具体实施例方式本实施方式的碘系偏振薄膜(以下称为“偏振薄膜”)是指，具有使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的构成、能够将自然光、偏振光转变为任意的偏振光的元件。对本专利技术中使用的偏振薄膜没有特别限制，优选是将自然光或偏振光转变为直线偏振光的偏振薄膜。 这种偏振薄膜具有将入射光分为正交的两种偏振光成分，并使其中的一种偏振光成分透射的功能，而且，通过吸收、反射以及散射等使另一种偏振光成分不透射。作为上述高分子薄膜，例如，聚乙烯醇薄膜(以下称为“PVA”薄膜)是优选的。上述PVA薄膜由聚乙烯醇系树脂形成，例如，可以通过皂化聚醋酸乙烯酯系树脂来获得。作为聚醋酸乙烯酯系树脂，除了作为醋酸乙烯酯的均聚物的聚醋酸乙烯酯以外，还可列举出醋酸乙烯酯和能与其共聚的其它单体的共聚物等。作为与醋酸乙烯酯共聚的其它单体，例如， 可列举出不饱和羧酸类、不饱和磺酸类、烯烃类、乙烯基醚类等。聚乙烯醇系树脂的聚合度一般为500 10000，优选为1000 8000的范围，更优选为1400 7000的范围。进而，在皂化的情况下，例如从在水中的溶解性的观点考虑，其皂化度优选为75摩尔％以上，更优选为98摩尔％以上，进一步优选为98. 3摩尔％以上的范围。作为由聚乙烯醇系树脂形成的PVA薄膜的制造方法，可适宜地使用将溶解在水或有机溶剂中的原液流延成膜的流延法、浇铸法、挤出法等任意方法来成膜。此时优选使用相位本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种碘系偏振薄膜，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在１．９～３重量％／２．８５ｍｍ３的范围内，在单片透射率为４３～４５％的范围内时波长６１０ｎｍ的正交吸光度Ａ２与波长４８０ｎｍ的正交吸光度Ａ１之比（Ａ２／Ａ１）为１．１６以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：并森木尼日丁，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP