本发明专利技术的防反射膜的成膜方法为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法，该方法包括：在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及防反射膜的成膜方法、防反射膜和成膜装置，更详细地，涉及适用于平板显示器(FPD，Flat Panel Display)的显示面、触摸面板等的操作面、太阳能电池的受光面等的防反射膜的成膜方法，防反射膜和成膜装置。本申请基于2008年10月17日在日本申请的日本专利申请第2008-268769号主张优先权，在此引用其内容。
技术介绍
近些年，在平板显示器(FPD)、触摸面板、太阳能电池等中，使用各种各样的防反射膜用于防反射。作为以往使用的防反射膜，提出了在透明基板上依次层压有高折射率层、低折射率层的多层结构的防反射膜。这种防反射膜中，高折射率层例如使用TiA (折射率2. 3 2. 55) ,ZrO2 (折射率 2. 05 2. 15)等，此外，低折射率层例如使用SiO2 (折射率1. 45 1.46)等(专利文献1、 2)。这种防反射膜中，通过改变高折射率层或低折射率层的膜厚或材质，可得到所希望的防反射性能。这种防反射膜可如下得到在透明基板上通过使用SW2等低折射率材料的靶的溅射形成低折射率层，接着在该低折射率层上通过使用TiA或ZiO2等高折射率材料的靶的溅射形成高折射率层。专利文献1 日本特开平7-130307号公报专利文献2 日本特开平8-75902号公报然而，为了通过溅射形成以往的多层结构的防反射膜，需要在每层准备不同的靶进行成膜。即，需要依次溅射T^2靶和SiA靶进行成膜，或者在导入氧气等反应性气体的同时，依次溅射Ti靶和Si靶进行成膜。另一方面，在导入氧气等反应性气体的同时，溅射Ti靶和Si靶而成膜时，需要导入大量氧气，因此存在与形成由金属氧化物构成的透明导电膜的气氛相同的气氛下不能成膜的问题点。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供不用向进行溅射的成膜室搬入基板以及从该成膜室搬出基板，而在同一成膜室内进行溅射，从而可得到具有所希望的防反射性能，且也起到透明导电膜作用的氧化铟类防反射膜的防反射膜的成膜方法。此外，目的在于，提供具有所希望的防反射性能，且也起到透明导电膜作用的氧化铟类防反射膜。此外，目的在于提供可在一个装置内形成层压有折射率互不相同的多层折射率层的防反射膜的成膜装置。进一步地，目的在于提供使用相同的氧化铟类靶，对导入的氧气、 氢气或水蒸气的分压比进行调整来进行溅射，从而可形成层压有折射率互不相同的多层折射率层的防反射膜的成膜装置。本专利技术人对使用氧化铟类透明导电膜的防反射膜的成膜方法进行深入研究的结果发现，在使用由氧化铟形成的靶通过溅射法形成层压折射率不同的多层折射率层而成的氧化铟类防反射膜时，如果改变含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的反应性气体中各气体的比例进行溅射，则可有效地形成在第一氧化铟类薄膜上层压有折射率不同的第二氧化铟类薄膜的具有所希望的反射性能的防反射膜，至此完成本专利技术。S卩，本专利技术的第一方式中的防反射膜的成膜方法为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法，该方法包括在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。上述制造方法中，在第一成膜工序中，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、 两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜。进一步地，在第二成膜工序中，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射， 从而形成第二氧化铟类薄膜。因此，根据上述制造方法，可使用氧化铟类靶来层压折射率不同的多层折射率层， 其结果是，可有效地形成具有所希望的防反射性能的防反射膜。优选所述第二反应性气体的氢气含量与所述第一反应性气体不同。优选所述第二反应性气体的水蒸气含量与所述第一反应性气体不同。 优选所述第二氧化铟类靶与所述第一氧化铟类靶相同。所述第二成膜工序优选在与所述第一成膜工序相同的真空槽内将所述第一反应性气体置换为所述第二反应性气体来进行。优选所述第一氧化铟类靶和所述第二氧化铟类靶为添加有锡的氧化铟类靶、添加有钛的氧化铟类靶或添加有锌的氧化铟类靶。本专利技术一个方式中的防反射膜为通过上述防反射膜的成膜方法得到的防反射膜， 包括第一氧化铟类薄膜；和第二氧化铟类薄膜，层压在该第一氧化铟类薄膜上，折射率与该第一氧化铟类薄膜不同。根据上述防反射膜，由于设置有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上且折射率与该第一氧化铟类薄膜不同的第二氧化铟类薄膜，所以可提供层压折射率不同的多层折射率层，具有所希望的防反射性能的氧化铟类防反射膜。优选所述第一氧化铟类薄膜和所述第二氧化铟类薄膜中至少一方的电阻率为 5 X IO2 μ Ω · cm 以下。本专利技术一个方式中的成膜装置为在上述防反射膜的成膜方法中使用的成膜装置， 包括真空容器；在该真空容器内保持靶的靶保持设备；和对所述靶施加溅射电压的电源，所述真空容器具备氢气导入设备、氧气导入设备和水蒸气导入设备中的两种以上。根据上述成膜装置，由于真空容器具有氢气导入设备、氧气导入设备和水蒸气导入设备中的两种以上，所以可使通过使用由氧化铟类材料形成的靶进行的溅射法在基板上层压折射率不同的多层折射率层时的气氛为阻碍M2O3的晶格结合的水蒸气(H2O)气氛。由此，可使用由氧化铟类材料形成的靶通过一个装置形成具有所希望的防反射性能的防反射膜。此外，使用由氧化铟类材料形成的一种靶，仅调整导入的氧气、氢气或水蒸气的分压比，就可容易地形成层压有折射率不同的多层折射率层的防反射膜。进而，可以以现有的成膜速度以上的速度成膜。优选在所述靶保持设备设置有在所述靶的表面产生强度最大值为600高斯以上的水平磁场的磁场产生设备。进而，在所述真空容器内设置有旋转体，以轴为中心旋转，且在该旋转体外周面可装卸地支撑多个基材；和多个所述靶保持设备，与被该旋转体支撑的所述多个基材中的一个以上基材分别对置，使所述旋转体以其轴为中心旋转，且使用被所述靶保持设备保持的靶进行溅射，从而可在所述各基材上形成组成不同的多种膜。根据本专利技术一个方式中的防反射膜的成膜方法，由于具有在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序，所以可使用氧化铟类靶容易地层压折射率不同的多层折射率层。其结果是，可有效地形成具有所希望的防反射性能的防反射膜。根据本专利技术一个方式中的防反射膜，由于包括第一氧化铟类薄膜以及层压在该第一氧化铟类薄膜上且与该第一氧化铟类薄膜的折射率不同的第二氧化铟类薄膜，所以可提供层压折射率不同的多层折射率层，具有所希望的防反射性本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种防反射膜的成膜方法，为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法，其特征在于，该方法包括：在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥明久，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP
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