辐射系统和光刻设备技术方案

一种辐射系统，配置成产生辐射束。所述辐射系统包括：辐射源（５０），配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器（７０），配置成引导所收集的辐射至辐射束发射孔（６０）。磁场产生装置（２００）配置成产生具有磁场强度梯度的磁场，以将等离子体引导离开辐射收集器（７０）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种辐射系统和一种光刻设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。可 以使用例如光刻设备制造集成电路(ICs)。在这种情况下，图案形成装置(被可选地称为 掩模或掩模版)可以用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移 到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所 述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通 常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。光刻技术被广泛地认为是制造ICs以及其他器件和/或结构的关键步骤之一。然 而，当使用光刻技术形成的特征的尺寸变得越来越小时，光刻技术正变成实现制造小型IC 或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由如等式⑴所示的分辨率的瑞利准则 (Rayleigh criterion)给出λ CD = *^ ^tJFS ( 1 )其中λ是所用辐射的波长，NAps是用来印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依 赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，而CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从 等式(1)可以得出，最小可印刷的特征尺寸的减小可以通过三种方式来获得缩短曝光波 长λ、提高数值孔径NAps或减小Ic1的值。为了减小曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐 射源。EUV辐射源配置用以输出大约13nm的辐射波长。因此，EUV辐射源可以为获得小的 特征印刷贡献重要一步。这种辐射被称为极紫外或软χ-射线，可能的源包括例如激光产生 等离子体源、放电等离子体源或电子存储环的同步加速器辐射。目前的EUV源使用机械装置和其他气体或磁场，以便终止等离子体、中性和离子 碎片。对碎片的抑制，尤其是在激光产生等离子体(LPP)源中，目前是不够充分的(达到 10nm/Mshot 锡沉积)。
技术实现思路
期望提供一种用于光刻设备的改进的辐射系统。还期望提供一种用于光刻设备的 辐射系统，其可以减少聚集在辐射系统的收集器上的碎片的量。根据本专利技术的一个实施例，提供一种辐射系统，配置成产生辐射束，辐射系统包 括辐射源，配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器，用以引导所收集的辐射 至辐射束发射孔；和磁场产生装置，配置成产生具有磁场强度梯度的磁场，以将等离子体引 导离开辐射收集器。根据本专利技术的一个实施例，提供一种用于抑制辐射系统内的碎片的方法，辐射系 统包括辐射源和辐射收集器，所述方法包括产生发射辐射和碎片的等离子体；使用辐射 收集器收集辐射；和在辐射系统内产生磁场梯度，以引导等离子体离开辐射收集器。根据本专利技术的一个实施例，提供一种光刻设备，包括辐射系统，配置成产生辐射 束，所述辐射系统包括辐射源，配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器，用 以引导所收集的辐射至辐射束发射孔；磁场产生装置，配置成产生磁场梯度，以将等离子体 引导离开辐射收集器；照射系统，构造并布置成接收来自辐射束发射孔的所收集的辐射并 将所收集的辐射调节为辐射束；支撑结构，构造并布置成支撑图案形成装置，所述图案形成 装置配置成将图案赋予到辐射束的横截面以形成图案化的辐射束；和投影系统，构造并布 置成将图案化的辐射束投影到衬底上。附图说明下面仅通过示例的方式，参考附图对本专利技术的实施例进行描述，其中示意性附图 中相应的标记表示相应的部件，在附图中图1示出根据本专利技术一个实施例的光刻设备；图2示出根据本专利技术一个实施例的光刻设备；图3示出根据本专利技术一个实施例的辐射源和正入射收集器；图4示出根据本专利技术一个实施例的辐射源和史瓦兹希尔型正入射收集器。图5示出根据本专利技术一个实施例的辐射源和正入射收集器。图6示出根据本专利技术一个实施例的辐射源和正入射收集器。图7示出根据本专利技术一个实施例的辐射源和正入射收集器。图8示出表示根据本专利技术一个实施例的辐射系统中的离子停止长度的两个曲线；图9示出根据本专利技术一个实施例的磁场产生装置；以及图10示出根据本专利技术还一实施例的辐射源和正入射收集器。具体实施例方式图1示意地示出可以是本专利技术的一个实施例或包括本专利技术的一个实施例的光刻 设备的一个实施例。所述设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例 如极紫外(EUV)辐射)；支撑结构或图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于 支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第 一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂 的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射 式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底 W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静 电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案 形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构 MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以 确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截 面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将 与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩 模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地 倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜 矩阵反射的辐射束。术语“投影系统”可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射 型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、 或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。期望对于EUV或电子束辐 射使用真空，因为其他的气体会吸收太多的辐射或电子。因此，借助真空壁和真空泵对整个 束路径提供真空环境。如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备 可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台) 的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执 行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。参照图1，照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。源SO可以是辐射系统3的 一部分(即，辐射产生单元幻。辐射系统3和光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下， 不会将辐射系统3本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种辐射系统，配置成产生辐射束，所述辐射系统包括：辐射源，配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器，用以引导所收集的辐射至辐射束发射孔；和磁场产生装置，配置成产生具有磁场强度梯度的磁场，以将等离子体引导离开所述辐射收集器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·Y·班尼恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL