基材处理设备和在该设备中转移基材的方法技术

本发明专利技术提供一种基材处理设备，其包括多个处理室、缓冲单元和转移件。该转移件在该处理室和该缓冲单元之间转移基材，并收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，从而将处理过的基材一次转移到该缓冲单元。因此，该转移件转移基材期间的时间长短减小，使得该基材处理设备缩短了处理时间并提高了生产性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造半导体基材的设备，更具体而言，涉及处理半导体基材的基 材处理设备和在该基材处理设备中转移基材的方法。
技术介绍
在基材制造过程中，绝缘体和金属材料的沉积和蚀刻、光致抗蚀剂的涂布和显影、 灰化处理等被重复多次，从而实现精细的图案结构排列。然而，虽然进行了包括蚀刻或灰化 处理的这些处理，但是在基材中仍然存在杂质。除去这些杂质的处理包括使用去离子水或 化学品的清洁处理。进行清洁处理的基材清洁设备分为成批基材清洁设备和单个基材清洁设备。成批 基材清洁设备包括尺寸能够一次处理25片基材或50片基材的化学浴、冲洗浴和干燥浴。成 批基材清洁设备通过将基材浸入各个浴中预定时间而除去杂质。这种成批基材清洁设备同 时清洁基材的上部和下部，并同时处理大量的基材。然而，随着基材直径的增大，各个浴的 尺寸也要增大，这增大了设备的尺寸和化学品的用量。另外，从邻近的基材上分离的杂质会 附在正在化学浴中清洁的基材上。近来，由于基材直径的增大，单个基材清洁设备被广泛使用。在单个基材清洁设备 中，基材被固定在适用于处理单个基材的具有较小尺寸的腔室中的基材卡盘上，然后由电 机转动，接着经由位于基材上方的喷嘴向基材提供化学品或去离子水。基材的旋转使化学 品或去离子水在基材的上部上扩散，以便从基材除去杂质。单个基材清洁设备的尺寸小于 成批基材清洁设备的尺寸，并且可以实现均勻的清洁效果。一般而言，单个基材清洁设备从其一侧开始包括装载/卸载单元、分度自动装置、 缓冲单元、处理室和主转移自动装置。分度自动装置在缓冲单元和装载/卸载单元之间转 移基材，主转移自动装置在缓冲单元和处理室之间转移基材。在缓冲单元中，将要清洁的基 材等待被插入处理室中，或者已被清洁的基材等待被转移到装载/卸载单元。主转移自动装置包括转移将要清洁的基材的手和转移清洁后基材的手，使得主转 移自动装置可以转移一个将要清洁的基材和一个清洁后基材。因此，当基材已经分别在两 个处理室中被清洁时，从缓冲单元到处理室转移将要清洁的基材的操作进行两次，并且从 处理室到缓冲单元转移清洁后基材的操作也进行两次。同样地，主转移自动装置具有用于不同目的的两个手，因此主转移自动装置一次 仅在一个处理室和缓冲单元之间转移基材。这样延长了在主转移自动装置移动期间的时间 长短和基材的转移，并且降低了生产性。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供一种提高装载和卸载基材效率的基材处理设备。本专利技术还提供一种在该基材处理设备中转移基材的方法。技术方案本专利技术的实施例提供了一种基材处理设备，其包括多个处理室、缓冲单元和转移件。在每个处理室中处理基材。所述缓冲单元储存将要在所述处理室中装载的基材 和在所述处理室中处理过的基材。所述转移件包括多个水平可动的拾取手，基材分别放置 在各拾取手上。所述转移件在所述处理室和所述缓冲单元之间转移基材，并且收集在同时 完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，从而将处理过的基材一次转移到所述缓冲单兀。在一些实施例中，所述各拾取手可以沿垂直方向彼此间隔面对，并且每个拾取手 可以与一个或多个邻近的拾取手间隔第一距离。所述缓冲单元可以包括沿垂直方向间隔的 多个支撑件，各支撑件可以支撑基材的端部，并且沿垂直方向顺次配置的至少两个支撑件 可以间隔第一距离。在本专利技术的其他实施例中，转移基材的方法包括利用转移件从缓冲单元取出将 要处理的基材，并将基材供应到在其内处理基材的多个处理室；利用所述转移件从所述处 理室取出处理过的基材；和利用所述转移件将处理过的基材装载到所述缓冲单元。所述转移件收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，并将处理过 的基材一次转移到所述缓冲单元。在一些实施例中，所述转移件可以将至少一个处理过的基材一次装载到所述缓冲单元。有益效果根据本专利技术，所述转移件从同时完成处理的处理室中取出处理过的基材，并将处 理过的基材一次转移到所述缓冲单元。因此，所述转移件移动期间的时间长短减小，使得所 述基材处理设备缩短了处理时间并提高了生产性。附图说明附图用于进一步理解本专利技术，且被并入说明书中构成说明书的一部分。附图显示 本专利技术的示例性实施例，并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中图1是根据本专利技术实施例的基材处理系统的示意图；图2是图1的缓冲单元的立体图；图3是图2的缓冲单元的侧视图；图4是示出图3的部分'A'的放大图；图5是示出图1的主转移自动装置的立体图；图6是示出图1的主转移自动装置转移晶片的过程的流程图；图7是示出将晶片装载到图2的缓冲单元的过程的示意图；图8是示出放置在图7的缓冲单元上的晶片的部分示意图；图9是示出交通线的示意图，图7的主转移自动装置沿着交通线转移晶片；和图10是示出图1的主转移自动装置从处理室取出晶片的过程的流程图。具体实施例方式下面参照附图更详细地说明本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本专利技术受限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了 使本专利技术的公开内容清楚和完整，并向本领域技术人员全面地表达本专利技术的范围。下面，将结合附图对本专利技术的示例性实施例进行描述。图1是根据本专利技术实施例的基材处理系统1000的示意图。参照图1，基材处理系统1000可以包括装载/卸载单元110、分度自动装置200、 缓冲单元300、主转移自动装置500、多个处理室610、620、630、640、650和660和控制单元 700。装载/卸载单元110包括多个装载口 110a、110b、110c和110d。尽管在本实施例 中装载/卸载单元110包括四个装载口 110a、110b、110c和110d，但是装载口 IlOaUlOb, IlOc和IlOd的数量可以根据基材处理系统1000的处理效率和占地面积条件增大或减小。前开式晶片盒(FOUP)120a、120b、120c 和 120d 安置在装载口 110a、110b、IlOc 和 IlOd 上。晶片储存在各个 FOUP 120a、120b、120c 和 120d 中。各 FOUP 120a、120b、120c 和 120d相对于地面水平地设有用于储存晶片的多个狭槽。FOUP 120a、120b、120c和120d储 存被装载并已经在处理室610、620、630、640、650和660中处理后晶片或者将要装载并在处 理室610、620、630、640、650和660中处理的晶片。下面，为便于说明，已经在基材处理系统 1000中处理后晶片被称作处理后晶片，而尚未被处理的晶片被称作原始晶片。分度自动装置200设置在装载/卸载单元110和缓冲单元300之间，第一转移轨 20设置在分度自动装置200下方。分度自动装置200包括在其上分别装载晶片的多个分度 臂220。分度自动装置200沿着第一转移轨20移动并转移晶片。分度臂220可以独立地被驱动，并从置于装载口 110a、110b、110c和IlOd中任一 个上的FOUP 120a、120b、120c和120d之一拾取原始晶片，并将原始晶片供应到缓冲单元 300。分度自动装置200 —次从FOUP 120a、120b、120c和120d拾取至少一个原始晶片。 例如，分度自动装置200包括垂直排列并且彼此平行的4个分度臂220，每个分本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基材处理设备，包括：多个处理室，在每个处理室中处理基材；缓冲单元，储存将要在所述处理室中装载的基材和在所述处理室中处理过的基材；和转移件，包括多个水平可动的拾取手，基材分别放置在各拾取手上，所述转移件在所述处理室和所述缓冲单元之间转移基材，所述转移件收集在同时完成处理的至少两个处理室中处理过的基材，从而将处理过的基材一次转移到所述缓冲单元。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金敬模，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR