真空处理装置、真空处理方法制造方法及图纸

提供一种具有不需要大型的真空排气装置的脱气室的真空处理装置。在脱气室内对处理对象物进行加热脱气，经由缓冲室运入处理室内并进行真空处理时，脱气室与排气速度小的真空排气系统连接，在１～１００Ｐａ的真空环境下进行脱气处理（时刻０～ｔ２），接着令处理对象物向缓冲室移动，令缓冲室内的压力降低到与处理室内的压力相同程度（时刻ｔ２～ｔ３），将缓冲室与处理室连接，将处理对象物运入处理室内。若比较压力变化的推移，将利用排气速度大的真空排气装置将脱气室形成为高真空环境的现有技术的情况（曲线组Ｂ）和本发明专利技术的情况（曲线组Ａ）相比，处理时间没有差别。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有脱气室的真空处理装置，特别涉及一种在基板的脱气后在高 真空环境下进行处理的真空处理装置。
技术介绍
在从大气环境下运入基板的真空处理装置中，在处理室的前段设置脱气室，在脱 气室的内部将基板加热并放出吸附气体，之后运入处理室内而进行薄膜形成及表面处理等的真空处理。特别是在真空处理装置为在基板表面形成MgO薄膜的MgO成膜装置时，基板在大 气中被安装在托架上而配置在运入室内，所以在托架上吸附有大量的气体。因此，在从运入 室向处理室内移动基板时，为了减少从基板以及托架放出的吸附气体量，运入脱气室内，一 边进行真空排气一边尽可能长时间地加热，在脱气室内部变为高真空环境后，向处理室移 动。因此，除了处理室，运入室、脱气室、缓冲室等也与排气量尽量大的真空泵连接，进 行真空排气直到变为高真空环境。但是，在对运入室进行高真空排气时，需要经由20英寸以上的阀将高真空排气泵 (涡轮分子泵及低温泵)与运入室连接，在以80秒间歇处理基板时，一个月中为27000次以 上的开闭频度，所以大约三个月就需要进行一次大修，阀的大修以及故障成为装置停机时 间的重要原因。此外，多个脱气室直列地连接，并且各脱气室与高真空排气泵(冷槽和涡轮分子 泵的组合、或者低温泵)连接(在高真空排气泵上还连接有背压泵)。特别是由于处理基板大型化、降低污染等的要求，真空排气系统变得大型化。因此，MgO成膜装置的价格及运转成本变高，此外，需要较大的设置空间以及设备， 期望得以解决。非专利文件1 平模板显示器大事典，工业调查会，2001年12月25日，第1版， p269, p683 684, p688 689, p737 738非专利文件之新版真空手册，(株)才一 A社，平成14年7月1日，p5(l、2项真空 用语)
技术实现思路
本专利技术提供一种真空处理装置，不需要大型的真空泵，能够以低成本进行高真空 环境的处理。说明本专利技术的动作原理。在高真空环境下，在压力P(Pa)、放出气体量QO^a · m3/sec)、有效排气速度S(m3/ sec)之间，存在P = Q/S的关系。若令放出气体量Q为从托架和基板放出的吸附气体的量， 则对托架和基板在真空环境下加热到一定温度而脱气时，放出气体量Q的值可以看作仅是时间的函数。即，加热脱气时的放出气体量Q不依存于加热脱气中的周围的真空环境的压 力。若这样，则即便对于进行工艺的处理室需要连接能够产生高真空环境的真空排气 装置，对于进行加热脱气的脱气室，能够连接到达真空度比与处理室相连的真空排气装置 还低的真空排气装置，在比以往还高的压力中进行加热脱气。本专利技术基于上述认知而完成，为一种真空处理装置，具有具有基板加热机构的脱 气室、进行基板的真空处理的处理室，上述脱气室和上述处理室处于真空环境，在上述脱气 室内被加热而被脱气处理后的处理对象物被运入上述处理室内，在上述处理室内被进行真 空处理，其中，与上述脱气室连接的脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述处理室连 接的处理室用真空排气装置的排气速度小。此外，本专利技术为一种真空处理装置，使用上述脱气室用真空排气装置的到达压力 比上述处理室用真空排气装置的到达压力高的真空泵。此外，本专利技术为一种真空处理装置，在上述处理室中配置MgO蒸镀源，从上述MgO 蒸镀源放出MgO蒸汽而在上述处理对象物的表面上形成MgO薄膜。此外，本专利技术为一种真空处理装置，具有多个上述脱气室，上述各脱气室直列地连 接，上述处理对象物在上述各脱气室中被脱气处理后被移动到上述处理室。此外，本专利技术为一种真空处理装置，上述脱气室用真空排气装置具有令上述脱气 室内的压力变为IPa以上IOOPa以下的压力环境的排气速度，上述处理室用真空排气装置 具有令上述处理室内的压力变为不足IPa的真空排气速度。此外，本专利技术为一种真空处理装置，具有具有基板加热机构的脱气室、与上述脱 气室连接的缓冲室、与上述缓冲室连接的处理室，上述脱气室、上述缓冲室、上述处理室处 于真空环境，在上述脱气室内被加热而被脱气处理的处理对象物通过上述缓冲室而被运入 上述处理室内，在上述处理室内被真空处理，其中，与上述脱气室连接的脱气室用真空排气 装置的排气速度比与上述缓冲室连接的缓冲室用真空排气装置的排气速度小。此外，本专利技术为一种真空处理装置，上述脱气室用真空排气装置的排气速度比与 上述处理室连接的处理室用真空排气装置的排气速度小。此外，本专利技术为一种真空处理装置，使用上述脱气室用真空排气装置的到达压力 比上述缓冲室用真空排气装置的到达压力高的真空泵。此外，本专利技术为一种真空处理装置，在上述处理室中配置MgO蒸镀源，从上述MgO 蒸镀源放出MgO蒸汽而在上述处理对象物的表面上形成MgO薄膜。此外，本专利技术为一种真空处理装置，具有多个上述脱气室，上述各脱气室直列地连 接，上述处理对象物在上述各脱气室中被脱气处理后，被移动到上述缓冲室。此外，本专利技术为一种真空处理装置，上述脱气室用真空排气装置具有令上述脱气 室内的压力变为IPa以上IOOPa以下的压力环境的排气速度，上述缓冲室用真空排气装置 具有令上述缓冲室内的压力不足IPa的真空排气速度。此外，本专利技术为一种真空处理方法，将处理对象物安装在托架上而成为运送单元， 将上述运送单元从大气环境中运入真空环境中，将上述运送单元在脱气室内加热而进行脱 气处理，之后运入缓冲室内，在令缓冲室内的压力降低后，连接上述缓冲室与处理室，将上 述运送单元运入上述处理室内，对上述运送单元内的上述处理对象物进行真空处理，其中，令上述脱气室内的压力为IPa以上IOOPa以下的压力环境，令上述处理室内的压力为不足 lPa。此外，本专利技术为一种真空处理方法，在上述处理室内产生MgO蒸汽而在上述处理 对象物的表面上形成MgO薄膜。本专利技术的效果无需令脱气环境变为高真空，所以真空排气系统成本降低，装置的设置空间也减 少。无需令运入室为高真空环境，所以无需在运入室的真空排气系统中设置大型的 阀。从图4的图表可知，若在处理室前的缓冲室中进行真空排气直到变为能够与处理 室连接的压力，则真空排气后的运入室的压力、脱气室中的脱气进行时的压力能够为以往 的大约3倍以上。其结果，本专利技术能够大幅削减真空排气系统，能够将装置成本减少大约5% 10%。此外，设备电力、装置运转时的电力量、冷却水能够削减大约5%。进而，设置空间大 约能够削减大约3%。此外，通过削减不必要的真空排气装置，能够在提高装置整体的可靠 性的同时降低定期维护的成本。附图说明图1是本专利技术的真空处理装置的一例。图2是用于说明运送单元的图。图3是用于说明本专利技术的另一例的图。图4是表示运送单元的周围环境的压力的时间变化的图表。图5(a)是本专利技术的一例的单张式真空处理装置，图5(b)是现有技术的单张式真 空处理装置。附图标记说明5运送单元7 托架10、20真空处理装置11、12、21、22 脱气室13缓冲室14、24 处理室17冷却室18处理对象物31、32基板加热机构33缓冲室用加热机构35 MgO 蒸镀源61、62、71、72脱气室用真空排气装置63缓冲室用真空排气装置具体实施例方式参照图1，附图标记10表示本专利技术的一例的真空处理装置。该真空处理装置10具有运入室15、第一脱气室11、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种真空处理装置，具有：具有基板加热机构的脱气室、进行基板的真空处理的处理室，上述脱气室和上述处理室处于真空环境，在上述脱气室内被加热而被脱气处理后的处理对象物被运入上述处理室内，在上述处理室内被进行真空处理，其中，与上述脱气室连接的脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述处理室连接的处理室用真空排气装置的排气速度小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛荣一，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP