本发明专利技术提供一种能得到高Ｑ值的电子元器件。层叠体（１２）是层叠多个绝缘体层（１６ａ～１６ｊ）而构成。线圈（Ｌ１）是内置于层叠体（１２）的线圈，该线圈（Ｌ１）具有线圈轴（Ｘ１），且绕线圈轴（Ｘ１）的周围沿逆时针盘旋地朝ｚ轴方向的正方向侧行进。线圈（Ｌ２）是与线圈（Ｌ１）相连接、且内置于层叠体（１２）的线圈，该线圈（Ｌ２）具有线圈轴（Ｘ２）、且绕线圈轴（Ｘ２）的周围沿逆时针盘旋地朝ｚ轴方向的负方向侧行进。在从ｚ轴方向俯视时，线圈轴（Ｘ１）位于线圈（Ｌ２）的内部，线圈轴（Ｘ２）位于线圈（Ｌ１）的内部。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子元器件，更特定而言，涉及内置有线圈的电子元器件。
技术介绍
作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1中记载的层叠型线圈元器件。在 该层叠型线圈元器件中，层叠多个绝缘性生片而构成长方体形状的层叠体。在所述多个绝 缘性生片上设置有线圈用导体。该线圈用导体通过过孔相互连接，从而构成螺旋状的线圈。 此外，以覆盖层叠体的两个侧面的方式设置两个端子电极，在该两个端子电极之间连接有 该螺旋状的线圈。然而，在专利文献1所记载的层叠型线圈元器件中，由于端子电极设置成覆盖层 叠体的侧面，因此，在垂直于层叠方向的方向上靠近各线圈用导体排列。因此，在线圈用导 体与端子电极之间会产生寄生电容。若产生寄生电容，则产生如下问题线圈的谐振频率下 降，在使用线圈的频率下，Q值下降。所以，在层叠型线圈元器件中，产生寄生电容成为使内 置有线圈的电子元器件的Q值下降的原因。作为能抑制上述那样的产生寄生电容的电子元器件，例如，举出图7所示的具有 LGA (Land Grid Array 接点栅格阵列)结构的电子元器件500。图7是电子元器件500的 分解立体图。下面，将电子元器件500的层叠方向定义为ζ轴方向，将沿电子元器件500的 长边的方向定义为χ轴方向，将沿电子元器件500的短边的方向定义为y轴方向。χ轴、y 轴、及ζ轴相互正交。电子元器件500包括层叠体502、外部电极506a、506b、以及线圈L501、L502。层叠 体502通过将长方形的绝缘体层504a 504i进行层叠而构成。设置在绝缘体层504d 504h上的线圈电极508a 508e通过过孔导体B相连接，从而构成线圈L501。此外，设置 在绝缘体层504d 504h上的线圈电极510a 510e通过过孔导体B相连接，从而构成线 圈L502。此外，线圈电极508a和线圈电极510a相连接，从而将线圈L501和线圈L502相连 接。此外，外部电极506a、506b分别形成于层叠体502的ζ轴方向的负方向侧的表面， 并通过线圈电极508e、510e和过孔导体B相连接。在具有以上那样的结构的电子元器件 500中，由于外部电极506a、506b设置于层叠体502的ζ轴方向的负方向侧的表面，因此，不 会靠近线圈电极508a 508d、5IOa 5IOd进行排列。所以，可抑制因外部电极506a、506b 与线圈电极508a 508d、510a 510d之间产生寄生电容而导致电子元器件500的Q值下 降的情况。 然而，图7所示的电子元器件500具有难以得到高Q值的问题。更详细而言，在电 子元器件500中，线圈电极508、510设置成在同一绝缘体层504上各排列一个线圈电极。因 此，在电子元器件500中，与在绝缘体层上设置有一个线圈电极的情况相比，线圈电极508、 510的内径变小。这样，若线圈电极508、510的内径变小，则通过线圈电极508、510内的磁 通的数量变少，线圈L501、L502的电感值下降。因此，为了得到所希望的电感值，需要使线圈电极508、510的长度变长，但若线圈电极508、510的长度变长，则电阻值变大，Q值下降。另外，如图7所示，作为将两个线圈平行配置的电子元器件，例如已知有专利文献 2所记载的层叠电感。然而，在该层叠电感中，由于将两个线圈平行配置，因此，具有与图7 所示的电子元器件500相同的问题。此外，在该层叠电感中，由于外部电极形成于层叠体的 侧面，因此，也具有因寄生电容的增加而导致Q值下降的问题。专利文献1 日本专利特开平10-270249号公报专利文献2 日本专利特开平9-63848号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能得到高电感值和高Q值的电子元器件。本专利技术的特征在于，包括层叠体，该层叠体是层叠多个绝缘体层而构成；第一线 圈，该第一线圈是内置于所述层叠体的线圈，该第一线圈具有第一线圈轴，且绕该第一线圈 轴的周围沿预定方向盘旋地朝第一方向行进；以及第二线圈，该第二线圈是与所述第一线 圈相连接、且内置于所述层叠体的线圈，该第二线圈具有第二线圈轴，且绕该第二线圈轴的 周围沿所述预定方向盘旋地朝与所述第一方向成相反方向的第二方向行进，在从所述第一 方向俯视时，所述第一线圈轴位于所述第二线圈的内部，在从所述第二方向俯视时，所述第 二线圈轴位于所述第一线圈的内部。根据本专利技术，能得到高电感值和高Q值。附图说明图1是本专利技术的实施方式1至实施方式5所涉及的电子元器件的外观立体图。图2是实施方式1所涉及的电子元器件的分解立体图。图3是实施方式2所涉及的电子元器件的分解立体图。图4是实施方式3所涉及的电子元器件的分解立体图。图5是实施方式4所涉及的电子元器件的分解立体图。图6是实施方式5所涉及的电子元器件的分解立体图。图7是现有电子零部件的外观立体图。具体实施例方式下面，说明本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件。(实施方式1)(电子元器件的结构)图1是本专利技术的实施方式1所涉及的电子元器件IOa的外观立体图。图2是实施 方式1所涉及的电子元器件IOa的分解立体图。下面，将电子元器件IOa的层叠方向定义 为ζ轴方向，将沿电子元器件IOa的长边的方向定义为χ轴方向，将沿电子元器件IOa的短 边的方向定义为y轴方向。Χ轴、y轴、及ζ轴相互正交。如图1所示，电子元器件IOa包括层叠体12及外部电极14a、14b。层叠体12具有 长方体的形状，内置有线圈Li、L2。外部电极14a与线圈Ll的一端进行电连接，形成于朝 向ζ轴方向的负方向侧的层叠体12的底面(表面)。外部电极14b与线圈L2的一端进行电连接，形成于位于Z轴方向的负方向侧的层叠体12的底面(表面)。如图2所示，层叠体12由多个绝缘体层16a 16j以从ζ轴方向的上方起按照该 顺序排列的方式进行层叠而构成。磁性体层16a 16j是由铁磁性铁氧体(例如Ni-Zn-Cu 铁氧体或Ni-Zn铁氧体等)形成的长方形的绝缘体层。另外，作为绝缘体层16a 16j，也 可使用介质层。 如图2所示，线圈Ll由线圈电极18a 18e以及过孔导体b2 b6构成，是具有 与ζ轴平行、且通过绝缘体层16a 16j的中心(对角线的交点)的线圈轴Xl的螺旋状的 线圈。在从ζ轴方向的正方向侧俯视时，线圈Ll绕线圈轴Xl的周围沿逆时针盘旋地从ζ 轴方向的负方向侧朝正方向侧行进。如图2所示，线圈电极18a 18e分别由包括Ag或Cu等导电性材料形成在绝缘 体层16d 16i的主面上。各线圈电极18a 18e具有3/4匝的长度，且在从ζ轴方向俯 视时，形成相互重叠的长方形区域。过孔导体b2 b6分别设置成沿ζ轴方向贯穿绝缘体层16e 16i。过孔导体 b2 b6设置成在从ζ轴方向的正方向侧俯视时、分别与线圈电极18a 18e的位于沿逆时 针的上游侧的端部相连接。此外，过孔导体b2 b5与线圈电极18b 18e的位于沿逆时 针的下游侧的端部相连接，该线圈电极18b 18e设置于位于ζ轴方向的负方向侧的绝缘 体层16f 16i。通过将具有以上那样的结构的线圈电极18a 18e以及过孔导体b2 b6相连接，使得在从ζ轴方向的正方向侧俯视时，线圈Ll绕线圈轴Xl的周围沿逆时针盘旋 地从ζ轴方向的负方向侧朝正方向侧行进。如本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子元器件，其特征在于，包括： 层叠体，该层叠体是层叠多个绝缘体层而构成； 第一线圈，该第一线圈是内置于所述层叠体的线圈，该第一线圈具有第一线圈轴，且绕该第一线圈轴的周围沿预定方向盘旋地朝第一方向行进；以及 第二线圈，该第二线圈是与所述第一线圈相连接、且内置于所述层叠体的线圈，该第二线圈具有第二线圈轴，且绕该第二线圈轴的周围沿所述预定方向盘旋地朝与所述第一方向成相反方向的第二方向行进， 在从所述第一方向俯视时，所述第一线圈轴位于所述第二线圈的内部， 在从所述第二方向俯视时，所述第二线圈轴位于所述第一线圈的内部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：松下洋介，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP
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