引线架及其制造方法技术

提供一种在树脂密封型半导体装置的制造中可省略树脂密封后的堤坝切断去除工序的引线架。加工金属薄板而形成无堤坝引线架，该无堤坝引线架具有多个外部引线及多个内部引线且不具有堤坝，在内部引线区域的引线架表面或背面涂布绝缘性的热硬化性树脂或紫外线硬化树脂的树脂液，通过表面张力作用而使流进引线间的间隙的涂布树脂液沿着引线侧壁而移动至外部引线与内部引线的边界，在上述边界处使涂布树脂液硬化而形成树脂制堤坝，由此制造引线架。利用该制造方法，得到树脂制堤坝，并可得在堤坝位置处的引线架表面、背面没有树脂残渣的引线架。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及作为树脂密封型半导体装置的装配构件的引线(lead)架及其制造方 法以及使用它的半导体装置。
技术介绍
例如，如图7所示地，在树脂密封型半导体装置中，在引线架的压模垫(Ψ λ ^ y 卜)1上装载半导体元件11，对施以镀银等表面处理的内部引线2前端部与半导体元件11 的端子12用导线(Wire) 13进行接线并以密封用树脂14进行密封，然后，将外部引线4成形 为鸥形翼(力 々4 > 7 )状。如图8所示地，上述密封用树脂14的密封，是通过以金属 模(上)21与金属模(下)22夹住装载了半导体元件的引线架、并在两金属模间的空隙中 注入密封用树脂而进行的。这时候，为了使树脂不会从引线间的间隙漏出，如图9所示地， 在引线架中，对外部引线部设有填补引线间的间隙的提坝(dam bar)3。以往，通过冲压加工(> 7加工)或蚀刻加工金属薄板而同时地形成外部引线、 内部引线及提坝，提坝是利用与引线架相同的金属材料所形成的。所以，树脂密封之后，需 要以冲压等处理来切断分离提坝、解除电短路状态的工序。近年来，引线架有多引脚化及狭间距化的趋势，用于冲压提坝的冲压金属模的加 工及维修的经费有增加的趋势。所以，在日本专利第2970066号(专利文献1)、日本特开平 9-283691号(专利文献2)、日本特开平11-233704号(专利文献3)中提出了可省略树脂 密封后的提坝切断分离工序地通过绝缘性树脂材料形成提坝的方法。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利第2970066号公报专利文献2 日本特开平9-283691号公报专利文献3 日本特开平11-233704号公报专利技术概要专利技术要解决的技术问题 然而，上述专利文献所提案的树脂制提坝的形成方法，是压入于引线间的方法 (专利文献1)，是以跨越外部引线的方式涂布热硬化性树脂后加热加压而填充于引线间的 方法(专利文献2)，是利用掩模(mask)等以印刷方式进行涂抹的方法(专利文献3)，然 而，由于多引脚化，所以压入于引线间的方法(专利文献1)及使用掩模的方法(专利文献 3)由于成本过高而不实用。此外，以跨越外部引线的方式将树脂涂布于引线架表面的情况 下(专利文献2)，在引线架表面、背面留下树脂，为了用密封用树脂进行密封而以金属模夹 住并闭合时，引线架变形，或是在金属模与引线架之间产生间隙而产生树脂泄漏。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这种情况而做出的，其目的在于，低成本地提供一种引线架及半导体装置，在利用密封用树脂密封半导体装置时，不会产生引线架、半导体装置的变形及树脂 泄漏，且密封后可省略提坝切断去除工序。本专利技术的第一项专利技术是一种引线架，具有多个外部引线及多个内部引线，在上述 外部引线与上述内部引线的边界处具有绝缘性树脂制的提坝，其特征为上述绝缘性树 脂，是在硬化完成前能够在内部引线间沿着引线侧壁移动的热硬化 树脂或紫外线硬化树脂，在提坝附近，内部引线间隔随着接近提坝而变得狭窄，而且，在提坝附近，外部引线间隔比位于提坝处的引线间隔宽。本专利技术的第二项专利技术是一种半导体装置，是在上述第1项专利技术的引线架上装载半 导体元件、对上述内部引线与半导体元件的端子进行接线并以密封用树脂进行密封而成的 半导体装置，其特征为上述绝缘树脂制提坝位于形成密封用树脂的部分与未形成密封性 树脂的部分的边界线(模塑(mold)密封线)上。本专利技术的第三项专利技术是一种引线架的制造方法，其特征为加工金属薄板来成形具有多个外部引线及多个内部引线、不具有提坝的无提坝引 线架，在内部引线区域的引线架表面或背面涂布绝缘性的热硬化性树脂或紫外线硬化 树脂的树脂液，使流进引线间的间隙的涂布树脂液沿着引线侧壁而向外部引线与内部引线的边 界方向移动，然后，使涂布树脂硬化而在模塑密封线上形成树脂制提坝。在上述本专利技术的第三专利技术中，涂布树脂液的移动方法优选为，内部引线间隔随着 接近外部引线与内部引线的边界方向而变得狭窄，使得树脂液沿着引线侧壁向上述边界方 向移动，通过使外部引线间隔在涂布树脂液移动停止位置的外侧较宽，从而上述涂布树脂 液的移动停止。专利技术效果在本专利技术中，提坝由绝缘性树脂制造，因而以密封用树脂密封半导体装置之后不 需要切断去除提坝。此外，树脂制提坝是利用涂布法形成的，因而低成本。此外，将树脂液 涂布于内部引线区域，沿着引线间的侧壁移动至内部引线与外部引线的边界之后进行硬化 从而形成提坝，因而在提坝附近树脂不会残留于引线架的表面、背面，并且为了密封而由金 属模进行闭合时，不会有引线架变形或产生间隔而发生树脂泄漏的情况。此外，在本专利技术中，内部引线间隔随着接近提坝位置、即内部引线与外部引线的边 界位置而变狭窄，从引线架表面观看，内部引线间隔的形状为梯形。所以，提坝的树脂形状 为梯形，即使在硬化时提坝的树脂稍微收缩，由于压入密封用树脂时的压力，也可防止树脂 制提坝脱落。此外，利用形成提坝的树脂硬化时所产生的收缩，使树脂制提坝的中央位置比引 线架表面、背面的高度位置稍低，并在密封时的金属模与提坝之间稍微留有间隙，也可使得 树脂制提坝兼具从密封用树脂发生的气体的泄气口(排气口)的作用。此外，在本专利技术的第二专利技术中，提坝上的一部分被密封用树脂所覆盖，因而可防止 树脂制提坝的剥离或脱落。附图说明图1是本专利技术的引线架的整体概观图。图2是本专利技术采用的无提坝引线架的局部扩大图。图3是本专利技术的制造方法的说明图。图4是表示涂布的树脂液的移动量与锥度之间的关系的一例的图表。图5是用于说明角部与中心部的树脂液的移动量差异的说明图。图6是用于说明角部与中心部的树脂液的移动量差异的局部图。图7是树脂密封型半导体装置的概略图。图8是半导体装置的树脂密封方法的说明图。图9表示现有的引线架。图10是半导体装置的树脂密封方法的说明图。具体实施例方式以下，针对于本专利技术的实施形态，使用附图加以说明。在本专利技术中，首先，将铜合金、铁-镍合金等的金属薄板施以冲压加工或蚀刻加工，形成不具有提坝的无提坝引线架图案。图1表示本专利技术的引线架的概观图。在本专利技术 中，在内部引线2与外部引线4之间的模塑密封线34的位置，设有绝缘性树脂制提坝33。图2表示本专利技术所使用的无提坝引线架的外部引线与内部引线的边界附近的扩 大图。在上述边界附近，内部引线间隔Wl朝向上述边界而变狭窄，当超过上述边界而进入 到外部引线区域时，外部引线间隔W2变宽。引线架的板厚是0. 1 0. 2mm，较佳为0. 1 0.15mm。外部引线间距(pitch) —般是0. 5mm，外部引线间隔一般为0. 2 0. 3mm。此外， 引线间隔变狭窄的比率(锥度(taper))为，每1000 μ m(lmm)长度为5 60 μ m较佳，更佳 为10 50 μ m，进一步更佳为10 40 μ m。若锥度过小，则提坝形成用树脂的涂布液的移 动量变小而不理想。此外，外部引线的间隔比上述边界处的弓丨线间隔宽。在引线架的内部引线的前端部分的引线表面，通过点镀或环镀等手段施以镀银或 镀金等处理，使得能够容易地进行引线键合。以下说明提坝的形成方法。在内部引线区域，当将提坝形成用的树脂液涂布于涂 布线31(图3a)时，所涂布的树脂液32由于表面张力而进入引线间(图3b)，并且，树脂液 32由于表面张力而沿着引线侧壁向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线架，具有多个外部引线及多个内部引线，在上述外部引线与上述内部引线的边界处具有绝缘性树脂制的堤坝，其特征为：　　上述绝缘性树脂，是在硬化完成前能沿着引线侧壁在上述内部引线间移动的热硬化树脂或紫外线硬化树脂，　　内部引线间隔在堤坝附近随着接近堤坝而变窄，　　外部引线间隔在堤坝附近比堤坝位置处的引线间隔宽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：窪田昭弘，
申请(专利权)人：矽马电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP