在工件卡盘(21)的吸附面(22)上具有为分隔开相邻的吸附区域(80a、…、80g)而形成的、可与基板W的背面相抵接的间壁(81a、…、81d，82a、…、82d，83a、…、83d)、和可在各吸附区域(80a、…、80g)与基板W的背面相抵接的多个突起(85)，多个曝光装置主体(2～5)的各工件卡盘(21)的吸附面(22)具有大致相同的外形尺寸，而且各工件卡盘(21)的间壁(81a、…、81d，82a、…、82d，83a、…、83d)在每个曝光装置主体(2、…、5)中形成于不同的位置上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具备多个曝光装置主体的。
技术介绍
以往，提出了多种用于制造液晶显示装置或等离子显示装置等平板显示装置的滤色器基板或TFT (薄膜晶体管Thin Film Transistor)基板的曝光装置。曝光装置通过以掩模保持部保持掩模，并且以基板保持部保持基板使两者接近地对置配置。然后，通过从掩模侧照射图案曝光用的光，将描绘于掩模上的掩模图案曝光转印在基板上。此外，例如，在制造滤色器基板的情况下，使用4个曝光装置主体，在基板上顺次曝光BM(黑色基体)层、 R(红)、G(绿)、B(蓝)这3个着色层。在专利文献1、2所述的曝光装置中，基板保持部在吸附保持基板的吸附面上具有多个突起(压花)，并且为划定多个吸附区域而具有将邻接的吸附区域分分隔开的间壁。并且，通过将在规定方向的突起与间壁的间隔和所邻接的突起间的间隔设定为规定的宽度， 使基板的挠曲量大致相等，提高基板的平面度，从而抑制曝光不均。此外，在专利文献3所述的基板保持部，具备围住吸引空间的边缘部、设在吸引空间内的多个突起和从边缘部朝突起延伸的支承部，以便以良好的平坦度保持基板。专利文献1 JP-A-2009-212344专利文献2 JP-A-2009-198641专利文献3 :W02006/025341 号可是，为冷却基板而在基板保持部的内部流通有冷却剂，当在基板保持部中吸附保持基板时，在多个突起或间壁所接触的部分和未接触的部分上，基板产生温度变化。特别是，在基板与所连续的间壁接触的部分，相对于未接触部分的温度变化大，有可能在与间壁接触的基板附近产生微小变形。因此，在使用多个曝光装置主体进行多个曝光时，如果间壁所接触的部分的位置在各曝光装置主体中一致，则存在在多个曝光的制品的该位置上发生曝光不均或曝光轮廓偏差的问题。此外，在专利文献1 3所述的基板保持部，对上述问题完全没有考虑。
技术实现思路
本专利技术是为解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种即使是进行了多次曝光的制品，也能够抑制由间壁造成的曝光不均和曝光轮廓(profile)偏差的发生的曝光装置和基板的曝光方法。根据本专利技术的实施方式，可提供一种将多个所述各掩模的图案依次曝光转印在所述基板上的曝光装置，其中，所述曝光装置具备通过照射所述曝光用光将所述掩模的图案曝光转印在所述基板上的多个曝光装置主体，所述曝光装置主体具备保持具有所述图案的掩模的掩模保持部、具有通过吸附保持所述基板的吸附面的基板保持部、和照射曝光用光的照射部；在所述基板保持部的吸附面上，设有为分隔开邻接的吸附区域而形成的且能够与所述基板的背面相抵接的间壁、在所述吸附区域可与所述基板的背面相抵接的多个突起；所述多个曝光装置主体的各基板保持部的吸附面具有大致相同的外形尺寸，并且所述各基板保持部的间壁在每个所述曝光装置主体中形成于不同的位置上。根据本专利技术的实施方式，可提供一种采用通过照射所述曝光用光将所述各掩模的图案曝光转印在所述基板上的多个曝光装置主体，将所述各掩模的图案依次曝光转印在所述基板上的基板的曝光方法，所述曝光装置主体具备用于保持具有图案的掩模的掩模保持部、具有通过吸附保持所述基板的吸附面的基板保持部和照射曝光用光的照射部，所述曝光方法包括如下的工序以使将所述吸附面所邻接的吸附区域分隔开的间壁在所述每个曝光装置主体中在不同的位置上与所述基板的背面相抵接方式，由所述多个曝光装置主体对所述基板进行依次曝光。专利技术效果根据本专利技术的曝光装置，由于形成于多个曝光装置主体的各吸附面上的间壁，在每个曝光装置主体中形成在不同的位置上，因此即使是进行了多次曝光的制品，也能够抑制间壁所造成的曝光不均或曝光轮廓偏差的发生。此外，根据本专利技术的基板的曝光方法，基板由于各间壁在每个曝光装置主体中在不同的位置上与基板的背面相抵接，同时通过多个曝光主体被依次曝光，因此即使是完成了多次曝光的制品，也能够抑制发生间壁所造成的曝光不均或曝光轮廓偏差。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施例的曝光装置的示意图。图2是用于说明应用于图1的曝光装置中的接近(式)曝光主体的局部分解立体图。图3是图2所示的接近(式)曝光装置主体的主视图。图4是图2所示的掩模保持部的放大立体图。图5的(a)是图1所示的基板保持部的主视图，(b)是(a)的V部放大图。图6是将图1中的各接近(式)曝光装置主体的基板保持部VIa-VId部重叠地示出的放大图。图7(a) (h)是表示突起和间壁的各种变形例的图。图8(a) (i)是间壁的各种变形例的图。图9是表示本专利技术的第二实施例的曝光装置的示意图。图10是用于说明应用于图9的曝光装置中的接近曝光主体的局部分解立体图。图11是图10所示的接近曝光装置主体的主视图。图12是图10所示的掩模保持部的放大立体图。图13是图9所示的基板保持部的主视图。图14的㈧是图13的A部放大图，⑶是图13的B部放大图，(C)是图13的C 部放大图，(D)是图13的D部放大图。图15是在图9所示的基板保持部的主视图中配置有基板的图。图16㈧ ⑶是表示基板阶跃移动时的基板的吸附状态的图。图17㈧ ⑶是表示在图9所示的基板保持部的主视图中配置有种类不同的基板的状态的图。附图标记说明1-曝光装置，2-第一接近(式)曝光装置主体，3-第二接近曝光装置主体，4-第三接近曝光装置主体，5-第四接近曝光装置主体，10-掩模保持部，12b-开口，14-卡盘部，20-基板保持部，21-工件卡盘，22-吸附面，80a-第一吸附区域，80b-第二吸附区域， 80c-第三吸附区域，80d-第四吸附区域，80e-第五吸附区域，80f-第六吸附区域，80g-第七吸附区域，81a、81b、81c、81d-第一间壁，82a、82b、82c、82d_ 第二 间壁，83a、83b、83c、 83d-第三间壁，800a-第一吸附区域，800b-第二吸附区域，800c-第三吸附区域，800d-第四吸附区域，800e-第五吸附区域，800f-第六吸附区域，800g-第七吸附区域，800h-第八吸附区域，800i-第九吸附区域，SOOj-第十吸附区域，800k-第十一吸附区域，8001-第十二吸附区域，800m-第十三吸附区域，810a-第一间壁，810b-第二间壁，810c-第三间壁，810d-第四间壁，810e-第五间壁，810f-第六间壁，810g-第七间壁，810h_第八间壁，810i_第九间壁， 810j-第十周围间壁，810k-第i^一周围间壁，8101-第十二周围间壁，810m-第十三周围间壁，M-掩模，W-玻璃基板(被曝光材)。具体实施例方式以下，基于附图对本专利技术的第一实施例的进行详细说明。如图1所示，本专利技术的曝光装置1具备对第一层进行曝光的第一接近(式)曝光装置主体2、对第二层进行曝光的第二接近曝光主体3、对第三层进行曝光的第三接近曝光装置主体4和对第四层进行曝光的第四接近曝光装置主体5。另外，将涂布、预调准、显影等预处理及后处理工序中使用的装置、和搬运基板的搬运装置等的图示省略了。此外，由于第一 第四接近曝光装置主体2、3、4、5只要是后述的基板保持部的吸附面不同的构成即可， 因此在下方中只对第一接近曝光装置主体2进行详述。如图2所示，第一接近曝光装置主体2具备用于保持掩模M的掩模保持部1本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种曝光装置，该曝光装置将多个掩模图案依次曝光转印在基板上，其特征在于，所述曝光装置具备通过照射所述曝光用光而将所述掩模的图案曝光转印在所述基板上的多个曝光装置主体，所述曝光装置主体具有：保持具有所述图案的掩模的掩模保持部、具有吸附保持所述基板的吸附面的基板保持部、以及照射曝光用光的照射部，在所述基板保持部的吸附面上设有：为分隔开所邻接的吸附区域而形成并能够与所述基板的背面相抵接的间壁、和在所述吸附区域能够与所述基板的背面相抵接的多个突起，所述多个曝光装置主体的各基板保持部的吸附面具有大致相同的外形尺寸，并且所述各基板保持部的间壁在每个所述曝光装置主体中形成于不同的位置上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：池渊宏，户川悟，永井新一郎，桐生恭孝，
申请(专利权)人：日本精工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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