显示装置制造方法及图纸

目标是提供一种具有自发光型发光设备的显示装置，其能够改进亮度视角特性。该显示装置包括自发光型发光设备的有机EL设备(发光部分(16R、16G、16B))和黑矩阵层(BM)，同时满足等式(11)和(16)。在从0°到60°的视角α中，从不由于黑矩阵层(BM)的光屏蔽导致来自发光部分(16R、16G、16B)的显示光(L)的抑制。如果显示装置满足等式(11)、(19)和(23)，则即使在由于黑矩阵层(BM)的光屏蔽导致来自有机EL设备的显示光的抑制的情况下，在从0°到60°的视角α中，显示光(L)的抑制率也可以抑制为50％或更小。

【技术实现步骤摘要】
显示装置本案是申请日为2008年8月27日、申请号为200880104390.X、专利技术名称为“显示装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及包括如有机EL(电致发光)设备的自发光型发光设备的显示装置。
技术介绍
在显示装置中，亮度的视角特性是显著影响显示图像质量的因素。通常，在使用如有机EL设备的自发光型发光设备(自发光设备)的情况下，发光本身是全漫射(perfectdiffusion)。此外，由于谐振器结构等的微腔效应，即使在使用其中改进了在前面方向上的提取效率的设备结构的情况下，发光部分也能够设计为类似于全漫射光源的部分。因此，已经认为自发光设备有利于亮度的视角特性。然而，在通过使用这种自发光设备构造显示装置的情况下，在一些情况下，为了实现高对比度，为了抑制外部光的从底板(位于显示面的相对侧的一对基底之一)反射的目的，提供了黑矩阵层。此外，为了改进除了高对比度之外的色纯度，在一些情况下，提供与滤色镜整体构造的黑矩阵层。在提供有这种黑矩阵层的自发光型发光设备中，黑矩阵层安排在与该对基底中的底板相对安排的基底上。为了在底板上形成黑矩阵层，要求发光设备具有耐热性和可靠性。然而，在现有环境下，不存在满足前述要求的材料。因此，最本质的是在相对的基底侧形成黑矩阵层。因此，当底板和在其上形成黑矩阵层的相对的基底对准并且相互结合时，在发光部分和黑矩阵层之间存在对应于用于结合的粘合层(密封层)的厚度和保护层的厚度的距离。具有这种自发光型发光层的自发光型显示装置的示例包括有机EL显示装置(例如，专利文献1)。专利文献1：日本未审专利申请公开No.2006-73219
技术实现思路
在如有机EL设备的自发光设备的情况下，尽管发光本身是全漫射，但是发光部分的尺寸限制于等于或小于像素间距尺寸的尺寸。因此，在存在光屏蔽黑矩阵层等的情况下，当从对角线方向观看像素时，生成由黑矩阵层产生的阴影部分。因此，存在这样的问题：阴影部分延伸到发光部分，从而生成光屏蔽区域，并且根据光屏蔽区域的尺寸降低亮度(劣化亮度的视角特性)。在其中使用微腔效应的发光设备的情况下，前述问题与发光区域的光分布特性重叠，从而亮度的视角特性的劣化变得更加显著。前述光屏蔽现象是对于包括具有有限尺寸的自发光设备的显示装置特有的现象。在其中全漫射光源(背光光源)与液晶面板分开安排的液晶显示装置中不生成这种光屏蔽现象。这是因为在具有薄单元间隔的液晶面板中，具有比孔径区域的尺寸更大尺寸的全漫射背光光源能够被认为是在黑矩阵层下直接形成的虚拟漫射光源。因此，亮度的视角特性几乎与光源的视角特性相对应，几乎不导致问题。实际上，作为液晶显示装置中的视场特性的实际问题是由液晶分子的折射率各向异性的光谱特性导致的对比度劣化、以及由波长依赖性导致的色偏移。此外，在过去，还不存在用于解决由如上所述的视角特性的光屏蔽导致的亮度劣化的专利技术。例如，如在前述专利文献1中所述，只报告了这样的技术，其中避免在从一个像素泄漏到相邻像素的光以等于或大于临界角的角度进入空气和玻璃之间界面的情况下生成的混色。鉴于前述问题，本专利技术的目的是提供一种包括自发光型发光设备的显示装置，用其可以改进亮度的视角特性。在本专利技术的第一实施例中，多个像素总体上以矩阵状态排列；包括一对基底，在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备，以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层；并且满足以下公式(1)。在公式中，分别地，WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。在本专利技术的第一显示装置中，因为满足前述公式(1)，所以在从0度到60度的视角范围中(包括0度和60度)，从不生成由黑矩阵层的光屏蔽导致的来自发光设备的显示光的渐晕(vignetting)。在本专利技术的第二显示装置中，多个像素总体上以矩阵状态排列；包括一对基底，在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备，以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层；并且满足以下公式(2)到公式(4)。WLD<WBM(3)在公式中，WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。在本专利技术的第二显示装置中，因为满足前述公式(2)到公式(4)，所以在黑矩阵层的孔径尺寸大于发光设备的发光区域尺寸的情况下，即使在从0度到60度的视角范围中(包括0度和60度)生成由黑矩阵层的光屏蔽导致的来自发光设备的显示光的渐晕，显示光的渐晕率也可以抑制为等于或小于50％的值。在本专利技术的第三显示装置中，多个像素总体上以矩阵状态排列；包括一对基底，在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备，以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层；并且满足以下公式(5)到公式(7)。WLD≥WBM(6)在公式中，WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。在本专利技术的第三显示装置中，因为满足前述公式(5)到公式(7)，所以在黑矩阵层的孔径尺寸等于或小于发光设备的发光区域尺寸的情况下，即使在从0度到60度的视角范围中(包括0度和60度)生成由黑矩阵层的光屏蔽导致的来自发光设备的显示光的渐晕，显示光的渐晕率也可以抑制为等于或小于50％的值。根据本专利技术的第一显示装置，提供自发光型发光设备和黑矩阵层，并且满足前述公式(1)。因此，在从0度到60度的视角范围中(包括0度和60度)，从不生成由黑矩阵层的光屏蔽导致的来自发光设备的显示光的渐晕。因此，在包括自发光型发光设备的显示装置中，能够改进亮度的视角特性。根据本专利技术的第二显示装置，提供自发光型发光设备和黑矩阵层，并且满足前述公式(2)到公式(4)。因此，在黑矩阵层的孔径尺寸大于发光设备的发光区域尺寸的情况下，即使在从0度到60度的视角范围中(包括0度和60度)生成由黑矩阵层的光屏蔽导致的来自发光设备的显示光的渐晕，显示光的渐晕率也可以抑制为等于或小于50％的值。因此，在包括自发光型发光设备的显示装置中，能够改进亮度的视角特性。根据本专利技术的第三显示装置，提供自发光型发光设备和黑矩阵层，并且满足前述公式(5)到公式(7)。因此，如果黑矩阵层的孔径尺寸等于或小于发光设备的发光区域尺寸，则即使在从0度到60度的视角范围中(包括0度和60度)生成由黑矩阵层的光屏蔽导致的来自发光设备的显示光的渐晕，显示光的渐晕率也可以抑制为等于或小于50％的值。因此，在包括自发光型发光设备的显示装置中，能够改进亮度的视角特性。附图说明图1是图示根据本专利技术第一实施例的显示装置的配置的截面图。图2是图示图1所示的发光部分的详细结构的截面图。图3是图示视角和相对亮度之间的关系的示例的特性图。图4是图示根据第二实施例的显示装置的配置的截面图。图5是用于说明根据本专利技术的修改示例的显示装置中的像素形状的平面图。具体实施方式下文中将参照附图给出本专利技术的实施例的细节的描述。[第一实施例]图1图示根据本专利技术的第一实施例的显示装置(有机EL本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种显示装置，其中多个像素总体上以矩阵状态排列，所述显示装置包括：一对基底；在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备；以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层，并且满足以下公式（４２）到公式（４４）：２√３＞（｜ＷＢＭ－ＷＬＤ｜／Ｄ）（４２）ＷＬＤ＜ＷＢＭ　　（４３）（√３／２）＊ＷＢＭ≥Ｄ≥（１／２√３）＊（ＷＢＭ－ＷＬＤ）（４４）其中ＷＢＭ代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；ＷＬＤ代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且Ｄ代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。

【技术特征摘要】
2007.08.30 JP 224456/071.一种显示装置，其中多个像素总体上以矩阵状态排列，所述显示装置包括：一对基底；在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备；以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层，并且满足以下公式(42)到公式(44)：WLD<WBM(43)其中WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度，其中在每个像素中，在水平方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺寸WLD分别比在垂直方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺寸WLD长。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光设备是有机E...

【专利技术属性】
技术研发人员：福田俊广，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP