一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用制造技术

本发明专利技术涉及一种用于多级存储相变存储器的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜。本发明专利技术的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料中单层Ge2Sb2Te5薄膜和单层Ga30Sb70薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度和单层Ga30Sb70薄膜的厚度均为10~133nm；所述Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为90-200nm。本发明专利技术的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜用于相变存储器中能够实现多级存储，同时具有较高的热稳定性，对数据的保持能力极强。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
Ｔｅ５薄膜的厚度和单层Ｇａ３０Ｓｂ７０薄膜的厚度均为１０～１３３ｎｍ；所述Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５／Ｇａ３０Ｓｂ７０纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为９０－２００ｎｍ。１．一种Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５／Ｇａ３０Ｓｂ７０纳米多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５／Ｇａ３０Ｓｂ７０纳米多层复合相变薄膜材料中单层Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜和单层Ｇａ３０Ｓｂ７０薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Ｇｅ２Ｓｂ２

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈波，孙明成，翟继卫，汪昌州，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：31