高电源抑制比低温飘振荡器制造技术

本发明专利技术公开一种高电源抑制比低温飘振荡器，采用CMOS加工工艺制造，由恒流恒压产生模块和振荡模块两部分组成，本发明专利技术除电源、地和一个可选的复位信号外不需外加任何信号和元件，就可以产生一个频率稳定、占空比为50%的脉冲信号，并且该信号的频率可以通过改变电路内部元器件的参数来进行调整。除了一些对频率精度要求极高的场合外，本发明专利技术在一定程度上可以替代晶体振荡器，可以方便的集成到其他电路内部使用，而不需要额外增加管脚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及集成振荡电路。
技术介绍
振荡电路也称信号发生电路，是很多电子电路中经常使用的电路。例如为数字电路提供时钟的就是这种电路，将无线电波等各种信号传送到远方的载波信号也是由振荡电路产生的。振荡电路产生的波形有很多种，如正弦波、方波、三角波、斜波等。振荡频率为恒定的振荡电路称为数字电路或系统的时钟发生器，其输出波形一般为方波。晶体振荡电路是目前使用最广泛的高精度、高稳定度的振荡电路。晶体振荡器是利用晶体的压电效应制成的一种谐振器件。若在晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形；反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振。晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得很精确，因此晶体振荡电路可获得很高的频率精度和稳定度。但也正是因为晶体振荡电路本身的性质，使得其在可集成化方面存在巨大缺陷，无法和现有的集成电路加工制造工艺兼容，必须外接。使用晶振的电路必须提供两个引脚连接晶振的两端，除此以外还需要外接两个瓷片电容，这样就十分不利于减少电路板的尺寸，无法降低加工制造成本。RC振荡器也是目前使用广泛的一种振荡电路，其具有结构简单，便于集成的特点。 最基本的RC振荡电路如图1所示，由电容C、电阻R、由反向器I广In (η为偶数)实现的延时单元以及放电管N1组成。假设初始时电容C上极板的电压为0，电路的输出信号OUT也为 0 ；电容C通过电阻R充电，当电容上的电压超过I1的翻转点时，I1的输出变为低电平，经过 η个反向器的延时后，输出信号OUT变为高电平，同时放电管N1打开，给电容C放电，当电容上的电压低于I1的翻转点时OUT变为低电平，放电管关断，如此周而复始实现振荡。从RC 振荡电路的结构和其工作原理可以看出，输出信号OUT的频率不仅受到加工工艺的影响， 而且还随电源电压、环境温度的变化而变化，因此其频率的精度和稳定度较差，仅能用于对频率精度要求不高的场合。因此，电容充放电电流在电源电压和环境温度变化的情况下如何保持恒定，如何保证比较器阈值电压不随电源电压和环境温度波动，以及如何通过结构优化降低集成电路加工制造过程中工艺波动对振荡器频率的影响，成为了摆在振荡电路设计者们眼前的急需解决的难题。
技术实现思路
针对目前的振荡电路不管是采用晶体振荡电路实现，或是采用RC振荡器实现均存在缺陷的问题，申请人经过研究改进，现提供一种高电源抑制比低温飘振荡器，在一定程度上可以替代晶体振荡器，且具有一般RC振荡器无法提供的频率精度和稳定度，可以有效降低系统的加工制造成本，增加系统的可靠性。本专利技术的技术方案如下一种高电源抑制比低温飘振荡器，由恒流恒压产生模块和振荡模块连接构成； 所述恒流恒压产生模块包括带隙基准电路、跟随器以及电流镜；所述带隙基准电路的输出端与跟随器的输入端连接，所述跟随器的输出端与电流镜的输入端连接；所述带隙基准电路的输出端通过电阻分压作为振荡模块中比较器的翻转电平；所述电流镜的输出作为振荡模块中产生恒定电容充电电流的电压偏置；所述振荡模块包括电容、R-S触发器以及两个电压比较器；所述电流镜的输出对所述电容充电并连接所述电压比较器的反向端，带隙基准电路输出端的所述翻转电平连接电压比较器的同向端，所述两个电压比较器的输出被送到所述R-S触发器，所述R-S触发器输出振荡波形。其进一步的技术方案为所述恒流恒压产生模块还包括偏置电路，所述偏置电路的偏置点连接所述带隙基准电路和跟随器中运放的可调端，为所述带隙基准电路和跟随器分别提供工作点。其进一步的技术方案为所述恒流恒压产生模块还包括复位电路，分别连接带隙基准电路、跟随器以及电流镜中MOS管的基极或运放的可调端，用于控制恒流恒压产生模块中的各部分是否工作。其进一步的技术方案为所述振荡模块还包括多级反相器，分别连接在R-S触发器的输入端和输出端。本专利技术的有益技术效果是一、本专利技术通过振荡器的结构设计，使振荡器的振荡频率与电容的放电电流无关；再采用带隙基准制造出和电源电压、环境温度无关的电流源，给电容充电，就可以保证电容充电电流恒定。频率精度和稳定度高，振荡频率随电路工作电压和周围环境温度变化微小。二、进行比较的单元选用比较器，而不是反向器，其翻转点是通过正负输入端设定的不随电源电压和环境温度变化。三、电路中的电阻基本上都是使用比例值，电阻绝对值的变化对电路的影响很小； 电容选用稳定的PIP电容，将工艺对电路的影响降到最低。四、采用CMOS加工工艺，易于集成；不需外加任何引脚和控制信号(可选的复位信号除外，该信号可以将本模块关断，以降低功耗)，电路上电后即可产生频率精度和稳定度远超传统RC振荡电路的脉冲波；在多数场合可以替代晶体振荡电路，可以有效降低整机系统的加工制造成本，提高系统的可靠性。附图说明图1是传统RC振荡电路的原理示意图。图2是本专利技术的原理框图。图3是本专利技术中恒流恒压产生模块的电路图。图4是图3中运放X310的电路图。图5是图3中运放X307的电路图。图6是恒流源偏置电压的仿真波形图。图7是本专利技术中振荡模块的电路图。图8是振荡频率随电源电压变化的仿真波形图。图9是振荡频率随环境温度变化的仿真波形图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做进一步说明。本专利技术的设计思路是产生一个和电源、温度都无关的电流源Ikef，以及一个和电源、温度都无关的电压Vkef，通过电流Ikef对电容充电，与Vkef的分压进行比较，由于充电电流Ikef和比较电压都和电源以及温度无关，因此产生的振荡频率也和电源、环境温度无关。 具体见下面的详细描述。如图2所示，本专利技术由恒流恒压产生模块和振荡模块两部分组成。如图3所示，恒流恒压产生模块主要包括带隙基准电路、跟随器以及电流镜。带隙基准电路的输出端与跟随器的输入端连接，跟随器的输出端与电流镜的输入端连接。带隙基准电路的输出端通过电阻分压作为振荡模块中比较器的翻转电平。电流镜的输出作为振荡模块中产生恒定电容充电电流的电压偏置。还包括偏置电路和复位电路，偏置电路的偏置点连接带隙基准电路和跟随器中运放的可调端，分别为带隙基准电路和跟随器提供工作点；复位电路分别连接带隙基准电路、跟随器以及电流镜中MOS管的基极或运放的可调端， 用于控制恒流恒压产生模块中的各部分是否工作。一、恒压的产生下面结合图3、图4以及图5说明本专利技术电路中恒流和恒压信号的产生。众所周知，带隙基准是电路中常用的不随电压和温度变化的结构。根据带隙基准的原理结合图3的电路图可知，运放X307的输出电压为权利要求1.一种高电源抑制比低温飘振荡器，其特征在于由恒流恒压产生模块和振荡模块连接构成；所述恒流恒压产生模块包括带隙基准电路、跟随器以及电流镜；所述带隙基准电路的输出端与跟随器的输入端连接，所述跟随器的输出端与电流镜的输入端连接；所述带隙基准电路的输出端通过电阻分压作为振荡模块中比较器的翻转电平；所述电流镜的输出作为振荡本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高电源抑制比低温飘振荡器，其特征在于：由恒流恒压产生模块和振荡模块连接构成；所述恒流恒压产生模块包括带隙基准电路、跟随器以及电流镜；所述带隙基准电路的输出端与跟随器的输入端连接，所述跟随器的输出端与电流镜的输入端连接；所述带隙基准电路的输出端通过电阻分压作为振荡模块中比较器的翻转电平；所述电流镜的输出作为振荡模块中产生恒定电容充电电流的电压偏置；所述振荡模块包括电容、Ｒ－Ｓ触发器以及两个电压比较器；所述电流镜的输出对所述电容充电并连接所述电压比较器的反向端，带隙基准电路输出端的所述翻转电平连接电压比较器的同向端，所述两个电压比较器的输出被送到所述Ｒ－Ｓ触发器，所述Ｒ－Ｓ触发器输出振荡波形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈克愈，
申请(专利权)人：无锡海威半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32