环金属化过渡金属络合物及使用其的有机电致发光器件制造技术

提供了由式3表示的环金属化过渡金属络合物：其中M、X、CY1、CY2、CY5和n与在本发明专利技术详述说明书中描述的相同。通过包括新的辅助配体，使用磷光体通过激子对三重态和然后金属对配体电荷转移(MLCT)的系统间过渡(ISC)，所述环金属化过渡金属络合物可有效地发射红光。使用该过渡金属化合物制备的有机发光器件显示出高发光效率和高外量子效率，

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及环金属化过渡金属络合物和使用其制备的有机发光器件，和更特别地，涉及通过三重态金属-至-配体电荷转移(MLCT)可发射红光的环金属化过渡金属络合物，以及所制备的包括含有环金属化过渡金属络合物的有机层的有机发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(有机EL器件)是自发光显示器件，其中当对荧光或磷光有机化合物层(以下，称为有机层)提供电流时，电子和空穴在有机层中结合在一起，从而发射光。有机EL器件重量轻，可使用很少的组件容易地制备，并具有高图像质量和宽视角。此外，它们可实现高度色纯度和活动图像，需要低能耗，并可在低电压下工作。由于这些优点， 它们适于用在便携式电子设备中。在有机EL器件的通常结构中，在基底上形成阳极，和在阳极上顺序地形成空穴传输层、发射层、电子传输层和阴极。空穴传输层、发射层和电子传输层是由有机化合物形成的有机层。现在将详细描述具有该结构的有机发光器件的工作原理。当在阳极和阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴通过空穴传输层移动到发射层，和从阴极注入的电子通过电子传输层移动到发射层。在发射层中，电子和空穴再结合，和因此产生激子，和通过辐射衰变产生具有对应于材料的带隙的波长的光。根据发射机理，将用于形成有机发光器件的发射层的材料分成使用单重态激子的荧光材料和使用三重态激子的磷光材料。这些荧光和磷光材料本身可用来形成发射层，或可将它们掺杂在合适基质材料上以形成发射层。作为电子激发的结果，在基质中形成单重态激子和三重态激子。此时，单重态激子与三重态激子的统计产生率为1 3。当有机发光器件具有由荧光材料形成的发射层时，不使用在其基质中产生的三重态激子。另一方面，当有机发光器件具有由磷光材料形成的发射层时，可使用单重态激子和三重态激子，使得内量子效率达到100% (Baldo等，Nature, Vol. 395，151-154，1998)。因此，具有由磷光材料形成的发射层的有机发光器件比具有由荧光材料形成的发射层的有机发光器件显示出高得多的发光效率。当将重金属如Ir、Pt、1 或Pd引入有机分子中时，通过由于重原子效应发生的自旋轨道耦合，三重态和单重态混合在一起，由此即使在室温下也能进行禁止的跃迁 (transition)并有效地发射磷光。最近，已使用磷光材料开发了内量子效率可达到100%的绿光发射材料。尽管作为使用磷光材料的高效发射材料正在开发包含过渡金属如铱或钼的过渡金属络合物，它们的发光效率并不适用于具有低能耗的高效全色显示器或白光发射应用。特别地，如果实现约31m/W的发光效率可实现用于全色显示器的红光发射，但目前，最大发光效率仅仅达到低至llm/W。因此，在红光发射材料的开发中，需要通过克服该常规技术限制，开发具有改善的发光特性的红光发射材料。
技术实现思路
本专利技术提供通过三重态金属-至-配体电荷转移(MLCT)有效发射红光的环金属化过渡金属络合物。本专利技术还提供有效发射红光的有机发光器件。根据本专利技术的一个方面，提供式1或式2表示的环金属化过渡金属络合物权利要求1.式3表示的环金属化过渡金属络合物 <式3>2.权利要求1的环金属化过渡金属络合物，其中该第一单阴离子双齿螯合配体选自下式表示的配体3.权利要求1的环金属化过渡金属络合物，其中该双阴离子四齿螯合配体选自下式表示的配体4.权利要求1的环金属化过渡金属络合物，其中M是Ru、Rh, Os、Ir、Pt或Au。5.权利要求4的环金属化过渡金属络合物，其中M是Ir。6.权利要求2的环金属化过渡金属络合物，其是下式9-10之一表示的络合物 <式9>7.包含插入到一对电极之间的有机层的有机发光器件，所述有机层包含权利要求1-6任一项的环金属化过渡金属络合物。8.权利要求7的有机发光器件，其中该有机层还包含选自一种或多种聚合物基质、聚合物基质和低分子量基质的混合物、低分子量基质和非发光聚合物基体中的至少一种材料。9.权利要求7的有机发光器件，其中该有机层还包含绿光发射材料或蓝光发射材料。全文摘要提供了由式3表示的环金属化过渡金属络合物其中M、X、CY1、CY2、CY5和n与在本专利技术详述说明书中描述的相同。通过包括新的辅助配体，使用磷光体通过激子对三重态和然后金属对配体电荷转移(MLCT)的系统间过渡(ISC)，所述环金属化过渡金属络合物可有效地发射红光。使用该过渡金属化合物制备的有机发光器件显示出高发光效率和高外量子效率，文档编号H01L51/54GK102344465SQ20111020810公开日2012年2月8日 申请日期2007年2月7日 优先权日2006年2月11日专利技术者夫龙淳, 孙永睦, 崔炳基, 朴钟辰, 权五炫, 柳利烈, 田村真一郎, 边煐勋, 达斯·R·雷吉尼, 金禧暻 申请人:三星移动显示器株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．式３表示的环金属化过渡金属络合物：其中Ｍ是过渡金属，是第一单阴离子双齿螯合配体，是双阴离子四齿螯合配体，并由下式表示：其中，Ｘ各自独立为Ｃ、Ｓ、Ｏ或Ｎ，ＣＹ１、ＣＹ２和ＣＹ５是芳族或脂族环，ｎ是１或２，Ｚ是Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ或Ｐ，ｑ是０－５的整数，和Ｒ１和Ｒ２各自独立为氢、卤素、ＯＨ、ＣＦ３、ＣＮ、甲硅烷基、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氨基或亚芳基，其中相邻的Ｒｓ稠合到一起形成５－７元脂族或芳族环。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：边煐勋，金禧暻，夫龙淳，田村真一郎，达斯·R·雷吉尼，朴钟辰，崔炳基，柳利烈，权五炫，孙永睦，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR