双V型双频天线制造技术

本发明专利技术公开一种双V型双频天线，其包括基板，斜向设置于基板一表面上并具有接地端的第一导体臂，与第一导体臂不等长的第二导体臂，其以一端与第一导体臂连接并平行地位于该第一导体臂一侧，与第一导体臂等长且相间隔地对称设置于该基板上的一镜射导体臂，其具有与该接地端相邻的馈入端，并与第一导体臂之间具有一张角θ，以及与第二导体臂等长且相间隔地对称设置于基板上的第二镜射导体臂，由此，第一导体臂与第一镜射导体臂共同组成V型共振路径可共振于一第一频段，且第二导体臂与第二镜射导体臂共同组成另一V型共振路径可共振于一不同于该第一频段的第二频段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双频天线，特别是涉及一种外接型式的双V型双频天线。
技术介绍
外接天线主要用于辅助无线装置，以增加其信号接收能力，因此，外接天线须具备高增益的特点，但在增加天线增益的同时，又往往要牺牲天线辐射场型的全向性，因此一般全向性天线的增益都不高。参见图1及图2，是现有一种高增益全向性天线100的正面图与反面图，为了提高增益，其以串接的方式串接开路式偶极天线，并具有设于天线基板1正面的信号馈入部10、 金属线路11与辐射单元20，以及设于天线基板1反面的信号馈入部10、金属线路12与辐射单元30。且为了让串接的辐射单元20、30能阻抗匹配，因此制作较宽的金属线路11、12来传递信号，但较宽的金属线路11、12会缩短金属线路11、12与辐射单元20、30之间的间距， 导致金属线路11、12上传递的信号耦合到辐射单元20、30，而影响到辐射单元20、30之间的阻抗匹配，并使频带的宽度受到限制。然而，若为了避免金属线路11、12与辐射单元20、30 之间的耦合效应，而增加金属线路11、12与辐射单元20、30之间的间距，却又容易造成天线的指向性过高。因此，如何设计一种兼具高增益和全向性辐射场型的天线，成为本专利技术主要研发的课题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种兼具高增益和全向性辐射场型的双V型双频天线。为达到上述目的，本专利技术提供一种双V型双频天线，其包括一基板、一第一导体臂、一第二导体臂、一第一镜射导体臂及一第二镜射导体臂。第一导体臂斜向设置于基板上并具有一接地端；第二导体臂设置于基板上并包含第一辐射段及第二辐射段，第一辐射段一端与第一导体臂连接，第二辐射段一端与第一辐射段另一端连接，并与第一导体臂平行地位于第一导体臂一侧；第一镜射导体臂与第一导体臂等长且相间隔地对称设置于基板上，其具有一与接地端相邻的馈入端，并与第一导体臂之间具有一张角θ ；第二镜射导体臂与第二导体臂等长且相间隔地对称设置于基板上， 并包含第三辐射段及第四辐射段，第三辐射段一端与第一镜射导体臂连接，并与第一辐射段相邻且平行，第四辐射段一端与第三辐射段另一端连接，并与第一镜射导体臂平行地位于第一镜射导体臂一侧，而与第二辐射段相对称。较佳地，第一导体臂的长度大于第二导体臂的第二辐射段，且第一导体臂与第一镜射导体臂所组成的一 V型共振路径可共振于一第一频段，第二导体臂与该第二镜射导体臂所组成的另一 V型共振路径可共振于一高于第一频段的第二频段。且较佳地，该第一频段为2. 5GHz 2. 7GHz，该第二频段为3. 4GHz 3. 6GHz。其中，第一辐射段与第三辐射段之间具有一第一间距，第一导体臂与第二导体臂 的第二辐射段之间具有一第二间距，改变第一间距可调整第二频段的频宽及増益，改变第 ニ间距可调整第一频段和第二频段的阻抗匹配并微调第二频段的共振频率，且第二间距介 于1/30 λ ho 1/5 λ hO，其中λ ho为第二频段真空波长。较佳地，第一导体臂与第一镜射导体臂具有一第一寬度，第二导体臂与第二镜射 导体臂具有一第二宽度，改变第一宽度可微调第一频段的频宽，改变第二宽度可微调第二 频段的频宽。较佳地，本专利技术的双V型双频天线更包括一同轴传输线，同轴传输线的一信号正 端电气连接该馈入端，同轴传输线的一信号负端电气连接该接地端。较佳地，本专利技术的双V型双频天线更包括一平衡非平衡转换器，平衡非平衡转换 器的一端连接第一镜射导体臂，其另一端连接该同轴传输线的信号负端。较佳地，本专利技术的双V型双频天线的第一导体臂的共振长度约为第一频段的中心 频率的1.5倍波长，第二导体臂的第二辐射段的共振长度约为第二频段的中心频率的1.5 倍波长。较佳地，本专利技术的双V型双频天线可通过下列公式求得张角θ的近似值，以得到 最佳阻抗匹配0 = 152(|)2 -388(を+ 324 ,0.5λ彡h彡1. 5 λ，其中h是第二导体臂的第ニ辐射段长度。较佳地，本专利技术的双V型双频天线也可设计成第一导体臂与第二导体臂的第二辐 射段不等长，且第一导体臂与第一镜射导体臂共同組成的一V型共振路径可共振于ー第一 频段，第二导体臂与第二镜射导体臂所组成的另ーV型共振路径可共振于ー不同于该第一 频段的第二频段。本专利技术的功效在于通过V型天线具有高増益及全向性场型的特性，并联馈入两 共振路径，使天线可以工作在两个不同频段，并同时兼具高増益及全向性场型。附图说明图1是现有一种高增益全向性天线的正面图；图2是现有一种高增益全向性天线的反面图；图3是本专利技术双V型双频天线的一较佳实施例的构造示意图； 图4是本实施例的电压驻波比图；图5至图7是本实施例操作在低频频段的辐射场型图；及图8至图10是本实施例操作在低频频段的辐射场型图。主要元件符号说明3平衡非平衡转换器4基板5第一导体臂6第二导体臂7第一镜射导体臂8第二镜射导体臂9同轴传输线40表面41长边42短边51接地端61第’一辐射段62第二辐射段71馈,入端81第三辐射段82第四辐射段91信号正端(内导体)92信号负端(外导体)θ张角Ll第’一长度L2第二长度L3第:三长度Wl第一宽度W2第―一宽度gl第一间距g2第―二间距具体实施例方式有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图的一个较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。参阅图3，是本专利技术双V型双频天线的一较佳实施例，其包括一基板4、一第一导体臂5、一第二导体臂6、一第一镜射导体臂7及一第二镜射导体臂8。基板4大概呈长方形，且在本实施例是使用一微波基板，但并不以此为限。第一导体臂5在基板4的中央，由基板4的一长边41往一短边42斜向延伸设置于基板4的一表面40上，并具有一邻近长边41的接地端51，在本实施例中第一导体臂5是一长直导线并具有一第一长度Ll和一第一宽度Wl。第二导体臂6设置于基板4的表面40上，并包含一第一辐射段61及一第二辐射段62。第一辐射段61是一长直导线并具有一第二长度L2和一第二宽度W2，其与基板4的长边41大概呈垂直，且其一端与第一导体臂5连接，并靠近接地端51。第二辐射段62是一长直导线并具有一第三长度L3和第二宽度W2。第二辐射段62的一端与第一辐射段61另一端连接，并与第一导体臂5平行地位于第一导体臂5的远离基板长边41的一侧。在本实施例中第一长度Ll大于第二长度L2及第三长度L3，且第三长度L3大于第二长度L2。第一镜射导体臂7是一长直导线，并与第一导体臂5等长且相间隔地对称设置于基板4的表面40上，其具有一与接地端51相邻的馈入端71，并与第一导体臂5之间具有一张角Θ。第一镜射导体臂7同样具有第一长度Ll和第一宽度Wl。第二镜射导体臂8与第二导体臂6等长且相间隔地对称设置于基板4的表面40 上，并包含一第三辐射段81及一第四辐射段82。第三辐射段81垂直于基板长边41并与第一辐射段61等长且等宽，其一端与第一镜射导体臂7连接，并与第一辐射段61相邻且平行；第四辐射段82是一长直导线并与第二辐射段62等长且等宽，其一端与第三辐射段81 另一端连接，并与第一镜射导体臂7平行地位于第一镜射导体臂7的远离基板长边41的一侧，而与第二辐射段62相对称。通过上述天线结构，第一导体臂5与第一镜射导体臂7共同组成一 V型共振路径可共振于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双Ｖ型双频天线，包括：基板；第一导体臂，斜向设置于该基板上并具有一接地端；第二导体臂，设置于该基板上并包含第一辐射段及第二辐射段，该第一辐射段一端与该第一导体臂连接，该第二辐射段一端与该第一辐射段另一端连接，并与该第一导体臂平行地位于该第一导体臂一侧；第一镜射导体臂，与该第一导体臂等长且相间隔地对称设置于该基板上，其具有一与该接地端相邻的馈入端，并与第一导体臂之间具有一张角θ；及第二镜射导体臂，与该第二导体臂等长且相间隔地对称设置于该基板上，并包含第三辐射段及第四辐射段，该第三辐射段一端与该第一镜射导体臂连接，并与该第一辐射段相邻且平行，该第四辐射段一端与该第三辐射段另一端连接，并与该第一镜射导体臂平行地位于该第一镜射导体臂一侧，而与该第二辐射段相对称。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱建评，翁丰仁，颜一平，吴晓薇，
申请(专利权)人：广达电脑股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71