一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法，具体实施态样之一是由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计；另外一种具体实施态样则是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计，通过这些设计便可在散热基座上分别配置不同型式的发光二极管芯片，由此可以达成同时使用不同型式发光二极管芯片的技术功效。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管支架结构制成方法，尤其是指一种由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架，或是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架，使散热基座上可分别配置不同型式的发光二极管芯片的发光二极管支架结构制成方法。
技术介绍
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。通常发光二极管芯片是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD)或是芯片倒装接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上，请参考图1 所示，图1绘示为第一种公知的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。在具有凹陷部82的胶座81中，埋入有至少二支架83，各支架83部分是分别暴露在胶座81的凹陷部82内，并且各个支架83部分分别延伸出胶座81的两侧，即可形成电性连接部84，由电性连接部84以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接。接着，再通过表面黏贴技术将发光二极管芯片85固接于暴露在胶座81的凹陷部 82内支架83其中之一，以及通过打线接合技术或是芯片倒装接合技术使发光二极管芯片 85可以通过电性导线86与另一支架83形成电性连接，最后，再于胶座81的凹陷部82上形成封装胶体87，封装胶体87即可以覆盖于凹陷部82内的发光二极管芯片85及支架83。然而，上述发光二极管支架结构对于发光二极管芯片85的散热，则是通过固接发光二极管芯片85的支架83对发光二极管芯片85提供散热，并且支架83又提供发光二极管芯片85的电性连接的多重功能，这会导致支架83对发光二极管芯片85的散热效率不足， 因此，这种方式无法适用于高功率的发光二极管芯片85。因此，则提出一种电热分离式发光二极管支架结构，并请参考图2所示，图2绘示为第二种公知的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置俯视示意图。在具有凹陷部82的胶座81中，埋入有散热基座88以及至少二支架83，散热基座 88以及各支架83部分是分别暴露在胶座81的凹陷部82内，并且各个支架83部分分别延伸出胶座81的两侧，即可形成电性连接部84，电性连接部84以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接。接着，再通过表面黏贴技术将发光二极管芯片85固接于暴露在胶座81的凹陷部 82内散热基座88，以及通过打线接合技术或是芯片倒装接合技术使发光二极管芯片85可以通过电性导线86分别与支架83形成电性连接，最后，再于胶座81的凹陷部82上形成封装胶体87，封装胶体87即可以覆盖于凹陷部82内的发光二极管芯片85、散热基座88及支架83。通过上述的发光二极管支架结构在胶座81中分别埋入散热基座88以及支架83， 即可以有效的对发光二极管芯片85的散热以及电性连接分离设计，即胶座81中所埋入的散热基座88是用以提供发光二极管芯片85的散热，而胶座81中所埋入的支架83是用以提供发光二极管芯片85的电性连接，即可提高发光二极管芯片85的散热效率，以解决第一种公知的发光二极管支架结构所产生的问题。但是，由于现有第二种公知的发光二极管支架结构在胶座81中仅埋入一个散热基座88，当在散热基座88上设置复数发光二极管芯片85时，需要使用同样型式(PNP type 或是NPN type)的发光二极管芯片85，即需要使用正负型式即相同的发光二极管芯片85， 这样子才能将多个发光二极管芯片85设置于散热基座88上，对于发光二极管芯片85的使用以及电性连接都会被受到限制。综上所述，可知公知技术中长期以来一直存在散热基座上设置复数发光二极管芯片时，必须使用相同型式的发光二极管芯片，使发光二极管芯片的使用受限制的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以克服公知技术存在的散热基座上设置复数发光二极管芯片时，必须使用相同型式的发光二极管芯片，使发光二极管芯片的使用受限制的缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供的，在第一实施态样中包含下列步骤首先，于散热板上形成至少二散热基座；接着，于支架板上形成至少二组导电支架；接着，散热板与支架板相互耦合，以使至少二散热基座设置于至少二组导电支架间，且至少二散热基座与至少二组导电支架不相连；最后，至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外。如上所述的，其中于散热板上形成至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成至少二散热基座，并且于支架板上形成至少二组导电支架的步骤是由冲压工艺以形成至少二组导电支架。如上所述的，其中至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外的步骤中，至少二散热基座部分暴露于凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片分别与部分暴露于凹陷部的任一组导电支架形成电性连接，在胶座的凹陷部更覆盖有封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，以形成SMD发光二极管。本专利技术提供的，包含下列步骤首先，制成具有二种厚度差异的厚薄板；接着，于厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座；接着，于厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架，且至少二组导电支架与至少二散热基座不相连；最后，至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外。如上所述的，其中于厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成至少二散热基座，并且于厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架，且至少二组导电支架与至少二散热基座不相连的步骤是由冲压工艺以形成至少二组导电支架。如上所述的，其中至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外的步骤中，至少二散热基座部分暴露于凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片分别与部分暴露于凹陷部的任一组导电支架形成电性连接，在胶座的凹陷部还覆盖有封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，以形成SMD发光二极管。本专利技术提供的制成方法如上，与公知技术之间的差异在于本专利技术具体实施态样之一是由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计；另外一种具体实施态样则是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计，并且可以同时使用不同型式的发光二极管芯片，即可以将不同型式的发光二极管芯片分别配置于散热基座上，并分别与不同的导电支架组形成电性连接， 即可以自由选用不同型式的发光二极管芯片，以避免发光二极管芯片使用上的限制。通过上述的技术手段，本专利技术可以达成同时使用不同型式发光二极管芯片的本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其包含下列步骤：于一散热板上形成至少二散热基座；于一支架板上形成至少二组导电支架；该散热板与该支架板相互耦合，以使该至少二散热基座设置于该至少二组导电支架间，且该至少二散热基座与该至少二组导电支架不相连；及该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于一胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林士杰，陈立敏，陈咏杰，
申请(专利权)人：一诠精密电子工业中国有限公司，一诠精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。