晶圆检测系统技术方案

一种晶圆检测系统，用于至少一个晶圆在一反应槽内与一流体进行反应时的晶圆数量检查，包括：与一晶圆承载装置连接的一升降装置，其用以控制晶圆承载装置垂直进出反应槽的一槽口；设置于反应槽上方的一光源装置；设置于反应槽上方的一影像撷取装置，用以对反应前与反应后位于槽外的晶圆撷取至少两个影像；以及与影像撷取装置电性连接的一主机，用以储存并处理上述影像，并依据上述影像分析晶圆的数量。本实用新型专利技术的影像撷取装置设置于反应槽外用以对反应前后的晶圆撷取比对影像，以分析晶圆数量和/或晶圆状态，从而实现生产控制。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种检测系统，特别涉及一种应用在半导体湿制程或干制程中检测晶圆数量的晶圆检测系统。
技术介绍
一般半导体组件的制造方法包括不同的加工步骤，包括沉积、微影、蚀刻、离子布植等步骤。晶圆在制程步骤及/或传送的过程中，可能因为移动机械定位不精确而产生位移甚至破损。破损的晶圆可能会污染及/或损害其它晶圆和制造设备，进而影响到半导体组件制造的方法。这些问题必需及早发现，以免造成晶圆移动装置的夹头、晶圆承载器、或制程贮槽本身等积聚更严重的损害。此外，晶圆破损的碎片也会刮伤后续的晶圆并损失良率。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术目的之一是提供一种晶圆检测系统，利用将影像撷取装置设置于反应槽外，用以对反应前及反应后的晶圆撷取比对影像，并经由主机分析而得知晶圆数量，从而达到生产控制。为了达到上述目的，本技术一实施例的一种晶圆检测系统，用于至少一个晶圆在一反应槽内与一流体进行反应时的晶圆数量检查，晶圆检测系统包括用以装载晶圆的一晶圆承载装置；与晶圆承载装置连接的一升降装置，用以控制晶圆承载装置垂直进出反应槽的一槽口，其中晶圆承载装置的位置被升降装置控制在一槽外位置及一槽内位置； 设置于反应槽上方的一光源装置，用以对位于槽口上方的晶圆提供一光源；设置于反应槽上方的一影像撷取装置，用以对位于槽口上方的晶圆撷取一第一影像及一第二影像，其中第一影像为晶圆反应前，位于槽外位置的晶圆承载装置上的晶圆的边缘影像，而第二影像为晶圆反应后，位于槽外位置的晶圆承载装置上的晶圆的边缘影像；以及与影像撷取装置电性连接的一主机，用以储存并处理第一影像及第二影像，并依据第一影像与第二影像分析晶圆的一数量。其中，所述光源装置包括红外线光源及雷射光源。其中，以所述晶圆承载装置正上方为一中心轴，所述光源装置的位置以所述中心轴为中心倾斜一第一夹角。其中，所述影像撷取装置为一光电耦合组件或互补式金属氧化物半导体传感器。其中，以所述晶圆承载装置正上方为一中心轴，所述影像撷取装置的位置以所述中心轴为中心倾斜一第二夹角。其中，所述影像撷取装置对所述晶圆撷取全幅影像或部分影像。其中，所述影像撷取装置还包含对位于所述槽外位置的所述晶圆承载装置撷取一第一承载装置影像及一第二承载装置影像，其中所述主机含有一控制模块，所述控制模块用以控制所述影像撷取装置在所述晶圆反应前用以分别对位于槽外位置且未设置晶圆的所述晶圆承载装置撷取所述第一承载装置影像；对位于所述槽外位置且已卸除晶圆的所述晶圆承载装置撷取所述第二承载装置影像；及所述主机依据所述第一承载装置影像与所述第二承载装置影像分析所述晶圆的一完整状态。其中，所述主机具有一影像处理模块，该影像处理模块用以比较影像处理后的所述第一影像及所述第二影像以输出所述数量；及所述影像处理模块用以比对影像处理后的所述第一承载装置影像和所述第二承载装置影像以分析所述晶圆的所述完整状态。其中，所述主机具有一数据库模块用以储存经由人工智能模式建模、训练与测试所得到的一验证影像集合，所述验证影像集合用以与所述第二影像比对以输出所述数量； 及所述数据库模块用以储存经由人工智能模式建模、训练与测试所得到的一承载装置验证影像集合，所述承载装置验证影像集合用以与所述第二承载装置影像比对以分析所述晶圆的所述完整状态。以下藉由具体实施例配合附图详加说明，当更容易了解本技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。附图说明图1为本技术一实施例的晶圆检测系统的示意图。图2为本技术一实施例的晶圆检测系统的示意图。图3A、图;3B及图3C分别为本技术不同实施例的光源:设位置的示意图。图4为本技术又一实施例的晶圆检测系统的示意图。图5为本技术又一实施例的晶圆检测系统的示意图。主要组件符号说明10晶圆12边缘20反应槽22槽口30流体40晶圆承载装置50升降装置60光源装置70影像撷取装置80主机82影像处理模块84数据库模块86控制模块A” A2、B” B2夹角Ρι>Ρ2位置χ中心轴具体实施方式其详细说明如下，所述优选实施例仅做一说明而非用以限定本技术。本技术一实施例的晶圆检测系统，请参考图1，晶圆检测系统用于至少一个晶圆10在反应槽20内与流体30进行反应时的晶圆数量检查，其中所进行的反应包括半导体湿制程以及干制程的制程步骤所需的反应；而反应槽包括但不限于化学槽、水槽或是干燥槽；流体30包括但不限于化学液体、水及化学气体。如图1所示，晶圆检测系统包括晶圆承载装置40，用以装载晶圆10 ；与晶圆承载装置40连接的一升降装置50，其用以控制晶圆承载装置40垂直进出反应槽20的槽口 22，其中晶圆承载装置40的位置被升降装置50控制在槽外位置P1及槽内位置P2 ；设置于反应槽20上方的包括但不限于红外线光源或雷射光源的一光源装置60，用以对位于槽口 22上方的槽外位置P1的晶圆10提供光源；设置于反应槽20上方的一影像撷取装置70，用以对位于槽口 22上方的槽外位置P1的晶圆10撷取第一影像及第二影像，其中第一影像为晶圆反应前位于槽外位置P1的晶圆承载装置40 上的晶圆10的边缘12影像，而第二影像为晶圆反应后位于槽外位置P1的晶圆承载装置40 上的晶圆10的边缘12影像；以及与影像撷取装置70电性连接的一主机80，用以储存并处理第一影像及第二影像，并依据第一影像与第二影像来分析晶圆10的数量或状态。利用影像光学技术检测晶圆的片数，可达到生产控制的效果。此外，本技术在晶圆离开流体后才撷取晶圆影像，例如离开液面的后才撷取，因此可避免因槽内温度或者流体混浊度或光源反光而影响所欲分析的影像质量。而且还可避免置入槽内的影像光学仪器长期受酸气或化学药液的影响而容易毁损。接续上述，在一实施例中，影像撷取装置70为一光电耦合组件或互补式金属氧化物半导体传感器。优选地，影像撷取装置70为工业型高分辨率光电耦合组件，用以高速拍照以及提供良好的分辨率。在实施例中，影像撷取装置70对晶圆10撷取全幅影像，如图2 所示。可以理解的是，依需求，影像撷取装置70亦可对对晶圆10撷取部分影像即可。继续参考图2，影像撷取装置70对晶圆10撷取全幅影像以对晶圆10的边缘12撷取清晰影像，其中可以理解的是，图1所绘示的影像撷取装置70设置于反应槽20上方，此处“上方”包括广义认为反应槽20以上的任何可撷取到晶圆10全幅影像的位置，非狭义定义为影像撷取装置70设置于反应槽20的“正上方”，如图2所绘示的实施例，影像撷取装置70可设置于反应槽20的“后上方”。此外，影像撷取装置70与光源装置60的位置可如图3A、图;3B及图3C所示，具有不同变化，以符合不同环境的机台。其中图3A、图;3B及图3C 因图式角度的关系仅绘示了平行于晶圆的夹角，但可以理解的是，若以晶圆承载装置40正上方的中心轴X为轴心，旋转360度的角度都包括在本技术的技术特征内。首先，在图 3A的实施例中，影像撷取装置70可设置于晶圆承载装置40正上方，且以晶圆承载装置40 正上方为中心轴X，光源装置60的位置以中心轴X为中心倾斜第一夹角，如图中所示的A1 及A2,其中光源装置60提供照射晶圆10的光源，使晶圆10的边缘12反光，经影像撷取装置70撷取影像后，主机8本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶圆检测系统，用于至少一个晶圆在一反应槽内与一流体进行一反应时的晶圆数量检查，其特征在于，所述晶圆检测系统包括：一晶圆承载装置，用以装载所述晶圆；一升降装置，与所述晶圆承载装置连接，用以控制所述晶圆承载装置垂直进出所述反应槽的一槽口，其中所述晶圆承载装置的位置被所述升降装置控制在一槽外位置及一槽内位置；一光源装置，设置于所述反应槽上方，用以对位于所述槽外位置的所述晶圆提供一光源；一影像撷取装置，设置于所述反应槽上方，用以对位于所述槽外位置的所述晶圆撷取一第一影像及一第二影像，其中所述第一影像为所述晶圆反应前，位于所述槽外位置的所述晶圆承载装置上的所述晶圆的边缘影像，而所述第二影像为所述晶圆反应后，位于所述槽外位置的所述晶圆承载装置上的所述晶圆的边缘影像；以及一主机，与所述影像撷取装置电性连接，用以储存并处理所述第一影像及所述第二影像，并依据所述第一影像与所述第二影像分析所述晶圆的一数量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢宏亮，许明棋，冯传彰，沈信民，
申请(专利权)人：辛耘企业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71