衬底处理系统以及衬底搬送方法技术方案

本发明专利技术涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（100）具有主搬送线（20）和副搬送线（30），该主搬送线（20）是在系统的整体中进行晶片的搬送以及与各处理部的衬底交接的第一自动衬底搬送线，该副搬送线（30）是进行在光刻处理部（1a）内的晶片的搬送的第二自动衬底搬送线。副搬送线（30）设置成与主搬送线（20）独立的搬送系统，OHT（31）围绕形成为环状的副搬送线（30）移动，向光刻处理部（1a）内的各处理装置搬送晶片，在与各处理装置之间进行晶片的交接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体晶片等的被处理衬底进行包括光刻工序的处理的。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，为了在半导体晶片(以下有时记为“晶片”)上进行图案形成，反复进行光刻工序。在光刻工序中，进行在半导体晶片表面上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对涂敷抗蚀剂后的晶片使用曝光掩模进行曝光的曝光处理和对曝光后的晶片进行显影的显影处理。另外，在曝光处理之前进行曝光前烘焙(PAB)处理、在曝光处理之后进行曝光后烘焙(Post Exposure Bake :PEB)处理。在半导体制造工艺中，光刻工序在连接到工厂内的自动搬送系统(AMHS; Automated Material Handling Systems 自动材料处理系统)的光刻处理部中进行。以往， 光刻处理部如下构成受工艺上的制约，串联配置抗蚀剂涂敷显影处理装置，将此作为一个单位在与所述AMHS之间能够交接晶片W (例如，特开2000-1M124号公报(第0027段、图2 等))。在这种以往的装置布局中，被AMSH盒搬送来的多张晶片以盒为单位交接到光刻处理部的抗蚀剂涂敷显影处理装置中。然后，通过抗蚀剂涂敷显影处理装置从盒中一张一张取出晶片W，进行抗蚀剂涂敷、曝光、显影等一系列处理。但是，由于对应于半导体装置的技术点、即微细化的进展，所以，最近正在开发双重曝光等新技术。双重曝光是如下这样的技术对涂敷抗蚀剂后的晶片例如以预定的线宽进行曝光处理后，使掩模的位置偏移进行第二次的曝光处理，从而使线宽微细化，提高分辨率。但是，在双重曝光技术中，如文字那样进行两次曝光处理，所以光刻工序所需要的时间以单纯计算变为两倍，有可能大幅度降低半导体装置制造的生产能力(throughput)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够以高效率实施光刻工序中的各处理的。本专利技术的第一观点提供一种衬底处理系统，该衬底处理系统是对被处理衬底进行包括光刻工序的处理的衬底处理系统，具有第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中的一系列处理；第二自动衬底搬送线，在所述光刻处理部的各处理装置之间进行被处理衬底的搬送。在上述第一观点中，优选所述第二自动衬底搬送线是与所述第一自动衬底搬送线独立的循环式的衬底搬送线。在该情况下，优选具有第一自动衬底搬送装置，在所述第一自动衬底搬送线上移动，并在与所述各处理部之间进行被处理衬底的交接；第二自动衬底搬送装置，在所述第二自动衬底搬送线上移动，在所述光刻处理部的各处理装置之间进行被处理衬底的交接。另外，所述第一自动衬底搬送装置和所述第二自动衬底搬送装置可以是将多张被处理衬底容纳在容器中进行搬送的容器搬送装置。或者，所述第一自动衬底搬送装置是将多张被处理衬底容纳在容器中进行搬送的容器搬送装置，所述第二自动衬底搬送装置是一张一张地搬送被处理衬底的片材搬送装置也可以。另外，优选所述衬底处理系统具有第一控制部，控制所述第一自动衬底搬送线上的被处理衬底的搬送；第二控制部，控制所述第二自动衬底搬送线上的被处理衬底的搬送。另外，所述光刻处理部可以具有抗蚀剂涂敷处理装置、曝光处理装置和显影处理装置。在该情况下，在所述光刻处理部中，也可以至少所述抗蚀剂涂敷处理装置和所述显影处理装置以能够分别在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置。 或者，在所述光刻处理部中，所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光装置和所述显影处理装置以能够分别在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置也可以。或者，在所述光刻处理部中，所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光处理装置和所述显影处理装置以能够分别单独地经由衬底交接端口在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成也可以。另外，优选以所述曝光处理装置的设置数量相对于所述抗蚀剂涂敷处理装置的设置数量为1 :2的比率的方式配置。另外，优选曝光后烘焙处理装置与所述曝光处理装置相邻配置。另外，优选所述光刻处理部是通过双重曝光技术进行图案形成的处理部。本专利技术的第二观点提供衬底搬送方法，该衬底搬送方法是在对被处理衬底进行包括光刻工序的衬底处理系统中搬送被处理衬底的衬底搬送方法，所述衬底处理系统具有 第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送；循环式的第二自动衬底搬送线，以能够在与所述第一自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，并且专用于进行所述光刻工序中的一系列处理的光刻处理部，在所述光刻处理部中，利用所述第二自动衬底搬送线在各处理装置之间进行被处理衬底的搬送。在上述第二观点中，优选在所述光刻处理部中，至少所述抗蚀剂涂敷处理装置和所述显影处理装置以能够分别在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置，根据各处理装置的运转状态，选择从所述第二自动衬底搬送线搬入被处理衬底的搬入目的地。在所述第一自动衬底搬送线和所述第二自动衬底搬送线中，将多张被处理衬底容纳在容器中进行搬送，在所述第二自动衬底搬送线和所述光刻处理部的各处理装置之间， 在容纳在所述容器中的状态下进行被处理衬底的交接也可以。另外，在所述第一自动衬底搬送线中，将多张被处理衬底容纳在容器中进行搬送， 在所述第二自动衬底搬送线中，一张一张地搬送被处理衬底，并且，在所述第二自动衬底搬送线和所述光刻处理部的各处理装置之间，一张一张地进行被处理衬底的交接也可以。本专利技术的第三观点提供一种控制程序，在计算机上工作，以在执行时进行上述第二观点的衬底搬送方法的方式控制所述衬底处理系统。 本专利技术的第四观点提供一种计算机可读取的存储介质，该计算机可读取的存储介质存储在计算机上工作的控制程序，所述控制程序以在执行时进行上述第二观点的衬底搬送方法的方式控制所述衬底处理系统。附图说明图1是表示第一实施方式的衬底处理系统中的光刻处理部的装置布局的图。图2是抗蚀剂涂敷处理装置的平面图。图3是图2示出的抗蚀剂涂敷处理装置的主视图。图4是图2示出的抗蚀剂涂敷处理装置的后视图。图5是PEB处理装置的平面图。图6是图5示出的PEB处理装置的主视图。图7是图5示出的PEB处理装置的后视图。图8是显影处理装置的平面图。图9是图8示出的显影处理装置的主视图。图10是图8示出的显影处理装置的后视图。图11是表示第一 MES的结构的框图。图12是表示第二实施方式的衬底处理系统中的光刻处理部的装置布局的图。图13是表示第三实施方式的衬底处理系统中的光刻处理部的装置布局的图。图14是表示第四实施方式的衬底处理系统中的光刻处理部的装置布局的图。具体实施例方式本专利技术人员在本专利技术的开发过程中，对在对半导体晶片等的被处理衬底进行包括光刻工序的处理的以往的衬底处理系统中发生的问题进行了研究。其结果是，本专利技术人员得到如下所述的见解。S卩，如上所述，为了提高微细化发展的半导体装置制造的生产性，在将来光刻工序中的生产能力的提高成为重要的课题。具体地说，考虑如下在采用例如上述双重曝光技术的情况下，若不使光刻工序的处理能力按照目前的时间从100 150张(晶片)增加至两倍约200 300张(晶片)，则不能够维持与目前相同水平的生产性。但是，在为了提高在光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种衬底处理系统，对被处理衬底进行包括光刻工序的处理，具备：第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中的一系列处理；以及第二自动衬底搬送线，在所述光刻处理部的各处理装置之间进行被处理衬底的搬送，所述第一自动衬底搬送线以如下方式构成：将多个被处理衬底容纳在容器中而进行搬送的容器搬送装置在其上移动，在与所述各处理部之间进行被处理衬底的交接，所述第一自动衬底搬送线分别与所述光刻处理部的多个处理装置直接连接，所述第二自动衬底搬送线以如下方式构成：利用循环式的传送带一个一个地搬送被处理衬底，该循环式的传送带从所述第一自动衬底搬送线独立且形成为环状，所述第二自动衬底搬送线通过具有衬底操纵机械手的交接部分别与所述光刻处理部的所述多个处理装置连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本雄一，山口忠之，杂贺康仁，山田善章，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP