半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术是有关于一种半导体封装结构，包括一晶粒、一导线架以及一粘晶胶层。导线架由内而外依序界定有一粘晶部、一中间部及一引脚部，其中粘晶部凹设有多个沟道，位于晶粒正下方。粘晶胶层填充于多个沟道，且粘附晶粒。由此，在抑制粘晶胶层的脱层情形的同时，也提供更多晶粒边缘与引脚部之间可用空间。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种半导体封装结构，尤指一种适用于四方形平面无引脚封装 (Quad Flat Non-leaded ;QFN)、可减少脱层问题的半导体封装结构。
技术介绍
现有半导体晶粒是以一绝缘热固性树脂的封胶体(Encapsulated body)密封，用以保护芯片免于外界环境的侵害，并以导线架作为半导体封装的芯片与印刷电路板的电性连接，例如外引脚在封装体四周边的四方形平面无引脚封装(QFN)。参考图1，为一种现有半导体封装结构部分剖视图。图标的现有封装结构是先在导线架1用以承载晶粒3的平面上直接涂布一粘晶胶层4，再将晶粒3置于粘晶胶层4上，达到粘着固定晶粒3的目的。为确保粘着性足够通常会规定粘晶胶材料需溢出晶粒3边缘一特定距离D。此种现有封装结构的缺点在于溢出晶粒3边缘的粘晶胶材料会有沾染到导线架1的引脚部2的可能性。参考图2，为另一种现有半导体封装结构部分剖视图。图标的现有封装结构是在导线架5上、晶粒8边缘以外的部位凹设一沟道7，使得涂布粘晶胶层9于导线架5、并置放晶粒8后，粘晶胶材料可溢流至沟道7内，由此减少粘晶胶材料沾染到导线架引脚部6的情形。然而，此种现有封装结构因沟道7所占位置减少了打线(wire bonding)的可用空间。
技术实现思路
本技术的主要目的是在提供一种半导体封装结构，能在减少脱层问题的前提下，提升打地线的可用空间。达成上述目的，本技术的半导体封装结构包括一晶粒、一导线架以及一粘晶胶层。上述导线架由内而外依序界定有一粘晶部、一中间部及一引脚部，其中粘晶部凹设有多个沟道，且沟道是特别设置于晶粒正下方。上述粘晶胶层是一方面填满于多个沟道， 一方面粘附着晶粒，使晶粒相对固定在导线架上。上述多个沟道可为U形沟道，而粘晶部的平面可较中间部为低，由此更进一步提升粘晶胶层粘合度。上述多个沟道亦可为其它形状，例如为多个直斜面沟道，且同样地，粘晶部的平面可较中间部为低。上述多个沟道可以设计成各种类型几何，凹设排列于粘晶部的表面。例如，以平视观察呈一多层次口形排列、呈X形，或者是一 X形沟道、围绕X形沟道的一外侧口形沟道以及交错于X形沟道的一内侧口形沟道的组合。导线架材质可为合金。晶粒可以是透过一引线连接于引脚部。本技术的有益效果通过上述结构设计，粘晶胶层因多个沟道而提升结合强度，抑制了其与导线架间的脱层情形。此外，因为原晶粒边缘至引脚部的沟道移设于粘晶部，故晶粒边缘与引脚部之间的空间可以更为弹性地运用，例如，引线连接晶粒边缘与引脚部之间的距离可缩短，增加引线连接强度，另，引线的成本亦可节省。附图说明图1是现有半导体封装结构部分剖视图。图2是另一种现有半导体封装结构部分剖视图。图3是本技术第一较佳实施例的粘晶前半导体封装结构俯视图。图4是本技术第一较佳实施例的粘晶后半导体封装结构俯视图。图5是本技术第一较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。图6是本技术第二较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。图7是本技术第三较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。图8是本技术第四较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。图9是本技术第五较佳实施例的粘晶前半导体封装结构俯视图。图10是本技术第六较佳实施例的粘晶前半导体封装结构俯视图。主要元件符号说明导线架1，5引脚部2，6晶粒3，8粘晶胶层4，9沟道7特定距离D导线架10粘晶部 11，30，36，41，52，56中间部12，31，37，42 引脚部 13沟道14，32，38，43晶粒 20，33，39，44粘晶胶层21，34，40，45 引线 22封盖层23X形沟道51，53狭长沟道51a，51b口形沟道M，5具体实施方式参考图3 图5，分别为第一较佳实施例的粘晶前、后半导体封装结构俯视图以及部分剖视图。图中示出半导体封装结构主要包括一导线架10、一晶粒20、一粘晶胶层21及一封盖层23。由内而外，导线架10依次包括一粘晶部11 (虚线表示的区域)、一中间部12 及一引脚部13。前述粘晶部11凹设有多个沟道14。本实施例中，多个沟道14以平视观察为多个口形沟道，呈多层次排列，且每一沟道14为具有U形壁面轮廓的U形沟道。粘晶时，先将粘晶胶材料涂布在预定的粘晶部11上形成一粘晶胶层21，最后再把晶粒20放置在粘晶胶层21上。粘晶后，多个沟道14位于晶粒20正下方(亦位于粘晶部 11范围内)，而粘晶胶层21 —方面填充于多个沟道14，一方面也将晶粒20粘附住。粘晶步骤之后便取一引线22，两端分别焊在晶粒20与引脚部13。然后再进行封盖层的成型步骤，二者皆为现有技术，于此不再赘述。本例中，导线架10为合金材料，粘晶胶材料为环氧树脂(expoxy)封盖层23是以压模成型，封盖住晶粒20与引线22。由于在粘晶部11开设多个沟道14，因此粘晶胶层21更为紧密地粘合于导线架 10，抑制脱层的发生。此外，这种封装结构也不须受限于四面溢胶的规则，因此扩大了晶粒边缘至引脚部之间可使用空间。参考图6，是第二较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。本实施例与第一例类似，同样在粘晶部30、晶粒33正下方凹设有多个沟道32，且一粘晶胶层34 —方面填充于多个沟道32，一方面也将晶粒33粘着住。特别的是，本例中，粘晶部30的平面较中间部31 为低，而非如图5的粘晶部11与中间部12齐平。这样的结构相较于第一例有更好的粘着能力，更为抑制脱层问题。参考图7，是第三较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。本实施例与第一例类似，同样在粘晶部36、晶粒39正下方凹设有多个沟道38，且一粘晶胶层40 —方面填充于多个沟道38，一方面也将晶粒39粘着住。特别的是，本例中，每一沟道38为直斜面沟道。这样的结构同样具有粘晶胶层更为紧密地粘合于导线架，抑制脱层的发生的优点，也同样不须受限于四面溢胶的规则，因此扩大了晶粒边缘至引脚部之间即中间部37可使用空间。参考图8，是第四较佳实施例的半导体封装结构部分剖视图。本实施例与第三例类似，同样在粘晶部41、晶粒44正下方凹设有多个直斜面沟道43，且一粘晶胶层45 —方面填充于多个沟道43，一方面也将晶粒44粘着住。特别的是，本例中，粘晶部41的平面位准较中间部42为低，而非如图7的粘晶部36与中间部37齐平。这样的结构相较于第三例有更好的粘着能力，更为抑制脱层问题。参考图9，是第五较佳实施例的粘晶前半导体封装结构俯视图。本实施例主要强调多个沟道是指两交错的狭长沟道51a，51b，以平视观察构成一 X形沟道51，凹设排列于粘晶部52的表面。参考图10，是第六较佳实施例的粘晶前半导体封装结构俯视图。本实施例主要强调多个沟道是指一 X形沟道53、围绕X形沟道53的一外侧口形沟道55、以及交错于X形沟道53的一内侧口形沟道M的组合，凹设排列于粘晶部56的表面。上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本技术所主张的权利范围自应以权利要求所述为准，而非仅限于上述实施例。权利要求1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括 一晶粒；一导线架，由内而外依序界定有一粘晶部、一中间部及一引脚部，其中该粘晶部凹设有多个沟道是位于该晶粒正下方；以及一粘晶胶层，填充于该多个沟道且粘附该晶粒。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体封装结构，其特征在于，包括：一晶粒；一导线架，由内而外依序界定有一粘晶部、一中间部及一引脚部，其中该粘晶部凹设有多个沟道是位于该晶粒正下方；以及一粘晶胶层，填充于该多个沟道且粘附该晶粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁忠，庄桂玲，
申请(专利权)人：坤远科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71