光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

光刻装置和器件制造方法，例如为了在不同基底的曝光之间方便地移动基底，使用致动的封闭板提供基底，基底台或上述两者作为限制液体的光刻装置中的空间边界的一部分，而不会例如破坏限制液体的密封。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。
技术介绍
光刻装置是将所需图案应用于基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置是可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地、单一的基底将包含相继构图的相邻靶部的整个网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而使得能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA(数值孔径)和增加了焦深。)也有人提议其它浸液，包括其中悬浮有固体微粒 (如石英)的水。但是，将基底或者基底和基底台浸没在液体浴糟(例如参见US4，509，853，在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过程中必须加速大量的液体。这需要附加的或者功率更大的电机，并且液体中的紊流可能导致不期望的和不可预料的结果。提出的一种用于液体供给系统的技术方案是仅在基底的局部区域上以及投影系统的最后一个元件和基底(通常该基底具有比投影系统的最后一个元件更大的表面区域) 之间提供液体。在PCT专利申请W099/49504中公开了一种已经提出的用于该方案的方式在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，道过至少一个入口 IN将液体提供到基底上，优选地沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供，以及在经过投影系统下方之后通过至少一个出口 OUT去除液体。也就是说，沿-X方向在该元件下方扫描基底时，在元件的+X —侧提供液体，-X—侧接收。图2示出了示意性的布置，其中通过入口 IN提供液体， 和通过与低压源相连接的出口 OUT在元件的另一侧接收。在图2的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，尽管可以不必这样。围绕最后一个元件定位的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，图3示出了一个实例，其中在围绕最后一个元件的规则图案中提供了四组位于任一侧的入口以及出口。在湿浸式光刻技术中，投影系统和基底之间的空间填充有液体(如水)。在基底的曝光过程中，基底构成限制液体边界的一部分。在移去基底并用另一个基底更换的过程中， 例如，液体可以从所述空间排出，以便允许更换基底。一种该方法的可能不利方面是可能在与液体接触的投影系统的一个元件上形成干燥点。附加地或者可替换地，在液体和去除液体的真空流中的变化可能需要时间进行处理，这可能导致生产量的下降。
技术实现思路
因此，有利的是，例如在移动基底的过程中，通过用封闭板替换基底而不扰动存在于基底和光学元件之间的液体使浸没光刻投影装置的元件浸润。通过使用另一个具有提供限制液体边界的功能的本体(如封闭板)，可以不必在移动基底(和提供新的基底)的过程中从基底和投影系统之间去除液体。根据本专利技术的一个方面，提供一种光刻投影装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；液体限制结构、其配置成把液体限制在投影系统和基底之间的空间中、基底、基底台或上述两者配置成构成所述空间的边界的一部分；以及封闭板，封闭板配置成当基本上没有扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，该替代基底、基底台或上述两者构成空间的边界的一部分。根据本专利技术的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤；将液体提供给带图案的光束穿过的空间，基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部分；交液体密封在空间中，所述密封在基底、基底台或上述两者和另一个结构之间作用；用封闭板替换基底、基底台或上述两者作为所述空间边界的一部分，而不破坏所述密封；以及使带图案的辐射光束穿过液体投影到基底上。根据本专利技术的另一个方面，提供一种光刻投影装置，包括配置成保持基底的基底台；配置在把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；液体限制结构，其配置成把液体限制在投影系统和基底之间的空间中，基底、基底台或上述两者配置成构成所述空间的边界的一部分；以及在水平面中替换基底台的封闭板，该封闭板配置成替代基底、基底台或上述两者构成空间的边界的一部分；以及配置成在水平面中移动所述封闭板的致动装置。 附图说明现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本专利技术的各个实施方案，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中图1示出了根据本专利技术的一个实施方案的光刻装置；图2和3示出了一种在光刻投影装置中使用的液体供给系统；图4示出了另一种在光刻投影装置中使用的液体供给系统；图5示出了根据本专利技术的一个实施方案的另一种液体供给系统的封闭视图；图6a和6b示出了在根据本专利技术的一个实施方案的方法中的第一步；图7a和7b示出了在根据本专利技术的一个实施方案的方法中的第二步；图8a和8b示出了在根据本专利技术的一个实施方案的方法中的第三步；图9a和9b示出了在根据本专利技术的一个实施方案的方法中的第四步。具体实施例方式图1示意性地表示了根据本专利技术的一个实施方案的光刻装置。该装置包括-照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束PB(例如UV辐射或DUV辐射)。-支撑结构(例如掩摸台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数将该构图部件精确定位的第一定位装置PM连接；-基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数将基底精确定位的第二定位装置PW连接；以及-投影系统(例如折射投影透镜系统)PL，其配置成将通过构图部件MA赋予给辐射光束PB的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。支撑结构以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件、例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、 静电或其它夹紧技术来保持构图部件。支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于所需的位置。这里任何术语“中间掩摸版”或者“掩摸”的使用可以认为与更普通的术语 “构图部件”同义。这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射光束在其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地， 赋予给辐射光束的图案与在靶部中形成的器件(如集成电路)的特殊功能层相对应。构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻投影装置，包括：配置成保持基底的基底台；配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；液体限制结构，所述液体限制结构被配置成把液体限制在空间中，所述空间为投影系统与基底、基底台或上述两者之间的空间，基底、基底台或上述两者配置成形成所述空间的边界的一部分；以及致动的封闭板，该封闭板配置成当基本上未扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，替代基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部分，其中，所述封闭板被定位或成形以使得致动的封闭板的顶面大体上与基底台处于相同的高度，使得当基底台远离投影系统下方的位置移动时，可以进行连续的、没有干扰的移动，同时保持使液体包含在液体限制结构中的密封，在用干涉计测量光束的过程中不挡住干涉计装置的任何干涉计光束；其中，所述致动的封闭板和所述基底台设置为当所述致动的封闭板水平地移动到投影系统下方的位置从而替换所述基底台，所述基底台被构造并且设置为水平地远离投影系统下方的位置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·G·C·范德托尔恩，C·A·胡根达姆，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL