一种B-C-N三元硬质涂层制造技术

技术编号:7061165 阅读:159 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得得B-C-N三元硬质涂层,其是在金属基体表面形成了Ti、TiN、Ti-B-C-N多层过渡涂层,以提高B-C-N硬质涂层与金属基体良好的结合性能;同时,选用了合适的石墨/硼复合靶以及相应的溅射工艺参数,获得了接近于BC2N化学计量比的高性能硬质涂层,涂层中B-C-N的厚度约为150nm,薄膜表面的元素的原子百分含量为23.4B-52.2C-24.4N,表面的硬度约为15GPa。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种材料表面涂层的
,尤其是一种B-C-N三元硬质涂层
技术介绍
根据金刚石和立方BN (c-BN)的机构相似性,人们理论上预期能够合成B_C_N三元硬质涂层,并期望其能够兼具金刚石的超高硬度以及c-BN高温稳定性、抗氧化性等。而经过广泛的实验研究证实,合成B-C-N三元硬质涂层确实可行,并且B-C-N三元硬质涂层也确实与金刚石和立方BN —样具有超高的硬度,此外,与金刚石、氮化碳等硬质涂层相比,其还具有高温化学稳定性优异、涂层的内应力低等无可比拟的使用优点。因此,B-C-N三元硬质涂层不但成为了硬质涂层领域的研究热点,其在相应领域的实际应用也日益广泛,具有不可估量的巨大性能潜力和广泛应用前景。而用于制备B-C-N三元硬质涂层的方法也非常普遍,例如化学气相沉积法和物理气相沉积法等常规的合成制备方法都可以用来制备B-C-N三元硬质涂层。但是使用化学气相沉积方法时,往往其硼源气体等都具有毒性,给环境和生产安全都造成很大的压力;不但如此,研究表明化学气相沉积方法制备的结果,都趋向于得到六角型B-C-N三元涂层而非立方B-C-N三元涂层。相比较而言,以溅射为特征的物理气相沉积方法,因其通常使用固相靶源,则更为安全方便,尤其重要的是其趋向于制得立方B-C-N三元涂层。然而,对于B-C-N三元涂层的组成控制、与基体的紧密附着、涂层内应力的消除等问题上,仍然存在各种各样的不足,成为制约B-C-N三元硬质涂层广泛应用的障碍。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术的目的即在于为射频磁控溅射B-C-N三元硬质涂层制备方法选择合适的工艺参数,从而获得一种与基体结合紧密的高性能硬质B-C-N三元硬质涂层。为解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案如下首先,将金属基体材料表面抛光,并分别用丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约IOmin后,用氮气吹干备用。随后,将基体材料置于真空室内的样品台上,并将Ti靶和石墨/硼复合靶分别置于不同的靶位,其中所述的石墨/硼复合靶是将环状的硼套在圆片状的石墨外,且石墨与硼的面积比在2. 5 1-2 1之间,石墨的纯度为99. 999%、硼的纯度为99.9%,石墨/硼复合靶与基体材料距离为7-8cm。随后将真空室内真空度抽到彡5X IO-4Pa,同时通入流量为8-lOsccm的Ar,当真空室气压为2-4 时,预溅射2-3min,预溅射的功率为50-70W,以进一步清洗基体材料的表面。随后维持Ar的流量为8-10SCCm,控制基体材料温度为40-50°C,当真空室气压为 1-1. 5Pa时,向基体材料施加100-150V的负偏压,同时移开Ti靶的挡板,以50-70W的功率进行溅射,溅射时间为5-lOmin,以形成一层纯Ti涂层。随后开始通入流量为0. 3-0. 6sccm的N2,并维持Ar的流量为8-lOsccm、真空室气压为1-1. 5Pa、基体材料的负偏压为100-150V、基体材料的温度为40_50°C,继续以50-70W 的功率进行溅射,溅射时间为15-25min,以形成一层Ti-N 二元涂层。随后维持Ar的流量为8-lOsccm、真空室气压为1_1. 5Pa、基体材料的负偏压为 100-150V,升高基体材料的温度为250-300°C,N2的流量为0. 8-lsccm,移开石墨/硼复合靶的挡板,Ti靶维持以50-70W的功率进行溅射,而石墨/硼复合靶以100-110W功率进行溅射,溅射时间为15-25min,以形成Ti-B-C-N四元涂层。随后维持Ar的流量为8-lOsccm、真空室气压为1_1. 5Pa、基体材料的负偏压为 100-150V、基体材料的温度为250-300°C,关闭Ti靶挡板而维持石墨/硼复合靶溅射,N2的流量升高为3. 5-4. kccm,溅射功率升高至130-140W,溅射时间为80_100min,以形成B-C-N 三元硬质涂层。本专利技术的优点是在金属基体表面形成了 Ti、TiN, Ti-B-C-N多层过渡涂层,以提高B-C-N硬质涂层与金属基体良好的结合性能;同时,选用了合适的石墨/硼复合靶以及相应的溅射工艺参数,获得了接近于BC2N化学计量比的高性能硬质涂层。具体实施例方式下面,通过具体的实施例对本专利技术进行详细说明。一种由于射频(13. 56MHz)磁控溅射制得的B_C_N三元硬质涂层,具体而言由以下步骤制备得到首先,选用W6Mo5Cr4V2高速钢作为基体材料,将其表面抛光,并分别用丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约IOmin后,用氮气吹干备用。随后,将基体材料置于真空室内的样品台上,并将Ti靶和石墨/硼复合靶分别置于不同的靶位,其中所述的石墨/硼复合靶是将环状的硼套在圆片状的石墨外,且石墨与硼的面积比在2. 2 1,石墨的纯度为99. 999%、硼的纯度为99.9%,石墨/硼复合靶与基体材料距离为8cm。随后将真空室内真空度抽到彡5X10_4Pa,同时通入流量为9sCCm的Ar,当真空室气压为3 时,预溅射2min,预溅射的功率为60W,以进一步清洗基体材料的表面。随后维持Ar的流量为9sCCm,控制基体材料温度为40°C,当真空室气压为1. 5Pa 时,向基体材料施加130V的负偏压,同时移开Ti靶的挡板,以60W的功率进行溅射,溅射时间为7min,以形成一层纯Ti涂层。随后开始通入流量为0. 4sccm的N2,并维持Ar的流量为9sCCm、真空室气压为 1. 5Pa、基体材料的负偏压为130V、基体材料的温度为40°C,继续以60W的功率进行溅射,溅射时间为20min,以形成一层Ti-N 二元涂层。随后维持Ar的流量为9sCCm、真空室气压为1. 5Pa、基体材料的负偏压为130V,升高基体材料的温度为270°C,N2的流量为0. 9sCCm,移开石墨/硼复合靶的挡板,Ti靶维持以60W的功率进行溅射,而石墨/硼复合靶以IlOW功率进行溅射,溅射时间为20min,以形成Ti-B-C-N四元涂层。随后维持Ar的流量为9sCCm、真空室气压为1. 5Pa、基体材料的负偏压为130V、基体材料的温度为270°C,关闭Ti靶挡板而维持石墨/硼复合靶溅射,队的流量升高为4sCCm, 溅射功率升高至140W,溅射时间为90min,以形成B-C-N三元涂层。 经测试,表面B-C-N硬质涂层的厚度约为150nm,涂层表面的元素的原子百分含量为23. 4B-52. 2C-24. 4N,表面的硬度约为15GPa。表面外观平整光滑,5mN时摩擦系数约为 0. 11。在空气中放置数日未有明显开裂、突起的问题出现。权利要求1.一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得的B-C-N三元硬质涂层,其由下述步骤制备得到首先,将金属基体材料表面抛光,并分别用丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约IOmin后,用氮气吹干备用。随后,将基体材料置于真空室内的样品台上,并将Ti靶和石墨/硼复合靶分别置于不同的靶位,其中所述的石墨/硼复合靶是将环状的硼套在圆片状的石墨外,且石墨与硼的面积比在2. 5 1-2 1之间,石墨的纯度为99. 999%、硼的纯度为99.9%,石墨/硼复合靶与基体材料距离为7-8cm。随后将真空室内真空度抽到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得的B-C-N三元硬质涂层,其由下述步骤制备得到:首先,将金属基体材料表面抛光,并分别用丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约10min后,用氮气吹干备用。随后,将基体材料置于真空室内的样品台上,并将Ti靶和石墨/硼复合靶分别置于不同的靶位,其中所述的石墨/硼复合靶是将环状的硼套在圆片状的石墨外,且石墨与硼的面积比在2.5∶1-2∶1之间,石墨的纯度为99.999%、硼的纯度为99.9%,石墨/硼复合靶与基体材料距离为7-8cm。随后将真空室内真空度抽到≤5×10-4Pa,同时通入流量为8-10sccm的Ar,当真空室气压为2-4Pa时,预溅射2-3min,预溅射的功率为50-70W,以进一步清洗基体材料的表面。随后维持Ar的流量为8-10sccm,控制基体材料温度为40-50℃,当真空室气压为1-1.5Pa时,向基体材料施加100-150V的负偏压,同时移开Ti靶的挡板,以50-70W的功率进行溅射,溅射时间为5-10min,以形成一层纯Ti涂层。随后开始通入流量为0.3-0.6sccm的N2,并维持Ar的流量为8-10sccm、真空室气压为1-1.5Pa、基体材料的负偏压为100-150V、基体材料的温度为40-50℃,继续以50-70W的功率进行溅射,溅射时间为15-25min,以形成一层Ti-N二元涂层。随后维持Ar的流量为8-10sccm、真空室气压为1-1.5Pa、基体材料的负偏压为100-150V,升高基体材料的温度为250-300℃,N2的流量为0.8-1sccm,移开石墨/硼复合靶的挡板,Ti靶维持以50-70W的功率进行溅射,而石墨/硼复合靶以100-110W功率进行溅射,溅射时间为15-25min,以形成Ti-B-C-N四元涂层。随后维持Ar的流量为8-10sccm、真空室气压为1-1.5Pa、基体材料的负偏压为100-150V、基体材料的温度为250-300℃,关闭Ti靶挡板而维持石墨/硼复合靶溅射,N2的流量升高为3.5-4.5sccm,溅射功率升高至130-140W,溅射时间为80-100min,以形成B-C-N三元硬质涂层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:戴圣英
申请(专利权)人:宁波市瑞通新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:97

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