广视角液晶显示器阵列基板制作方法技术

本发明专利技术提供了一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器制作
，更具体的说是涉及一种。
技术介绍
液晶显示器是一种平面超薄的显示设备，具有低辐射、耗电量小和体积小等优点， 特别是广视角的液晶显示器，由于其色彩不受视角的限制，从各个角度看，其色彩变化很小，因此广泛应用于电视机、电脑、手机等的显示器制作领域。但是由于广视角液晶显示器造价昂贵，特别是在液晶显示器阵列基板的工艺制作上，因此如何降低阵列基板的制作成本，成为亟待解决的问题。现有的中，通常采用六道掩膜制作工艺，第一道掩膜制作工艺为在基板上溅射栅极金属薄膜，然后经过曝光、显影、刻蚀等光刻制程制作出栅极，第二道掩膜制作工艺是在制作有栅极的基板上溅射透明导电薄膜，经过曝光、显影、刻蚀等工艺制作一透明电极，第三道掩膜制作工艺为在制作有像素电极的基板上制作有源层，第四道掩膜制作工艺用于制作源漏极，第五道掩膜制作工艺用来定义保护层图案， 制作保护层，然后通过第六道掩膜制作在基板上形成另一透明电极。由上述过程可以看出，现有的，采用六道掩膜制作工艺，制作流程较多，制作周期长，因而导致制作成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种广视角液晶显示器阵列基板的制作方法，用以解决阵列基板制作流程多，导致制作成本高的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案一种，所述方法包括提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。优选地，所述半色调掩膜版上对应基板的栅极制作区域为不透光区域，第一透明电极制作区域为部分透光区域，其他区域为透光区域，则，所述形成的不同厚度的光敏材料图形具体是基板栅极制作区域的光敏材料全部保留，第一透明电极制作区域光敏材料部分保留，其他区域光敏材料被去除。优选地，所述在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一4透明电极包括通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域上的光敏材料；通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极。优选地，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜， 以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为定义第一刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域上的栅极金属层，所述第一刻蚀参数包括第一选择比；定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料，所述第二刻蚀参数包括第二选择比。优选地，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜， 以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为进行湿法刻蚀，去除基板其他区域上的栅极金属层；定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域上的第一透明导电薄膜和第一透明电极制作区域上的光敏材料。优选地，所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜， 以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为定义第三刻蚀参数进行干法刻蚀，去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜，以及第一透明电极制作区域的光敏材料，所述第三刻蚀参数包括第三选择比。优选地，通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极具体为进行湿法刻蚀，去除所述第一透明电极制作区域上的栅极金属层，形成第一透明电极。优选地，通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域的栅极金属层，形成第一透明电极具体为定义第四刻蚀参数进行干法刻蚀，去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层， 形成第一透明电极，所述第四刻蚀参数包括第四选择比。优选地，所述对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极具体为对形成第一透明电极的基板的栅极制作区域脱膜，去除栅极制作区域上的光敏材料，形成栅极。优选地，所述在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层具体为在所述基板上依次溅射透明导电薄膜和栅极金属经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术提供了一种，在提供的基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层，利用半色调掩膜版进行曝光，显影，通过干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法，在基板上形成第一透明电极和栅极，之后在形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极，第一透明电极和栅极的制作在一道掩膜制作工艺中即可完成，从而使得原有的六道掩膜制作工艺变为五道掩膜制作工艺，减少了阵列基板的制作流程，进而降低了制作成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种实施例1的流程图；图2为本专利技术基板进行曝光时的结构示意图；图3为本专利技术基板显影后的结构示意图；图4为本专利技术一种实施例2的流程图；图5为本专利技术基板一次刻蚀后的结构示意图；图6为本专利技术基板再次刻蚀后的结构示意图；图7为本专利技术基板形成第一透明电极后的结构示意图；图8为本专利技术基板形成第一透明电极和栅极后的结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，如何降低阵列基板的制作成本，是目前广视角液晶显示器制作中需要亟待解决的问题，现有的广视角液晶显示器阵列基板的制作流程包括六道掩膜制作工艺，也即每一道掩膜制作工艺都需要经过涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶等复杂的光刻制程形成所需的图案，而若降低每一道掩膜制作工艺的成本，则会影响液晶显示器的质量问题，因此，专利技术人转变思考角度，将原有的六道掩膜制作工艺减少为五道掩膜制作工艺，减少了基板的制作流程，进而降低了制作成本。本专利技术的主要思想之一可以包括在提供的基板上同时形成透明导电薄膜和栅极金属层，然后经过一道掩膜制作工艺，即光刻制程，包括利用半色调掩膜版曝光、显影、刻蚀等步骤形成第一透明电极和栅极，然后再在形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极，减少了基板制作流程，降低了制作成本。参见图1，示出了本专利技术一种实施例1的流程图，可以包括步骤101 提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层。所述基板可以选择玻璃基板，所述透明导电薄膜可以选择ITO(氧化铟锡)、 IZO(氧化铟锌)或者其他具备透明且导电性能的材料，所述栅极金属层为用于制作栅极的金属，可以包括一层或多层结构。所述基板已经布置好透明电极制作区域以及栅极制作区域。首先对基板进行清洗，移入溅射设备依次溅射透明导电薄膜和栅极金属，其中栅极金属层位于透明导电薄膜上，包括一层或者多层。6需要说明的是，在基板上形成透明导电薄膜和栅极金属层并不限定与溅射的方式，其还可本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝付泼，谢凡，胡君文，于春崎，李建华，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：44