B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压电陶瓷材料，具体是。
技术介绍
压电陶瓷在信息、激光、导航、电子技术、通讯、计量检测、精密加工和传感技术等高
应用广泛。但是目前实用的压电陶瓷绝大部分是锆钛酸铅(PZT)或以为锆钛酸铅为基的材料，这些材料中氧化铅含量约占70%左右，由于铅的污染问题，国际上正积极通过法律、法规、政府指令等形式对含铅的电子产品加以禁止。因此，研究高性能、低成本、实用型无铅压电、铁电材料的任务十分迫切。目前研究的无铅压电陶瓷体系中，钙钛矿结构的(Nav2Bi1Z2)TiO3 (简称NBT)被认为是一种很有希望的无铅压电材料。NBT陶瓷具有许多很好的特性，如居里温度高(T。=320 °C)，铁电性强汽=38 MC/cm2)，压电系数大(U33约50%)，热释电性能与PZT相当，声学性能好，介电常数小，烧结温度低。但BNT陶瓷矫顽场高，在铁电相区电导率高，NaO易吸水，烧结温区狭窄，导致了陶瓷的致密性和化学物理性能稳定性欠佳。针对这些问题，国内外的研究者对BNT基陶瓷的改性做了大量的研究工作，但随NBT基压电陶瓷性能的改善，伴随退极化温度的降低，其综合性能与铅基压电陶瓷还有很大差距，远远满足不了实际应用的要求。此夕卜，无铅压电陶瓷体系中的铌酸钾钠(Ka5Naa5NbO3, KNN)系压电陶瓷因具有介电常数小、压电性能高、频率常数大、密度小、居里温度高及组成元素对人体友好等特点， 被认为是很有前途替代PZT的无铅压电材料之一。自从2004年日本的学者Y. Saito在 nature发表论文报道了 Ka5Naa5NbO3压电陶瓷压电常数式3达416 pC/N，引起了全世界研究 Ka5Naa5NbO3基无铅压电陶瓷的热潮。但论文报道的性能是利用模板晶粒生长(TGG)特殊技术工艺法制备的取向织构的KNN基压电陶瓷，这种制备工艺条件要求苛刻，难以实现大规模生产。一般来说Kc^aa5NbO3基无铅压电陶瓷烧结过程中Na易挥发，采用传统工艺制备的铌酸钾钠陶瓷的致密性差，需要采用热压，等静压与等离子烧结等特殊制备方法，这些新工艺因成本高、工艺复杂难以满足生产实际需要。同时Ka5Naa5NbO3体系中原料Nb2O5含量高，价格昂贵，不利于实用化。基于对铅基材料的广泛研究，人们认为铅与压电铁电性的起源密切相关，由于Bi 具有与1 类似的特性，即Bi在元素周期表上与1 相邻，具有相同的电子分布、相近的离子半径和分子量，同时Bi的氧化物无毒，故铋基压电铁电材料成为无铅压电铁电材料研究的热点。由于简单的化合物BiMeO3很难合成，并且在常压下不稳定。这样使得研究者把目光投向B位复合离子BiMeMe' O3体系，研究发现这类材料大都具有畸变的钙钛矿结构。但现有文献还未有报道B位复合Bi (Lil72Mel72) O3基无铅压电陶瓷及制备方法的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种矫顽场低，易于极化，致密度高的、压电性能好的新型B位复合Bi基无铅压电陶瓷及其制备方法。实现本专利技术目的的技术方案是B位Bi基无铅压电陶瓷用下述通式 (1-x) Bi (Lil72Mel72) O3-^BaTi03+^Ma0b>(1-x) Bi (Lil72Mel72)O3-X (Na1/2Bi1/2) Ti03+^Ma0b>(l-χ-χ) Bi (Lil72Mel72) 03-xBaTi03-j- (Na1/2Bi1/2) TiO3 +zMa0h,(1-^-y) Bi (Lil72Mel72) O3 -XBaTiO3-J^ (K1/2Bi1/2) TiO3 +^MaOb 或(Ι-χ-χ-ν) Bi (Lil72Mel72) 03-xBaTi03-j-(Na1/2Bi1/2) TiO3-K (K1/2Bi1/2) Ti03+zMa0b 来表示，其中x、_F、z和r表示摩尔分数，0<χ<1·0，0〈,<1，0<Κ1，0彡乂 0. l，Me为五价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+Γ+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。五价元素Me为Nb、Sb、Ta、V、W、Mn和Bi中的一种或多种；一种或多种氧化物MaOb 的 M 选自 La、Sm、Mn、Ce、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb, Dy, Ho、Er、Tm、Yb, Ge, Sc, Li、Na、K、Ca、Sr、Mg、 Mn、Fe、Co、Cr和Sn的一种或多种。所述的新型B位复合Bi基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于包括下述步骤(1)将原料按照Bi (Lil72Mel72) 03> BaTi03、(Nal72Bil72) TiO3> (Kl72Bil72)TiO3 化学配比配料，以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时，干燥后在氧化铝坩埚(加盖)中以600-1000° C 焙烧1-8小时；获得粉末；(2)将步骤(1)获得的粉末和MaOb原料按照方程式(I-^r)Bi(Lil72Mel72) O3-ZBaTi03+zMa0b、(1-工)Bi (Li1/2Me1/2) 03~x (Na1/2Bi1/2) Ti03+^Ma0b> (l"^) Bi (Li1/2Me1/2) O3-XBaTiO3-J^ (Nal72Bil72) Ti03+zMa0b、{l~x~y) Bi (Li1/2Me1/2) O3 -xBaTiO3-J- (K1/2Bi1/2)Ti03+^Ma0b 禾口 (I-X-J-K)Bi(Li1Z2Me1Z2)O3-ZBaTiO3-J(Na1Z2Bi1Z2) TiO3-F(K1/2Bi1/2) Ti03+zMa0b配料，以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时，干燥后在氧化铝坩埚(加盖)中以 600-1000° C焙烧1-8小时；焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨6-12小时，干燥后获得粉末；(3)将步骤(2)获得的粉末加入5%(重量百分比)浓度的PVA溶液造粒，在50-200MPa 压力下压制成型；(4)成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结，烧结温度980-1200°C，保温时间1-8小时； 然后热压烧结，烧结温度600-900° C，保温时间10分钟-3小时；(5)烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约Imm的薄片，披银电极，然后在硅油中极化， 极化电场3000-8000V/mm，温度30-100° C，时间5-30分钟。与已有技术相比，本专利技术的特色体现在1.本专利技术的陶瓷组成是一种环境友好型压电陶瓷，能实现对部分现有的铅基压电陶瓷的替代。由于添加的铋在元素周期表上与铅相邻，具有相同的电子分布、相近的离子半径和分子量，因而无铅压电陶瓷的压电性主要来源于Bi3+离子。因此B位复合Bi基无铅压电陶瓷较现有产品更具有优良的压电性能。本专利技术可采用传统压电陶瓷制备技术，原料从工业用原料中获得，制备工艺简单、稳定，具有实用性。2.本专利技术采用分别合成组元方法和重复焙烧改善成分均勻性，采用高能球磨提高球磨效果，采用埋粉烧结与热压烧结改善微观结构，降低烧结温度，提高烧结致密度，优化压电性能，满足不同应用的需要。具体实施例方式通过下面给出的实施例，可以进一步清楚的了解本专利技术的内容，但它们不是对本专利技术的限定。实施例1 制备成分为(1-广广》Bi (Lil72Mel72)O3-XB本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｂ位复合Ｂｉ基化合物组成的无铅压电陶瓷，其特征是：组成通式为　（１－ｘ）Ｂｉ　（Ｌｉ１／２Ｍｅ１／２）Ｏ３－ｘＢａＴｉＯ３＋ｚＭａＯｂ，式中Ｍｅ为一种或多种五价金属元素；ＭａＯｂ为一种或多种氧化物，其中Ｍ为＋１～＋６价且能与氧形成固态氧化物的元素；ｘ和ｚ表示陶瓷体系中摩尔含量，其中０（ｘ（１．０，　０≤ｚ≤０．１，用常规制备陶瓷工艺制成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周沁，杨华斌，周昌荣，成钧，袁昌来，陈国华，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：45