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太阳能电池制造技术

技术编号:7052326 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种太阳能电池。本实用新型专利技术提供了如下技术方案:一种太阳能电池,包括有P型硅减反层、衬底、处于衬底与P型硅减反层之间的电极板及P型硅层,所述的P型硅层内设有反应区,其特征在于:所述的电极板为铅金属膜片。采用上述技术方案,提供了一种成本低廉、提高光电转换效率的太阳能电池。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池
技术介绍
由太阳能转换为电能的太阳能电池,具有清洁性、安全性、资源的相对广泛性、寿命长及免维护等优点,被认为是二十一世纪最重要的新能源。目前,市场及资料上所出现的传统的晶体硅太阳能电池板主要由P型硅减反层、 衬底、处于衬底与P型硅减反层之间的N型硅板及P型硅层组成,其中的N型硅较为昂贵, 并且制造成本较高;薄膜硅太阳能电池厚度薄节省材料、并且制造过程简单,成本相对晶体硅太阳能电池板相对低廉,但是电池转换率只有5%— 7%,其应用范围受到局限。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术提供了一种成本低廉、提高光电转换效率的太阳能电池。为实现上述目的,本技术提供了如下技术方案一种太阳能电池,包括有P型硅减反层、衬底、处于衬底与P型硅减反层之间的电极板及P型硅层,所述的P型硅层内设有反应区,其特征在于所述的电极板为铅金属膜片。采用上述技术方案,P型硅层的反应区进入太阳光后,太阳光线在反应区内产生带正电荷的准粒子空穴、带负电荷的自由电子及内建电场。由于铅和硅属于同一族元素,在P 型硅层上生长的铅膜是异常稳定结构,并且铅金属膜片的电子密度非常大,与现有的N型硅相比,铅金属膜片中有更多的电子可以扩散到P型硅层内,铅金属膜片与P型硅层之间形成的耗尽层厚度更大,反应区内的内建电场更强,电池的开压更高,从而减少电子空穴对的复合,达到提高光电转换效率的目的。并且,铅金属膜片与P型硅层之间的界面可以透过 P型硅层的太阳光反射回P型硅层中,这部分太阳光线同样可以产生电子空穴,有利于提高光电转换效率。而且铅金属膜片是金属,太阳能电池板在制造过程中,可以省却在传统太阳能电池的N型硅片上做电极的工序,使制造过程简单化;铅金属膜片比硅材料便宜,因此采用铅金属膜片也降低了生产成本。本技术进一步设置为铅金属膜片的厚度为1一5微米。采用上述技术方案,1一5微米厚度的铅金属膜片便可运用到太阳能电池中实现N 型硅的作用,这样设置降低了生产成本。以下结合附图对本技术作进一步描述。附图说明图1为本技术实施例的结构示意图。具体实施方式如图1所示的一种太阳能电池,包括有P型硅减反层1、衬底2、处于衬底2与P型硅减反层1之间的电极板及P型硅层3,P型硅层3内设有供太阳光线进入及产生电场的反应区31,电极板为铅金属膜片4。上述方案中,P型硅层3的反应区31进入太阳光后,太阳光线在反应区31内产生带正电荷的准粒子空穴、带负电荷的自由电子及内建电场。由于铅和硅属于同一族元素,在P型硅层3上生长的铅膜是异常稳定结构,并且铅金属膜片4的电子密度非常大,与现有的N型硅相比,铅金属膜片4中有更多的电子可以扩散到P型硅层3 内,铅金属膜片4与P型硅层3之间形成的耗尽层厚度更大,反应区31内的内建电场更强, 电池的开压更高,从而减少电子空穴对的复合,达到提高光电转换效率的目的。并且,铅金属膜片4与P型硅层3之间的界面可以透过P型硅层3的太阳光反射回P型硅层3中,这部分太阳光线同样可以产生电子空穴,有利于提高光电转换效率。而且铅金属膜片4是金属,太阳能电池板在制造过程中,可以省却在传统太阳能电池的N型硅片上做电极的工序, 使制造过程简单化;铅金属膜片4比硅材料便宜,因此采用铅金属膜片4也降低了生产成本。在本技术实施例中,铅金属膜片4的厚度为1一5微米。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池,包括有P型硅减反层、衬底、处于衬底与P型硅减反层之间的电极板及P型硅层,所述的P型硅层内设有反应区,其特征在于:所述的电极板为铅金属膜片。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,包括有P型硅减反层、衬底、处于衬底与P型硅减反层之间的电极板及P型硅层,所述的P型硅层内设有反应区...

【专利技术属性】
技术研发人员:王国忠
申请(专利权)人:王国忠
类型:实用新型
国别省市:33

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