本发明专利技术提供了用于RFID的中断产生及确认的装置和方法。控制存储器访问的电路包括：存储器；存储器访问控制电路，其耦接至所述存储器；RFID接口，其耦接至所述存储器访问控制电路；次级接口，其耦接至所述存储器访问控制电路；中断管理器，其耦接至所述存储器访问控制电路、所述RFID接口、和所述次级接口。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术整体上涉及射频识别(RFID)系统领域。更具体地，本专利技术部分涉及结合了 FRAM存储器的RFID应答器。本专利技术还涉及在RFID应用以内及以外都具可应用的改进串行接口。
技术介绍
如本领域所公知的，基本RFID系统包括三个部件天线或线圈；具有解码器的收发器，即RFID阅读器；和以唯一信息编程的应答器，即，RFID标签。RFID标签分为有源型或无源型。有源RFID标签由内部电池供电且通常可读写， 即，标签数据可以被重写和/或修改。无源RFID标签无需独立的外部电源就可操作，其获得由阅读器产生的操作功率。图1示出了典型的无源RFID标签的实例。标签100包括耦接至模拟前端电路104 的天线102，该模拟前端电路104通过接收(RX)和发送(TX)路径与数字及存储电路106进行通信。当今的多数无源RFID标签使用一些类型的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)， 诸如闪存。尽管EEPROM存储器已经用于无源RFID标签应用至今，但是对进出RFID标签的更大数据吞吐量的要求却与日俱增。例如，可以在工厂环境以及在高速路收费中看到示例。基于EEPROM的无源RFID标签较慢，从而可能不适于更高吞吐量的应用。可替换的，存在诸如 FRAM( “铁电随机存储存储器”)的更快速的存储器技术，其理想地适合这些新的更高速的 RFID应用。然而，一般来说，与将数据传递进和出RFID标签相关的整个协议是与EEPROM相关的。为了利用可替代存储器技术(如FRAM存储器)的优势，期望将现有数据协议扩展， 以针对包括FRAM存储器的无源RFID标签的操作进行优化。EPC全球第二代(GlcAal Generation 2)标准包括对存储器进行块写入(Block Write)的公开方法。当考虑到更快速存储器技术(诸如FRAM存储器)的能力时，该方法效率仍然很低。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种用于RFID应用的中断控制器电路，其基本能够解决由于相关技术的限制和缺陷而造成的一个或多个问题。根据本专利技术，一种存储器电路包括存储器；存储器访问控制电路，耦接至所述存储器；RFID接口，其耦接至存储器访问控制电路；次级接口，其耦接至存储器访问控制电路；以及中断管理器，其耦接至存储器访问控制电路、RFID接口、和次级接口。应该理解，前述的概括描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，其旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步解释。附图说明被包括用于提供对本专利技术的进一步理解的附图结合到本说明书中并构成本说明书的一部分，其说明了本专利技术的实施例，并与说明书一起用于说明本专利技术的原理。附图中图1是现有技术的基于EEPROM的无源RFID标签的框图；图2是根据本专利技术的基于FRAM存储器的无源RFID标签的框图；图3是基于嵌入式FRAM存储器的RFID应用的框图；图4是图2和图3所示的基于FRAM的RFID电路的数字部分的进一步详细框图；图5是图2和图3所示的基于FRAM的RFID电路的串行接口的进一步详细框图；图6至图10是与图5所示的串行接口电路相关的时序图；图11是与图2和图3所示的基于FRAM的RFID电路的数字部分相关的存储器指针电路的框图；图12是与图11的存储器指针电路相关的存储器内容的一部分；图13是用于对存储器进行读/写数据的现有技术的流程图；图14是用于对存储器进行读/写数据的另一现有技术的流程图；图15是根据本专利技术的用于利用图11所示的存储器指针电路对存储器进行读/写数据的技术的流程图；图16是根据现有技术的EPC全局块写入(glcAal Blockffrite)命令数据结构；图17A和图17B —起表示现有技术中用于实现块写入(BlockWrite)命令的方法的流程图；图18A和图18B —起表示根据本专利技术的用于实现块吸入命令的方法的流程图；图19是表示根据本专利技术的与图2和图3的电路相关的数字电路的一部分(包括中断管理器块)的替代框图标识；以及图20A和图20B—起表示与图19的中断管理器块相关的、用于执行根据本专利技术的中断方法的流程图。具体实施例方式现在参照图2，根据本专利技术的无源RFID标签200包括天线202、模拟前端204、和数字部分206，该数字部分206包括数字控制电路和FRAM存储器并利用RX和TX路径与模拟前端204进行通信。此外，RFID标签200包括耦接至引脚210的串行接口总线208。图 2示出了 4位宽的总线208。RFID电路的模拟部分204和数字部分206通常集成在一个或多个集成电路上。在图2所示的普通/常用(common/usual)无源标签实现方式中，通常不存在串行接口，并且也不使用引脚210。 现在参照图3，根据本专利技术的嵌入式RFID应用300包括RFID集成电路314，该RFID集成电路包括模拟前端304以及数字和FRAM存储器部分306。天线302实际可以包括或可以不包括在RFID集成电路314中。注意，在图3中，引出了与数字部分316的串行接口相关联的四个引脚310。这四个引脚310是片选、时钟、数据1、和数据2引脚，下面将对其进行进一步详细说明。串行接口通常连接至微处理器312，该微处理器与和RFID应用300相关的各种控制输入进行通信。典型的应用300可以是计量应用，或工厂的控制应用。典型嵌入式应用中的RFID集成电路314可以随时被手持阅读器(图3中未示出)进行询问。现在参照图4，更详细地示出了图2和图3的电路的数字部分。数字部分406包括参照图2和图3的RX和TX路径。RX和TX路径与状态机420进行通信，而状态机420与 FRAM存储块422进行双向通信。仲裁逻辑块424与FRAM存储器422相关联，并用于对串行接口 4 进行双向控制。而串行接口 4 通过4位总线耦接至外部引脚410。现在参照图5，其示出了图4的串行接口似6的细节。如在现有技术中已知的，传统的SPI接口具有四个引脚选择、时钟、数据输入(Datah)、和数据输出(DataOut)。为了传递(输入或输出)一个字节的数据，除了在单条数据线上的数据相关的转变以外，还需要八个时钟周期。图5所示的串行接口 500看上去与SPI接口类似，但是其有两个重要改进。首先，两个数据端口都用作双向对。再有，两个时钟边缘都用于移位或传递数据。利用这两个改进，只使用一对时钟周期来传递一字节的数据。用于数据转变的功率恒定，而用于时钟转变的功率减小为原来的四分之一。可选地，可以使用时钟的单个边沿而不是两个边沿。尽管这比根据本专利技术的双边沿需要更多的功率，但是与传统的SPI接口相比，单边沿的方案仍然节省功率。从而，图5所示的串行接口 500仅是用于改进基于FRAM存储器的无源 RFID标签或电路的吞吐量的特征之一，尽管其在非RFID应用中也具有效用。具体地，相比于传统SPI接口，串行接口 500最小化了发送数据字所需的时钟转变数量，同时保持了相同的引脚数。图5中，串行接口 500包括选择引脚、时钟引脚、双向数据_1引脚、和双向数据_0 引脚。选择引脚耦接至以传统逻辑电路实现的操作码(OpCode)解释器及状态机504。状态机504与数据输出寄存器502和数据输入寄存器506进行双向通信。数据输出寄存器502 通过16位总线(其分支成两条8位总线本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种控制存储器访问的电路，包括：存储器；存储器访问控制电路，其耦接至所述存储器；ＲＦＩＤ接口，其耦接至所述存储器访问控制电路；次级接口，其耦接至所述存储器访问控制电路；和中断管理器，其耦接至所述存储器访问控制电路、所述ＲＦＩＤ接口、和所述次级接口，其中所述ＲＦＩＤ接口允许所述次级接口访问所述存储器。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马克·R·惠特克，莱斯莉·约瑟夫·马伦泰特，
申请(专利权)人：瑞创国际公司，
类型：发明
国别省市：US
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