晶片的制作方法技术

一种晶片的制作方法，包括对所述晶片的正面进行贴膜后进行研磨，然后揭除覆盖于晶片正面的贴膜，最后对背面进行蚀刻，以形成凹凸不平的背面，最后对所述背面蒸镀一层金属界面。本发明专利技术通过在对晶片的背面进行湿法蚀刻之前，将正面所覆盖的贴膜进行揭除，避免了正面贴膜的翘曲处对蚀刻溶液形成的钻蚀现象，解决了晶片背面处理后晶片正面表面颜色不一致的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，尤其涉及一种。
技术介绍
现有在晶片(Wafer)制作过程中，需要对晶片的背面(与半导体衬底形成器件表面相对的面)进行处理，通常处理工艺如下在形成有诸如场效应管等器件的晶片正面(半导体衬底形成器件的面)形成贴膜，然后通过化学机械研磨机台研磨晶片背面，接着清洗研磨后的晶片并烘干，最后在晶片背面蒸镀一层金属层。上述化学机械研磨机台具有机械研磨与化学反应的两种作用，可以使晶片表面达到全面性的平坦化。在进行研磨时，化学机械研磨机台的研磨头被用来将晶片压在研磨垫上并带动晶片旋转，研磨垫则以与晶片旋转方向相反的方向旋转；而此过程中由研磨颗粒所构成的研浆会被置于晶片与研磨垫间。研磨后，会在晶片背面的晶格及其附近材料的晶格产生影响，形成一个薄层的破坏层。这个破坏层从材料力学的方向来定义，依次分为机械破坏层，应力破坏层以及缓冲层；上述各破坏层之间有应力作用。如果金属直接蒸镀至所述破坏层上形成金属层的话，会产生在后续工艺中，由于晶片温度的升高，导致应力效应增大，即这些破坏层的热膨胀系数增大，使金属层从晶片的表面剥离的情况，影响晶片的使用。在有些严重的情况下，当研磨后晶片的破坏层内部的应力很大时，金属蒸镀工艺后，金属层直接从晶片背面剥离，严重影响了晶片的良率。现有提供了一种，通过增加湿法蚀刻工艺去除晶片背面的破坏层，由此避免破坏层内部的应力造成的金属剥离晶片背面的现象；同时，湿法蚀刻工艺还能使晶片背面变得粗糙，粗糙面在金属蒸镀过程中提供了较大的接触面积，增加了金属层在晶片背面的附着力。具体背面的制作方法包括如下步骤a.在晶片正面贴膜；b.研磨晶片的背面；c.清洗研磨后的晶片并烘干；d.通过蚀刻去除晶片背面在步骤b中产生的破坏层，并形成凹凸不平的表面；e.通过金属蒸镀在晶片背面蒸镀一层金属层。专利申请号200710046834. 6的中国专利申请对背面的制作方法进行了详细的描述。所述晶片在完成步骤d的蚀刻工艺后，且进行步骤e背面蒸镀工艺之前，还包括对步骤a中用于保护晶片正面的贴膜进行揭除的步骤。在于上述现有技术方案中，经过步骤d的蚀刻工艺后，发现晶片的正面的边缘的颜色与中心的颜色不一致，所述颜色差异不仅造成了晶片的外观不标准，甚至有可能影响晶片的电学性能。随着晶圆尺寸的减小，尤其是对于8寸晶圆尺寸减薄到185 μ m后，上述钻蚀问题日益突出明显。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种晶片制作方法，防止晶片背面处理后晶片正面表面颜色不一致的现象。为解决上述问题，本专利技术提供了一种，包括提供形成有半导体器件的晶片，所述形成半导体器件的面为晶片正面，与正面相对的面为背面，其中正面具有贴膜；在晶片背面形成金属层；其中，在晶片背面形成金属层之前还包括揭除覆盖于晶片正面的贴膜；在揭除贴膜的晶片背面进行蚀刻。。可选的，所述蚀刻是湿法蚀刻。可选的，所述湿法蚀刻采用的喷淋式蚀刻。可选的，所述湿法蚀刻的设备为背面蚀刻设备，使用的蚀刻溶液为氢氟酸。可选的，所述蚀刻溶液垂直于背面进行喷射。可选的，所述贴膜为压克力树脂、醋酸乙烯压克力共聚合树脂或醋酸乙烯树脂之ο可选的，所述揭除贴膜包括首先对所述晶片进行灰化处理；然后将所述灰化处理后的晶片进行有机溶剂清洗。可选的，揭除所述贴膜之前还包括步骤对所述晶片的背面进行研磨，所述研磨方法为化学机械研磨。可选的，所述金属层的形成方法为将晶片送入蒸镀腔内进行金属蒸镀，即在晶片背面蒸镀一层金属层。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点在对晶片的背面进行湿法蚀刻之前，将正面所覆盖的贴膜进行揭除，避免了正面贴膜的边缘翘曲处对蚀刻溶液进行倒吸形成的虹吸现象，进而保护了晶片的正面，有效防止正面器件被蚀刻溶液破坏而造成的电性能下降，提高了晶片的良率。附图说明图1是本专利技术一个实施例的晶片制作方法流程示意图；图2至图6为本专利技术一个实施例的晶片制作方法过程示意图。具体实施例方式对于经过背面的蚀刻工艺后，晶片正面的边缘的颜色与中心的颜色不一致的问题，专利技术人发现，是因为晶片背面进行蚀刻时，用于对背面进行蚀刻的溶液会进入被贴膜覆盖的晶片的正面，并对正面的晶片进行钻蚀。造成上述问题是由于在晶片正面形成贴膜的时候，所述晶片的正面与贴膜并不能达到完全粘合的理想状态，尤其在靠近晶片正面的边缘处有贴膜翘曲的现象，在后续对晶片背面进行湿法蚀刻的时候，所述翘曲会对蚀刻溶液造成倒吸，形成虹吸现象即边缘处翘曲的贴膜会倒吸用于背面蚀刻的蚀刻溶液，通过所述翘曲处进入晶片正面，对晶片的正面进行蚀刻。基于上述结论，本专利技术实施方法对现有的晶片制作方法进行调整在对晶片背面进行湿法蚀刻之前，将正面所覆盖的贴膜进行揭除，避免了正面贴膜的翘曲处对蚀刻溶液形成的虹吸现象，进而保护了正面的晶片。具体地，包括提供形成有半导体器件的晶片，所述形成半导体器件的面为晶片正面，与正面相对的面为背面，其中正面具有贴膜；在晶片背面形成金属层；其中，在晶片背面形成金属层之前还包括揭除覆盖于晶片正面的贴膜；在揭除贴膜的晶片背面进行蚀刻。为使本专利技术的上述目的，特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。图1是本专利技术一个实施例的晶片制作流程示意图，包括执行步骤S101，提供形成有半导体器件的晶片，所述形成半导体器件的面为晶片正面，与正面相对的面为背面；执行步骤S102，在所述晶片的正面上形成贴膜；执行步骤S103，对所述晶片的背面进行研磨；执行步骤S104，清洗研磨后的晶片并烘干；执行步骤S105，揭除覆盖于晶片正面的贴膜；执行步骤S106，对晶片背面进行蚀刻；执行步骤S107，在晶片背面形成金属层。通过本专利技术方法可解决对晶片的背面进行蚀刻时，用于对背面进行蚀刻的酸性溶液进入被贴膜覆盖的晶片的正面，并对正面的晶片进行钻蚀的问题。根据具体的情况，可以对上述步骤适当的去掉一两步或者增加。下面接着对该专利技术做更为详细的说明。结合步骤SlOl和图2，提供晶片100，所述晶片100上形成有诸如场效应管、电容等器件，形成器件的面定义为正面，而与正面相对的面为背面，所述晶片100为硅材料。结合步骤S102和图2，在晶片正面形成用以保护器件的贴膜101。所述贴膜101 的材料为有机薄膜，如压克力树脂、醋酸乙烯压克力共聚合树脂或醋酸乙烯树脂。所述贴膜 101用于在后续的背面研磨过程中，防止研磨时产生的微小颗粒物进入晶片的正面，对晶片 100正面的器件造成损伤。结合步骤S103和图3，对所述的晶片的背面硅衬底进行研磨，直至所述硅衬底厚度达到预定尺寸。所述研磨方法可采用化学机械研磨方法。结合步骤S104和图3，将所述研磨后的晶片放入去离子水中进行清洗，以去除研磨过程中产生的硅的微小颗粒物；清洗后进行烘干工艺，以干燥所述晶片。上述化学机械研磨可以使晶片表面达到全面性的平坦化。但是研磨后，会在晶片的背面的晶格及其附近材料的晶格产生影响，形成一个薄层的破坏层。如果金属直接蒸镀至所述破坏层上形成金属层的话，会产生在后续工艺中，由于晶片温度的升高，导致应力效应增大，即这些破坏层的热膨胀系数增大，使金属层从晶片的表面剥离的情况，影响晶片的使用，所以需要对其背面进行蚀刻，以去除所述破坏层。结合S105和图4，将所述清洗烘干后的晶片放置于氧气等离子体环境中进行灰化，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片的制作方法，包括：提供形成有半导体器件的晶片，所述形成半导体器件的面为晶片正面，与正面相对的面为背面，其中正面具有贴膜；在晶片背面形成金属层；其特征在于，在晶片背面形成金属层之前还包括：揭除覆盖于晶片正面的贴膜；在揭除贴膜的晶片背面进行蚀刻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，刘江，刘海波，樊杨，国天增，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32