本发明专利技术提供等离子体处理装置、基板保持机构、基板位置偏移检测方法，能够消除传热气体的气体流路的压力损失的影响，提高基板的位置偏移检测的精度。设置有：用于向载置台(300)与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路(352)；形成在载置台的基板保持面，将来自气体流路的气体引导至基板保持面(Ls)上的多个气体孔(354)；在基板保持面的气体孔形成区域(R)的外侧形成，检测施加于基板的背面的压力的多个压力检测孔(370a～370d)；和与这些多个压力检测孔连接的压力传感器(380a～380d)，基于来自这些压力传感器的检测压力进行基板的位置偏移检测。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对平板显示器(FPD)用玻璃基板等大型基板实施等离子体处理的等离子体处理装置、基板保持机构、基板位置偏移检测方法。
技术介绍
在FPD的面板制造中，一般在由玻璃等绝缘体构成的基板上形成像素的设计或电极、配线等。在这样的面板制造的各种工序中，蚀刻、CVD、灰化、溅射等微细加工由等离子体处理装置进行。等离子体处理装置例如在能够减压的处理容器内将基板载置在具有构成下部电极的基座的载置台上，对基座供给高频电力，从而在基板上形成处理气体的等离子体， 利用该等离子体在基板上进行蚀刻等规定的处理。在该情况下，需要抑制由等离子体处理中的发热导致的温度上升，将基板的温度控制为一定。因此，常使用下述方式在将由致冷装置调温后的致冷剂循环供给至载置台内的致冷剂通路的同时，使He气体等传热性好的气体(传热气体)通过载置台中，并供给至基板的背面，间接冷却基板。该冷却方式需要抵抗He气体的供给压力，将基板固定保持在载置台上，因此在载置台上设置基板保持部，例如利用静电吸附力将基板吸附保持于基板保持部的基板保持面。如果基板相对于载置台上的基板保持面发生位置偏移，则在基座上基板保持面露出，因此如果在该状态下对基座施加高频电力并产生等离子体，则发生异常放电，可能损伤基座。由此，如果能够在产生等离子体之前检测出基板的位置偏移，则能够防止异常放电的发生。FPD用基板与半导体晶片相比尺寸大幅变大，因此，即使原样应用为了半导体晶片而开发的技术，也存在不能够正确检测基板的位置偏移的问题。例如像专利文献1记载的技术那样，在载置台的上部设置压力测定孔，经由压力测定孔将压力测定气体供给至载置台与半导体晶片之间，并监视压力测定气体的压力。在该方法中，例如在没有半导体晶片的情况或静电保持力小的情况下，压力测定气体从压力测定孔泄漏而压力下降，因此，通过监视其压力，能够检测载置台上的半导体晶片的有无和保持状态，但不能够检测出半导体晶片的位置偏移。专利文献2记载的技术也是在载置台的上部设置压力测定孔而检测压力， 但其与上述同样也不能够检测位置偏移。为了正确地检测这样的FPD用基板的位置偏移，如专利文献3的图16A、图16B所示，也进行了下述所示的载置台的开发在包围传热气体的气体孔形成区域的框部的四个角部设置位置偏移检测孔，使这些位置偏移检测孔与气体孔形成区域的凹部空间(传热气体从气体孔排出的空间)连通。据此，当基板发生位置偏移时，气体从位置偏移检测孔泄漏，因此与气体孔连接的气体流路的压力也变化。通过以压力调整阀(PCV)的内置压力计监视该压力变化，检测基板的位置偏移。专利文献1 日本特开平04-359539号公报专利文献2 日本特开07-231032号公报专利文献3 日本特开2008-172170号公报
技术实现思路
但是，近年来FPD用基板的尺寸进一步大型化，随之载置台的尺寸也比现有技术更为大型化。这样的装置的大型化倾向今后也会继续发展下去。随着像这样的装置的大型化，不得不使传热气体的气体孔的数量增大，并且使向气体孔供给传热气体的气体流路变长。但是，像这样气体流路越长，传导性越差，因此气体流路的压力损失变大，难以以期望的压力将传热气体供给至基板的背面。因此，基板发生位置偏移的情况和没有发生位置偏移的情况下的传热气体的泄漏流量的差变得很小，因此存在基板的位置偏移检测变得困难，其检测精度也下降的问题。于是，本专利技术鉴于上述问题而提出，其目的在于提供一种能够消除传热气体的气体流路的压力损失的影响，提高基板的位置偏移检测的精度的等离子体处理装置等。为了解决上述问题，根据本专利技术的观点，提供一种基板保持机构，其在生成等离子体的空间内载置保持矩形的被处理基板，该基板保持机构的特征在于，包括载置保持上述被处理基板的矩形的载置台；用于向上述载置台与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路；形成在上述载置台的基板保持面，将来自上述气体流路的气体引导至上述基板保持面上的多个气体孔；在上述基板保持面的上述气体孔形成区域的外侧形成，检测施加于被处理基板的背面的压力的多个压力检测孔；与上述多个压力检测孔连接的压力传感器；和基于来自上述压力传感器的检测压力进行上述被处理基板的位置偏移检测的位置偏移检测部件。为了解决上述问题，根据本专利技术另一观点，提供一种基板位置偏移检测方法，其是在生成等离子体的空间内载置保持矩形的被处理基板的基板保持机构的基板位置偏移检测方法，该基板位置偏移检测方法的特征在于上述基板保持机构包括载置保持上述被处理基板的矩形的载置台；用于向上述载置台与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路；形成在上述载置台的基板保持面，将来自上述气体流路的气体引导至上述基板保持面上的多个气体孔；在上述基板保持面的上述气体孔形成区域的外侧形成，检测施加于被处理基板的背面的压力的多个压力检测孔；与上述多个压力检测孔连接的压力传感器；和调整来自上述气体供给源的气体流量的流量调整器，该基板位置偏移检测方法基于来自上述压力传感器的检测压力进行上述被处理基板的位置偏移检测，并且，进行利用上述流量调整器的气体流量的调整。为了解决上述问题，根据本专利技术的另一观点，提供一种等离子体处理装置，其通过向处理室内导入处理气体，产生上述处理气体的等离子体，对载置保持在处理室内的载置台的绝缘体构成的被处理基板实施规定的等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括用于向上述载置台与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路；形成在上述载置台的基板保持面，将来自上述气体流路的气体引导至上述基板保持面上的多个气体孔；在上述基板保持面的上述气体孔形成区域的外侧形成，检测施加于被处理基板的背面的压力的多个压力检测孔；与上述多个压力检测孔连接的压力传感器；和基于来自上述压力传感器的检测压力进行上述被处理基板的位置偏移检测的位置偏移检测部件。根据这样的本专利技术，在传热气体用的气体孔之外设置多个压力检测孔，能够从这些压力检测孔直接检测基板背面压力，能够基于其检测压力检测基板的位置偏移。由此，能够不受到传热气体用的气体孔造成的压力损失的影响地检测被处理基板的位置偏移。此外，多个压力检测孔形成在气体孔形成区域的外侧，因此，仅是被处理基板稍有偏移，压力就会变化，因此容易检测位置偏移。根据本专利技术，能够消除传热气体的气体流路的压力损失的影响，提高基板的位置偏移检测精度，因此能够应用于更大型的装置。附图说明图1是本专利技术的实施方式的处理装置的外观立体图。图2是构成该实施方式的等离子体处理装置的处理室的截面图。图3是用于说明该实施方式的传热气体供给机构的结构例的图。图4A是从上方观察图3所示的载置台的表面的图，表示没有载置基板的状态。图4B是从上方观察图3所示的载置台的表面的图，表示载置有基板的状态。图5是表示使用压力调整阀(PCV)的内置压力传感器设定的He气体压力与基板背面的He气体压力的关系的图表。图6是表示该实施方式的传热气体控制的主程序的流程图。图7是表示图6所示的位置偏移判定处理的子程序的流程图。图8A是用于说明位置偏移方式的图，表示发生一方向的基板平行偏移的情况的具体例。图8B是用于说明位置偏移方式的图，表示发生一方向的基板平行偏移的情本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种基板保持机构，其在生成等离子体的空间内载置保持矩形的被处理基板，该基板保持机构的特征在于，包括：载置保持所述被处理基板的矩形的载置台；用于向所述载置台与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路；形成在所述载置台的基板保持面，将来自所述气体流路的气体引导至所述基板保持面上的多个气体孔；在所述基板保持面的所述气体孔形成区域的外侧形成，检测施加于被处理基板的背面的压力的多个压力检测孔；与所述多个压力检测孔连接的压力传感器；和基于来自所述压力传感器的检测压力进行所述被处理基板的位置偏移检测的位置偏移检测部件。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：东条利洋，古屋敦城，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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