超声波除泡装置和涂布装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种超声波除泡装置和涂布装置，当需要去除气泡的试剂进入密封容器后，通过超声波发生装置将超声波发射至所述密封容器，利用超声波将气泡从所述试剂中分离出，通常是将氮气等一些气体从所述试剂中分离出。同时，利用密封容器上的气体出口将从试剂中分离出的，引起气泡的气体排出密封容器，避免分离出的气体再次与试剂结合而产生气泡。由此，解决了试剂中含有气泡的问题，当所述试剂为光阻试剂或者抗反射膜试剂时，由此，可提高光刻工艺的可靠性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种超声波除泡装置和涂布装置。
技术介绍
半导体制造工艺中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，其稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把临时电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶片上。现有工艺中，通常先利用涂布装置在晶圆上形成一层光阻层，为了防止光阻层反射照射光，影响光刻工艺的精准度，往往在所述光阻层上还涂布一层抗反射膜层；接着，将平行光经过一掩膜版照射在光阻层和抗反射膜层上，使其曝光而变质；最后，利用显影液进行显影，以完成图形的转移。其中，若形成的光阻层和抗反射膜层出现了偏差，会直接影响到后面相关工艺的进行，例如，光阻层和抗反射膜层的厚度超过预计厚度，可能造成曝光、显影不充分，得不到正常的光刻图形；而光阻层和抗反射膜层的厚度小于预计厚度，除曝光显影不正常将导致图形变形外，还可能会造成对晶圆的保护失败，晶圆在经过刻蚀工艺后报废。此外，在形成光阻层或者抗反射膜层的过程中，还有一个非常严重的问题是，往往涂布的光阻层或者抗反射膜层中含有气泡，而通常，这气泡是由于光阻试剂或者抗反射膜试剂中混有氮气所致。易知，若涂布的光阻层或者抗反射膜层中含有气泡将导致光刻工艺的可靠性变差，例如，光阻层或者抗反射膜层的厚度将不可控，即不能符合预计厚度，从而导致前述的各类问题。因此，有效去除试剂中的气泡，是一个亟待需要解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超声波除泡装置和涂布装置，以解决现有的试剂中含有气泡的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种超声波除泡装置，所述超声波除泡装置包括密封容器，所述密封容器上设置有试剂入口、试剂出口和气体出口 ；设置于所述密封容器一侧的超声波发生装置，所述超声波发生装置能够将超声波发射至所述密封容器。可选的，在所述的超声波除泡装置中，所述密封容器内部设置有分隔部件，所述分隔部件将所述密封容器分隔为多个子空间，所述密封容器的靠近顶壁处具有将多个所述子空间连通的通路。可选的，在所述的超声波除泡装置中，所述超声波发生装置的数量与所述子空间的数量相同。可选的，在所述的超声波除泡装置中，所述分隔部件将所述密封容器分隔为两个子空间。可选的，在所述的超声波除泡装置中，所述试剂入口和试剂出口分别位于不同的子空间内。可选的，在所述的超声波除泡装置中，所述气体出口位于所述密封容器的顶壁上。可选的，在所述的超声波除泡装置中，所述超声波发生装置设置于所述密封容器的下方。本技术还提供一种涂布装置，所述涂布装置包括试剂存储装置；与所述试剂存储装置连接的试剂传导装置，所述试剂传导装置上设置有如前所述的超声波除泡装置；喷洒装置，所述喷洒装置与所述试剂传导装置连接。可选的，在所述的涂布装置中，还包括设置于所述试剂传导装置上的过滤装置。可选的，在所述的涂布装置中，所述试剂存储装置的数量为多个，多个所述试剂存储装置顺次连接。可选的，在所述的涂布装置中，多个所述试剂存储装置之间连接有试剂回路装置。在本技术提供的超声波除泡装置和涂布装置中，当需要去除气泡的试剂进入密封容器后，通过超声波发生装置将超声波发射至所述密封容器，利用超声波将气泡从所述试剂中分离出，通常是将氮气等一些气体从所述试剂中分离出。同时，利用密封容器上的气体出口将从试剂中分离出的，引起气泡的气体排出密封容器，避免分离出的气体再次与试剂结合而产生气泡。由此，解决了试剂中含有气泡的问题，当所述试剂为光阻试剂或者抗反射膜试剂时，由此，可提高光刻工艺的可靠性。附图说明图1是本技术实施例的超声波除泡装置的示意图；图2是本技术实施例的涂布装置的示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的超声波除泡装置和涂布装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。特别地，在本技术所使用的附图中，图1中的超声波除泡装置10是为了清楚地说明其结构，而图2中的超声波除泡装置10主要是为了说明其与其他部件间的连接，故同样的超声波除泡装置10在两幅附图中的表现差别比较大，对于本文件的阅读者，应该理解其所指代的是同一个超声波除泡装置。本技术的核心思想在于，提供一种超声波除泡装置和涂布装置，当需要去除气泡的试剂进入密封容器后，通过超声波发生装置将超声波发射至所述密封容器，利用超声波将气泡从所述试剂中分离出，通常是将氮气等一些气体从所述试剂中分离出。同时，利用密封容器上的气体出口将从试剂中分离出的，引起气泡的气体排出密封容器，避免分离出的气体再次与试剂结合而产生气泡。由此，解决了试剂中含有气泡的问题，当所述试剂为光阻试剂或者抗反射膜试剂时，由此，可提高光刻工艺的可靠性。实施例一请参考图1，其为本技术实施例的超声波除泡装置的示意图。如图1所示，超声波除泡装置10包括密封容器11和超声波发生装置12，所述密封容器11上设置有试剂入口 110、试剂出口 111和气体出口 112，所述超声波发生装置12将超声波120发射至所述密封容器11。利用所述超声波除泡装置10对试剂进行除泡的过程如下首先，待除泡试剂从试剂入口 110进入密封容器11 ；通过超声波发生装置12所发射的超声波120，将待除泡试剂内的气泡从该试剂中分离出，S卩，将试剂中的气体从试剂中分离出；接着，分离出的气体从气体出口 112排出密封容器11 ；而已将气泡分离出的试剂从试剂出口 111离开密封容器11。在本实施例中，所述超声波120的功率密度大于0. 3瓦每平方厘米；所述超声波 120的频率大于20000赫兹。超声波发生装置12所发射的超声波120最先至所述密封容器11的底壁。可以理解的是，所述超声波120最先至所述密封容器11的底壁所能产生的除泡效果是最好的，由此从待除泡的试剂中分离出的气体可自然的与试剂分开，即试剂位于密封容器11的下部，而气体按照气体的特性往密封容器11的上部跑，从而分离出的气体自然的与试剂分开了。当然，在本技术的其他实施例中，所述超声波120也可以最先至所述密封容器11的侧壁。进一步的，所述密封容器11的底壁上还设置有分隔部件115，所述分隔部件115将所述密封容器11分隔为多个子空间，所述密封容器11的靠近顶壁处具有将多个所述子空间连通的通路。所述分隔部件115可以是能够将空间进行分隔的隔板或者其他部件。在本实施例中，所述分隔部件115将所述密封容器11分隔为第一子空间113和第二子空间114，所述分隔部件115与所述密封容器11的顶壁不连接，从而在所述密封容器 11的靠近顶壁处具有一条通路，通过所述通路第一子空间113和第二子空间114可以连通通过将所述密封容器11分隔为多个子空间，从而使得进入密封容器11的待除泡试剂可以进行多次超声波除泡工艺。例如，在本实施例中，所述待除泡试剂在第一子空间 113进行除泡工艺后，随后通过该通路进入第二子空间114，还将再次进行除泡工艺，即进行了两次除泡工艺，提高了除泡效果。当所述子空间为更多个时，对于所述待本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种超声波除泡装置，其特征在于，包括：密封容器，所述密封容器上设置有试剂入口、试剂出口和气体出口；设置于所述密封容器一侧的超声波发生装置，所述超声波发生装置能够将超声波发射至所述密封容器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31