改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法，包括如下步骤：步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图形；步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层中；步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡；步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤；步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内侧壁形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。本发明专利技术能够精确控制发射极窗口的氧化层开口的尺寸，使器件性能更加稳定和可控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种改善SiGe (锗硅)工艺中发射 极窗口图形形成的方法。
技术介绍
现有的SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法通常分成三个步骤一、参见图1， 在氧化层3上形成一层氮化硅(SiN)层2，在该氮化硅层2上涂布光刻胶1，通过光刻形成 图形；二、参见图2，以光刻胶1为掩膜，干法刻蚀氮化硅层2，将曝露出的氮化硅层2去除， 所述干法刻蚀延伸至氮化硅层2下面的氧化层3，即将部分氧化层3去除；三、参见图3，采 用湿法刻蚀去除所述氧化3层。由于湿法刻蚀速率无法精确控制，经过湿法刻蚀后所述氧 化层的两侧壁会向两侧缩进，位于所述氮化硅层的下方，即出现所谓的“切底”现象。因此， 位于氮化硅层下方的氧化层的尺寸无法得到精确控制，造成器件性能的不稳定。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方 法，能够精确控制发射极窗口的氧化层开口的尺寸，使器件性能更加稳定和可控。为解决上述技术问题，本专利技术的是 采用如下技术方案实现的步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图 形；步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层 中；步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡；步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤；步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内 侧壁形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。采用本专利技术的方法，由于在干法刻蚀后采用弱酸浸泡，并且在干法刻蚀后形成的 图形内侧壁形成一层有机物保护层，在湿法蚀刻发射极窗口的氧化层时，能够有效避免出 现钻刻效应，使氧化层的开口与氮化硅层的开口上下一致，得到精确控制。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1-3是现有的SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法示意图；图4-9是本专利技术的方法一实施例工艺流程示意图；图10是本专利技术的方法控制流程图。具体实施例方式参见图10并结合图4-9所示，在本专利技术的一实施例中所述的改善SiGe工艺中发 射极窗口图形形成的方法工艺流程如下步骤一、参见图4所示，实施本专利技术的方法之前的初始条件是，在一氧化层3上形 成一层氮化硅层2作为发射极窗口的膜层；在所述氮化硅层2上涂布光刻胶1，通过光刻形 成所需的发射极窗口图形。步骤二、参见图5所示，采用干法刻蚀将曝露出的所述氮化硅层去除，并且所述干 法刻蚀延伸至所述氧化层中，即将部分氧化层刻蚀掉。在干法刻蚀所述氮化硅层后，会在氮 化硅层开口的侧壁形成少量的聚合物(polymer)。上述步骤一、二的实施过程及具体的实施方法与现有的工艺流程完全一致(参见 图 1、2)。步骤三、结合图6所示，在干法刻蚀后形成的图形内，即光刻胶和氮化硅层开口内 进行弱酸浸泡；浸泡的弱酸可以是任何一种弱酸性物质，部分弱酸会被光阻表面和氮化硅 层开口的侧壁上少量的聚合物所吸附。步骤四、结合图7所示，在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并 进行烘烤；通过烘烤，该有机物可以与所述弱酸进行反应形成一层保护薄膜，在后续的显影 过程中不会被溶解。所述有机物(例如RELACS)溶于显影液。步骤五、参见图8所示，通过曝光、显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法 刻蚀后形成的图形内侧壁形成一层保护层。步骤六、参见图9所示，采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层， 完成发射极窗口的氧化层开口刻蚀，并使氧化层开口得到精确控制。步骤六实施过程中采 用的湿法刻蚀方法与现有的湿法刻蚀工艺流程完全一致。本专利技术通过在SiN干法蚀刻之后通过弱酸浸泡和涂布有机物形成保护侧壁，使得 之后的湿法刻蚀过程中氧化层的钻刻效应显著降低，从而精确控制氧化层开口的尺寸。以上通过具体实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限 制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应 视为本专利技术的保护范围。权利要求1.一种，包括如下步骤步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图形； 步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层中； 其特征在于，还包括步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡； 步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤； 步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内侧壁 形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述有机物溶于显影液。全文摘要本专利技术公开了一种，包括如下步骤步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图形；步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层中；步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡；步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤；步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内侧壁形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。本专利技术能够精确控制发射极窗口的氧化层开口的尺寸，使器件性能更加稳定和可控。文档编号H01L21/28GK102129991SQ201010027288公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月18日 优先权日2010年1月18日专利技术者何伟明, 阚欢 申请人:上海华虹Nec电子有限公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种改善ＳｉＧｅ工艺中发射极窗口图形形成的方法，包括如下步骤：步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图形；步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层中；其特征在于，还包括：步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡；步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤；步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内侧壁形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阚欢，何伟明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31