本发明专利技术公开了一种结合电池和DRAM的硬盘存储设备，该方法包括：把DRAM内存(动态随机存储器)与传统硬盘或固态硬盘结合，使用充电电池供电，并以传统硬盘或固态硬盘作为后备永久存储部件，平时采用DRAM内存作为主要存储部件。当电源断电或DRAM内存中的数据量超过预先设定的阈值时，则将DRAM中的数据写入传统硬盘或固态硬盘中。本发明专利技术与现有技术相比，具有读写数据速度快、可延长硬盘寿命、避免因中途断电而造成的硬盘数据丢失和物理损毁的优点。本发明专利技术同时公开了一种结合电池DRAM的硬盘存储装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储技术，特别涉及一种结合电池DRAM (动态随机存储器)的硬 盘存储方法及装置。
技术介绍
纵观硬盘十年来的发展，传统硬盘的容量经历了百兆级到太级的发展，传统硬盘 的接口方式也经历了从UDMA33(并行硬件驱动器接口的一种)到SATA2(第二代串行硬件 驱动器接口)的几代更替，存储方式更是进行了由纵向记录技术到垂直记录技术的革新。 这说明，传统硬盘无论在容量上还是在读写速度上都有了相当大的进步。但是，由于传统硬 盘的工作原理始终是磁头以机械运动的方式在磁介质上记录数据的，所以，即使硬盘经历 的几代的发展，也难以规避其在存储容量和读写速度上遇到的瓶颈。固态硬盘的出现，改善 了传统硬盘在启动速度、读取延迟、噪音、抗震性、寿命上的缺点，但由于其生产成本高、容 量低等问题，造成了固态硬盘难以在市场上普及。并且，即使固态硬盘较之传统硬盘有读 取延迟小的优势，但与主板与内存之间的读写访问速度相比，尤其是写入速度，仍然没有优 势。现有技术中，为了提高传统硬盘和固态硬盘的读写速度，采用了将DRAM内存与固态硬 盘结合的方式。以DRAM内存作为临时存储数据部件，并通过第二电源来维持DRAM内存中 的数据，当第二电源电量不足时，才将DRAM内存中的数据写入到固态硬盘中。专利技术人在实施本专利技术的过程中发现，现有技术至少存在如下缺陷由于DRAM内存 仅作为临时存储数据部件，数据存储依然以固态硬盘为主，因此，仍然需要对固态硬盘进行 频繁的读写操作来获取所需数据，造成了整体装置读写速度的提高遇到了瓶颈。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种结合电池和DRAM的硬盘存储方法及装置，用 以解决现有技术中以DRAM内存为临时存储介质，固态硬盘为主要存储介质而造成了整体 系统提高读写速度的瓶颈问题。一种结合DRAM内存的硬盘存储的方法，包括把DRAM内存与传统硬盘或固态硬盘结合，使用充电电池供电，并以传统硬盘或固 态硬盘作为后备存储部件，平时采用DRAM内存作为主要存储部件，当电源断电或DRAM内存 容量达到预先设定的阈值时，依靠充电电池供电将DRAM内存中的数据写入传统硬盘或固 态硬盘中；读取数据时，先检查DRAM内存中是否存在所需数据，如果命中则直接从DRAM内存 中读取该数据，否则从传统硬盘或固态硬盘中读取；一种电源管理方案，在电脑正常关机时，主板依然对硬盘供电，只有在彻底切断电 源时，才依靠充电电池供电保存DRAM内存中的数据；在使用充电电池进行供电时，由电池 剩余电量动态决定所述阈值，将所述阈值范围外的数据写入传统硬盘或固态硬盘中，而系 统一旦恢复电源供电，可根据所述动态变化的阈值恢复DRAM中的数据量。本专利技术的实施例还提供了一种结合DRAM的硬盘存储装置，包括DRAM内存，作为本专利技术中的主要存储数据的部件，并由所述动态变化的阈值来决 定DRAM中留存的数据量；传统硬盘或固态硬盘，作为本专利技术中的备用存储部件，当DRAM内存中的数据量超 出所述阈值的范围时，才将超出所述阈值范围的数据以整块的方式写入传统硬盘或固态硬 盘中；充电电池，用于保存DRAM内存中存储的数据，并由充电电池的余量决定所述阈 值，在电脑正常关机的情况下，主板依然对硬盘供电，充电电池处于充电状态，当电脑彻底 断开电源时，充电电池才对DRAM供电；读写控制电路，用于主板对DRAM内存、传统硬盘或固态硬盘的访问，其中传统硬 盘和固态硬盘分别对应不同的读写控制电路，本专利技术能够根据挂载硬盘是传统硬盘或固态 硬盘自动切换到对应的读写控制电路。本专利技术实施例提供的结合电池DRAM内存的硬盘存储方法及装置，通过把DRAM内 存与传统硬盘或固态硬盘结合，使用充电电池供电，并以传统硬盘或固态硬盘作为后备存 储部件，平时采用DRAM内存作为主要存储部件，使得电脑与硬盘之间的数据交换以主板和 DRAM内存为主。且只有当DRAM内存中的数据量超过预先设定的阈值时，才依靠电源或充电 电池供电将超出阈值部分的数据写入传统硬盘或固态硬盘中；读取数据时，先检查DRAM内 存中是否存在所需数据，如果命中则直接从DRAM内存中读取该数据，否则从传统硬盘或固 态硬盘中读取。由于极大的减少了对传统硬盘和固态硬盘的读写操作，转而以主板对DRAM 内存的读写操作为主，所以能够克服现有技术中存在的瓶颈，提高了对硬盘的读写速度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储方法一个实施例写入数据的流程示意 图；图2为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储方法另一个实施例读取数据的流程示意 图；图3为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储方法一个实施例电源管理方案的流程示 意图；图4为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储装置一个实施例的结构示意图；图5为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储装置另一个实施例结构示意具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储方法一个实施例的流程示意图，如图1所 示，本专利技术实施例包括如下步骤步骤101、读写控制电路依据挂载硬盘是传统硬盘还是固态硬盘自动切换对应电 路；步骤102、操作系统向硬盘控制器发出写入数据指令；步骤103、由读写控制电路执行操作系统指令向DRAM中写入数据；步骤104、写入算法根据电源或充电电池剩余电量计算阈值；步骤105、判断DRAM内存中的数据量是否超过上述阈值，如果是，则执行步骤106 ； 否则，执行步骤108;步骤106、将DRAM内存超出阈值范围的数据写入到传统硬盘或固态硬盘中；步骤107、根据硬盘文件分配表维护一张数据请求频率表，并返回步骤104 ；步骤108、将数据存储于DRAM内存中，并维护DRAM内存中的文件分配表，并返回步 骤 104。图2为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存储方法另一个实施例的流程示意图，如图2 所示，本专利技术实施例包括如下步骤步骤201、操作系统向硬盘控制器发送读取操作指令；步骤202、读写控制电路根据DRAM内存中的文件分配表请求数据；步骤203、查询在DRAM内存中是否存在所需数据，如果是，则执行步骤204 ；否则， 执行步骤206 ；步骤204、产生中断请求，通知操作系统读取数据成功；步骤205、操作系统从本装置中读取请求数据，跳出本流程；步骤206、DRAM内存向传统硬盘或固态硬盘请求数据；步骤207、查询硬盘中是否存在请求的数据，如果是，则执行步骤208 ；否则，执行 步骤209 ；步骤208、将请求的数据读入到DRAM内存中，同时更新数据请求频率表，并返回步 骤 204 ；步骤209、产生中断请求，通知操作系统未能读取所请求的数据，跳出本流程。图3为本专利技术结合电池DRAM的硬盘存本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种结合电池和ＤＲＡＭ的硬盘存储方法，其特征在于，该方法包括：把ＤＲＡＭ内存与传统硬盘或固态硬盘结合，使用充电电池供电，并以传统硬盘或固态硬盘作为后备永久存储部件，平时采用ＤＲＡＭ内存作为主要存储部件，当电源断电或ＤＲＡＭ内存中的数据量超过预先设定的阈值时，则将ＤＲＡＭ内存中的数据写入传统硬盘或固态硬盘中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李扬，辛阳，杜晓峰，包一兵，
申请(专利权)人：北京安码科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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