【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，其特征在于，该放大器采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管（ＨＢＴ１），第一异质结双极型晶体管（ＨＢＴ１）的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管（ＨＢＴ１）的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管（ＨＢＴ２）和第三异质结双极型晶体管（ＨＢＴ３），其中第二异质结双极型晶体管（ＨＢＴ２）的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管（ＨＢＴ２）和第三异质结双极型晶体管（ＨＢＴ３）的集电极是达林顿结构的输出端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘新宇，程伟，金智，王显泰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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