发光二极管及其装置、封装方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种发光二极管及其装置、封装方法，透明基板发光二极管包括透明基板、多个透明导电层、多个金属线路及发光二极管芯片。发光二极管芯片适于发出一光线，且部分光线朝向透明基板射出。发光二极管封装方法包括于透明基板上形成透明导电层；蚀刻透明导电层以形成导电图案；沉积金属于部份透明导电层上以形成交叉金属线路；以及设置发光芯片于金属线路上，使发光芯片与金属线路电性连通。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极管及其封装方法，且特别是有关于一种可双面发光 的发光二极管及其封装方法。
技术介绍
发光二极管因具有省电与体积小的特性，目前已被广泛用于制作各种大小尺寸的 阵列发光模块，以应用于信息、通讯与消费性电子产品的指示灯与显示装置。双面发光的发光模块可应用于LED广告显示屏或掀盖式手机等需要双面板的电 子产品，利用一片可双面发光的面板可达到节省制造成本、降低重量及厚度的效果。然而，传统发光二极管模块的封装制程，不论是利用单颗LED灯封装、表面接着封 装(surface-mount device ；SMD)或覆晶封装，在最后阶段皆需将成品焊设于印刷电路板， 以连结电子电路结构。然而，发光芯片固设于不透明的印刷电路板上，即无法达成双面发光 的目的。此外，一个发光模块可能同时具有多个不同颜色的发光二极管晶粒。以做为背光 模块的白光发光二极管模块为例，将红蓝绿三色发光二极管晶粒组成白光发光模块，因不 同颜色晶粒的磊晶材料不同，连带使电压特性也随之不同，控制线路的设计也更为复杂。因此，需要一种能满足发光模块复杂的电路设计需求，并达成双面发光目的的发 光二极管模块及其封装方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供可双面发光。根据本专利技术一实施方式，提出一种发光二极管，包括透明基板、第一透明导电层、 第二透明导电层、多个金属线路及发光二极管芯片。第一透明导电层及第二透明导电层分别设置于透明基板的一区域上且彼此之间 为电性绝缘。多个金属线路分别设置于第一透明导电层及第二透明导电层上且覆盖部分第 一透明导电层及部分第二透明导电层。发光二极管芯片设置于金属线路上并与金属线路电 性连接。发光二极管芯片适于发出一光线，且部分光线朝向透明基板射出。依照本实施方式的一实施例，发光二极管封装方法包括于透明基板上镀上透明导 电材料，并蚀刻透明导电材料以分别形成第一透明导电层及第二透明导电层。多个金属线 路分别沉积在部份第一透明导电层及部份第二透明导电层上。将发光芯片设置于金属线路 上，使发光芯片与金属线路电性连通。根据本专利技术另一实施方式，提出一种发光二极管装置，包括透明基板、透明导电图 案层、第一金属线路层及第二金属线路层、绝缘层以及发光二极管芯片。透明导电图案层设 置于透明基板上，第一金属线路层及第二金属线路层交叉设置在透明导电图案层上，且第 二金属线路与第一金属线路彼此之间具有绝缘层，用以电性隔离第一金属线路及第二金属 线路。发光二极管芯片设置在第一金属线路及第二金属线路上且与第一金属线路及第二金属线路电性连接。发光二极管芯片适于发出一光线，且部分光线朝向透明基板射出。依照本实施方式的一实施例，发光二极管封装方法包括于透明基板上镀上透明导 电材料，并蚀刻透明导电材料以形成透明导电图案。第一金属线路沉积于一部份透明导电 图案上，第二金属线路沉积于另一部份透明导电图案上，使第一金属线路与第二金属线路 交叉设置在透明导电图案层上，并利用设置在第一金属线路及第二金属线路之间的绝缘层 电性隔离第一金属线路及第二金属线路。发光二极管芯片设置在第一金属线路及第二金属 线路上，且分别与第一金属线路及第二金属线路电性连接。本专利技术的发光二极管模块及其封装方法，能满足发光模块复杂的电路设计需求， 并达成双面发光目的。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详 细说明如下图IA是绘示依照本专利技术一实施方式的一种于透明基板上形成透明导电材料层的 剖面示意图；图IB是绘示在图IA所示的透明导电材料层上形成第一透明导电层及第二透明导 电层的剖面示意图；图IC是绘示在图IB所示的第一透明导电层及第二透明导电层上沉积金属线路的 剖面示意图；图ID是绘示在图IC所示的金属线路上设置发光二极管芯片的剖面示意图；图2为图ID所示的发光二极管的俯视示意图；图3A是绘示依照本专利技术另一实施方式的一种于透明基板上形成透明导电材料层 的剖面示意图；图:3B是绘示在图3A所示的透明导电材料层上形成透明导电图案的剖面示意图；图3C是绘示在图:3B所示的透明导电图案上沉积金属线路的剖面示意图；图3D是绘示在图3C所示的第一、第二金属线路上形成绝缘层的示意图；图3E是绘示在图3D所示的绝缘层上形成连接第二金属线路的不同区段的金属层 的剖面示意图；图3F是绘示在图3E所示的第一金属线路及第二金属线路上的设置发光二极管芯 片的剖面示意图；图4是依照图3A-3F的流程制成的交叉线路示意图。主要组件符号说明100透明基板110 透明导电材料层113第一透明导电层114 第二透明导电层133第一金属线路134 第二金属线路140发光二极管芯片150 发光二极管200透明基板210 透明导电材料212透明导电图案212a 图案212k丨图案212c 图案222 第一金属线路 223 透明基板223a:第二金属线路 223b 区段230 绝缘层240 连接段300 交叉线路 400 发光二极管芯片具体实施例方式请参照图1A-1D，为依照本专利技术一实施方式的发光二极管的制造流程剖面结构示 意图。首先如图IA所示，提供一透明基板100，于透明基板100上形成一层透明导电材料 层110。透明导电材料层110的形成方法例如可为蒸镀法，其厚度可为1600 2100埃(人)， 阻值约为10欧姆(Ω)图IB是绘示在图IA所示的透明导电材料层上形成第一透明导电层及第二透明导 电层的剖面示意图。透明导电材料层110以蚀刻方式形成第一透明导电层113及第二透明 导电层114。蚀刻透明导电材料层的方法例如可为微影蚀刻法。图IC是绘示在图IB所示的第一透明导电层及第二透明导电层上沉积金属线路的 剖面示意图。分别在部份第一透明导电层113上沉积金属线路133，及部份第二透明导电层 114上沉积第二金属线路134。图ID是绘示在图IC所示的金属线路上设置发光二极管芯片的剖面示意图。将发 光二极管芯片140设置于第一金属线路133及第二金属线路134上，使发光二极管芯片140 与第一金属线路133及第二金属线路134电性连通。发光二极管芯片以覆晶方式设置于金 属线路上，设置之方法包括以银胶设置或以共晶接合方式将发光二极管芯片固定于金属线 路上。图2为图ID所示的发光二极管的俯视示意图。图2的ID剖线的剖面结构如图ID 所示。发光二极管150包括透明基板100、第一透明导电层113、第二透明导电层114、第一 金属线路133、第二金属线路134及发光二极管芯片140。第一透明导电层113及第二透明导电层114分别设置于透明基板100的一区域上 且彼此之间为电性绝缘。第一金属线路133设置于第一透明导电层113上，覆盖部分第一 透明导电层113 ；第二金属线路134设置于第二透明导电层114上且覆盖部分第二透明导 电层114。发光二极管芯片140设置于第一金属线路133及第二金属线路134上并与上述 金属线路电性连接。发光二极管芯片140适于发出一光线，且部分光线朝向透明基板射出。依照本实施方式的实施例，透明基板可为玻璃基板、塑料基板或可挠式基板，透明 基板的厚度可为1. 1微米。透明导电层可为氧化铟锡(indium Tin oxide ;ΙΤ0)导电层。 金属线路的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：一透明基板；一第一透明导电层，设置于该透明基板的一区域上；一第二透明导电层，设置于该透明基板的另一区域上且与该第一透明导电层电性绝缘；多个金属线路，分别设置于该第一透明导电层及该第二透明导电层上，且覆盖部分该第一透明导电层及该第二透明导电层；以及一发光二极管芯片，设置于该金属线路上并与该金属线路电性连接，该发光二极管芯片适于发出一光线，且部分该光线朝向该透明基板射出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翁思渊，刘宇桓，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71