带空气间隙的深隔离槽的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，利用某些材料可以加热挥发的特性，采用该种材料作为赝层，通过在深隔离槽中填充赝层形成空气间隙占位，接着利用介质层封口，然后通过光刻刻蚀形成小孔，去除赝层材料形成空气间隙，最后填充介质层再回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙的深隔离槽。该方法可以进一步减小寄生电容以提高深隔离槽的隔离表现，同时工艺控制能力更强，良品率更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件隔离的工艺集成方法，尤其涉及一种带空气间隙的深隔离 槽的制造方法。
技术介绍
半导体器件中，对于不同的器件需要进行隔离，其隔离方法通常采用两种器件隔 离和物理隔离。器件隔离为NP结反向隔断的特性，这种方法通常隔离能力受器件特性限制。物理隔离通常采用绝缘介质作为隔离层，其隔离能力强。目前常用的为局部场绝 缘隔离(LOCOS)，浅槽隔离(STI)或深槽隔离(DTI)。其中LOCOS和STI绝缘层通常深度为 5000埃以下，对于低电压器件结深较浅的器件隔离效果好，工艺成本低。但是对于结深很深 的高压，大电流，大功率的BCD或高频高速的通信用RF CMOS(射频互补金属氧化物半导体) 或Si/Ge HBT (锗硅异质结双极晶体管)器件，需要使用深度很深的DTI物理隔离工艺。对于通常的器件，由于速度要求不高，通常采用在深隔离槽中填充多晶硅的工艺， 工艺比较简单而且可以满足要求。但是对于高速器件，普通的DTI工艺寄生电容很大，在高 频情况下隔离效果会大大降低，为了降低寄生电容，往往将填充材料改为绝缘介质。但是对 于Ft > IOGHz的高频器件，介质层的效果也不好，限制了整体频率的提升。对于目前超高频器件，通常采用Si/Ge HBT工艺，相对的DTI工艺直接采用空气间 隙来填充，此时可以大大降低寄生电容，提高高频下的隔离能力。如图1所示，其传统工艺 为1)光刻刻蚀硅基板1产生深隔离槽2，见图IA ；2)成长侧壁保护层3，见图IB ；3)介质层4填充，见图IC ；4)回刻或通过化学机械抛光(CMP)去除有源区上的介质层4，见图1D。此方法中利用高宽比过大时，填充能力不足以完全填充，必然产生空洞的原理，在 步骤3)中通过调整填充工艺，及深隔离槽的深度和尺寸形成空气间隙。采用传统方法形成的带有空气间隙的DTI时，其空气间隙的大小，位置基本不受 控制，而且很难做的很大，同时对于不同尺寸，不同深度的深隔离槽，其空气间隙的位置不 同，在步骤4)的回刻或CMP中很容易发生空气间隙位置过高而接近于有源区高度导致步骤 4)完成后直接暴露，因此在实际使用中，此方法受限制很大，工艺控制能力弱，而且因为空 气间隙不能很大，寄生电容也不会太小，因此限制了 Ft的提升。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种在深隔离槽中产生足够大的可以控制的空 气间隙的制造方法。该方法可以进一步减小寄生电容以提高深隔离槽的隔离表现，同时工 艺控制能力更强，良品率更高。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，包括 如下步骤(1)光刻刻蚀硅基板形成深隔离槽；(2)在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层；(3)赝层材料填充部分深隔离槽；(4)覆盖介质层填充深隔离槽；(5)光刻刻蚀覆盖介质层，在深隔离槽中心产生小孔；(6)去除赝层材料；该步骤可以采用加热挥发赝层材料，或者采用HF去除赝层材 料；(7)介质层填充覆盖介质层的小孔，在深隔离槽内形成空气间隙；(8)回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层。和现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果和传统的介质层或多晶填充的深隔 离槽相比，本专利技术形成的带空气间隙的深隔离槽，其寄生电容远远小于传统工艺，对于高速 RF器件，Si/Ge器件等有更好的隔离表现。同现有的带有空气间隙的深隔离槽的制造方法 相比，通过使用本专利技术的方法，我们可以得到较大尺寸，具体尺寸可控制，且对不同设计规 则的深隔离槽有高度均一性的空气间隙，可以进一步减小寄生电容以提高隔离表现，同时 工艺控制能力更强，良品率更高。附图说明图1是传统的的流程示意图，其中，1是硅基 板，2是深隔离槽，3是侧壁保护层，4是介质层；图2是本专利技术的流程示意图，其中，11是硅基 板，12是深隔离槽，13是侧壁保护层，14是赝层，15是覆盖介质层，16是小孔，17是空气间 隙。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术提供了一种，利用某些材料可以加热挥 发的特性，采用该种材料作为赝层，通过在深隔离槽中填充赝层形成空气间隙占位，接着利 用介质层封口，然后通过光刻刻蚀形成小孔，加热挥发赝层材料形成空气间隙，最后填充介 质层再回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙的深隔离槽。实施例1如图2所示，本专利技术的实施例之一，具体包括 如下步骤(1)如图2A所示，光刻刻蚀硅基板11产生深隔离槽12 ；步骤(1)中的刻蚀可以采 用光刻胶为掩膜的干法刻蚀，或以氧化物、氮化物或碳化物为第二层硬掩膜(Hard mask)的 干法刻蚀。如果采用的是硬掩膜的干法刻蚀工艺，后续应该有去除该硬掩膜的工艺。(2)如图2B所示，在深隔离槽12的侧壁成长侧壁保护层13 ；步骤⑵中的侧壁保 护层13的材料为氧化物，氮化物或碳化物。(3)如图2C所示，赝层材料填充部分深隔离槽12 (赝层材料填充深度要保证形 成空隙后后续的CMP工艺不会磨到空隙即可，需要根据CMP的工艺能力来决定)，在深隔 离槽12内形成赝层14 ；步骤(3)中的赝层材料为常温下为液态(< 50°C )，一定温度加 热后为固态(100 250°C )，更高温下可以汽化的材料Q50 400°C)，如BARC(Bottom Anti-Reflective Coating，底部抗反射涂层)等有机高分子材料。(4)如图2D所示，覆盖介质层15填充深隔离槽12 ；覆盖介质层15的材料采用 一般的介质层材料，如Si02，SiN等，且覆盖介质层15的材料成膜的温度不能高于赝层材 料的汽化温度O50 400°C )，因此需要采用低温成膜工艺，比如本领域常用的SOG或低 温ALD工艺；SOG为涂布含Si的高分子有机材料，然后加热分解成Si02 ；ALD (Atom layer exposition，原子粒沉积工艺)是可以在很低的温度下成膜的工艺。(5)如图2E所示，光刻刻蚀覆盖介质层15，在深隔离槽12中心产生小孔16 ；步骤 (5)中的光刻区域尺寸大小为0. 02um(微米) 1/2的深隔离槽尺寸之间，且刻蚀完成后底 部小孔16的尺寸< 0. 5um。步骤(5)中的刻蚀方法可以为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。(6)如图2F所示，加热挥发赝层材料，去除赝层14 ；步骤(6)中的加热汽化温度一 般为 250°C 400°C。(7)如图2G所示，介质层(介质层材料一般为Si02，包括各种含其他杂质的Si02， 如B，P，F等)填充覆盖介质层的小孔16，在深隔离槽内形成空气间隙17;步骤(7)中的介 质层沉积工艺为普通介质层沉积工艺，如PVD，CVD，HDP等。形成的空气间隙17的横向及底 部接触为侧壁保护层材料，上部接触为覆盖介质层和介质层材料。形成的空气间隙17横向 尺寸由侧壁保护层决定，深度由赝层材料填充深度决定。(8)如图2H所示，回刻或通过化学机械抛光(CMP)去除有源区上的介质层，形成 具有空气间隙17的深隔离槽；步骤⑶中的回刻或CMP工艺，其目的是去除有源区的介质 层，没有介质层残留在有源区。同时在深隔离槽中的凹陷必须保证空气间隙17上方的介质 层> 500埃。可以残留20 1000埃的介质层作为后续注入的阻挡层，然后在后续的湿法 工艺中去除，但必须同时保证在深隔离槽中空气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）光刻刻蚀硅基板形成深隔离槽；（２）在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层；（３）赝层材料填充部分深隔离槽；（４）覆盖介质层填充深隔离槽；（５）光刻刻蚀覆盖介质层，在深隔离槽中心产生小孔；（６）去除赝层材料；（７）介质层填充覆盖介质层的小孔，在深隔离槽内形成空气间隙；（８）回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31