【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
本专利技术包括一个具有高度线性压控可变电容器新结构，和采用该类压控变容器的数控振荡器结构。１．权利１是由电容和金属氧化物半导体（ＭＯＳ）开关串联组成的单控制端压控可变电容器结构。ｃｔｒｌ是电压控制端，ａ，ｂ是变容器信号端口；电容是集成电路工艺中可以实现的电容结构：如ＭＩＭ电容或者Ｐｏｌｙ电容，开关是Ｎ型金属氧化物半导体（ＮＭＯＳ）或者Ｐ型金属氧化物半导体（ＰＭＯＳ）；变容器的结构可以是图１中所示的任一种形式或任何类似由电容和开关组成形式。
【技术特征摘要】
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