带侧壁保护的腔体制造方法技术

本发明专利技术提供一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括：提供硅基底，在其上形成第一保护层；刻蚀第一保护层，形成多个窗口；刻蚀硅基底，在其中形成多个浅槽；在第一保护层表面和浅槽侧壁及底部淀积第二保护层；刻蚀第一保护层表面和浅槽底部的第二保护层，残留在浅槽侧壁上的第二保护层形成侧壁保护层；刻蚀浅槽，在硅基底中形成多个深槽；腐蚀多个深槽，在硅基底内部形成腔体；将侧壁保护层全部氧化，将腔体完全封闭；将第一保护层去除。此外，本发明专利技术还提供另一种带侧壁保护的腔体制造方法。本发明专利技术通过淀积重掺杂的多晶硅或者硅的氧化物的方式，在浅槽侧壁形成侧壁保护层，在后续的腔体腐蚀的过程中保护浅槽侧壁不受腐蚀，最终密封形成所需的腔体。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
多个所述深槽，在所述硅基底内部形成腔体；采用氧化法将所述浅槽侧壁上的所述侧壁保护层全部氧化，将所述腔体完全封闭；将所述硅基底上的所述第一保护层去除。侧壁及底部淀积第二保护层；刻蚀所述第一保护层表面和所述浅槽底部的所述第二保护层，残留在所述浅槽侧壁上的所述第二保护层形成侧壁保护层；以所述第一保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀多个所述浅槽，在所述硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀１．一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括步骤：提供硅基底，在所述硅基底上形成第一保护层；刻蚀所述第一保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以所述第一保护层为掩模，刻蚀所述硅基底，在所述硅基底中形成多个浅槽；在所述第一保护层表面和所述浅槽

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏佳杰，张挺，邵凯，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31