一种发光二极管的封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种发光二极管的封装结构，包括金属支架脚、硅胶包覆层、绝缘座体以及发光二极管芯片，发光二极管芯片位于金属支架脚顶端，绝缘座体套在金属支架脚上，还包括一环形的基座，所述环形的基座套在所述绝缘座体中，所述环形的基座上设有硅胶支撑槽，所述硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中。本实用新型专利技术由于环形的基座上设有硅胶支撑槽，所述硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中，使得硅胶受热后膨胀后不会发生较大的变形，因而不会影响到照明效果。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管的封装结构。
技术介绍
如图1所示，现有的发光二极管的封装结构包括金属支架脚1、硅胶包覆层2、绝缘座体3以及发光二极管芯片4。发光二极管芯片4位于金属支架脚1顶端，绝缘座体3套在金属支架脚1上后，通过硅胶包覆层2将绝缘座体3和发光二极管芯片4全部包裹在其中。但是，这种发光二极管的封装结构存在以下两个技术问题第一、由于硅胶包覆层2将绝缘座体3和发光二极管芯片4全部包裹在其中，但是由于硅胶没有支撑部，在硅胶受热后会膨胀变形，时间后会影响到照明效果。第二、上述硅胶包覆方式将会使用的硅胶量非常大。
技术实现思路
本技术设计了一种发光二极管的封装结构，其解决的技术问题是(1)现有发光二极管的封装结构中硅胶没有支撑部，在硅胶受热后会膨胀变形，时间后会影响到照明效果；(2)传统硅胶包覆方式将会使用的硅胶量非常大。为了解决上述存在的技术问题，本技术采用了以下方案一种发光二极管的封装结构，包括金属支架脚、硅胶包覆层、绝缘座体以及发光二极管芯片，发光二极管芯片位于金属支架脚顶端，绝缘座体套在金属支架脚上，还包括一环形的基座，所述环形的基座套在所述绝缘座体中，所述环形的基座上设有硅胶支撑槽，所述硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中。进一步，在所述绝缘座体周缘还设有防热膨胀槽。进一步，在所述硅胶包覆层表面涂有一层ZnS基纳米荧光粉层。该发光二极管的封装结构与传统发光二极管的封装结构相比，具有以下有益效果( 1)本技术由于环形的基座上设有硅胶支撑槽，所述硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中，使得硅胶受热后膨胀后不会发生较大的变形，因而不会影响到照明效果。(2)本技术的硅胶包覆方式将会倒置使用的硅胶量减少，降低成本。(3 )本技术由于在发光二极管表面涂有ZnS基纳米荧光粉层，纳米级的ZnS基荧光粉可以均勻的分布并且可以使得发光二极管发出光能经过纳米荧光粉后更加明亮，与涂有普通荧光粉的发光二极管相比，在相同功率下可以达到其照明亮度的1. 5倍，因而可以在相同亮度的要求下，可以减少LED使用的数量。附图说明图1 现有发光二极管的封装结构；图2 本技术发光二极管的封装结构。CN 202084579 U说明书2/2页 附图标记说明1 一金属支架脚；2—硅胶包覆层；3—绝缘座体；4一发光二极管芯片；5—基座； 51—娃胶支撑槽；52—防热膨胀槽。具体实施方式下面结合图2，对本技术做进一步说明一种发光二极管的封装结构，包括金属支架脚1、硅胶包覆层2、绝缘座体3以及发光二极管芯片4，发光二极管芯片4位于金属支架脚1顶端，绝缘座体3套在金属支架脚1 上，一环形的基座5，环形的基座5套在绝缘座体3中，环形的基座5上设有硅胶支撑槽51， 硅胶包覆层2底部落在所述硅胶支撑槽51中。硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中，使得硅胶受热后膨胀后不会发生较大的变形，因而不会影响到照明效果。 在绝缘座体3周缘还设有防热膨胀槽52，当硅胶包覆层2发生膨胀时，膨胀出的体积可以进入到防热膨胀槽52中，而不会影响到硅胶包覆层2原始形状。在硅胶包覆层2表面涂有一层ZnS基纳米荧光粉层。纳米级的ZnS基荧光粉可以均勻的分布并且可以使得发光二极管发出光能经过纳米荧光粉后更加明亮，与涂有普通荧光粉的发光二极管相比，在相同功率下可以达到其照明亮度的1.5倍，因而可以在相同亮度的要求下，可以减少LED使用的数量。上面结合附图对本技术进行了示例性的描述，显然本技术的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围内。权利要求1.一种发光二极管的封装结构，包括金属支架脚(1)、硅胶包覆层(2)、绝缘座体(3)以及发光二极管芯片(4)，发光二极管芯片(4)位于金属支架脚(1)顶端，绝缘座体(3)套在金属支架脚(1)上，其特征在于还包括一环形的基座(5 )，所述环形的基座(5 )套在所述绝缘座体(3 )中，所述环形的基座(5 )上设有硅胶支撑槽(51)，所述硅胶包覆层(2 )底部落在所述硅胶支撑槽(51)中。2.根据权利要求1所述发光二极管的封装结构，其特征在于在所述绝缘座体(3)周缘还设有防热膨胀槽(52)。3.根据权利要求1或2所述发光二极管的封装结构，其特征在于在所述硅胶包覆层 (2)表面涂有一层ZnS基纳米荧光粉层。专利摘要本技术涉及一种发光二极管的封装结构，包括金属支架脚、硅胶包覆层、绝缘座体以及发光二极管芯片，发光二极管芯片位于金属支架脚顶端，绝缘座体套在金属支架脚上，还包括一环形的基座，所述环形的基座套在所述绝缘座体中，所述环形的基座上设有硅胶支撑槽，所述硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中。本技术由于环形的基座上设有硅胶支撑槽，所述硅胶包覆层底部落在所述硅胶支撑槽中，使得硅胶受热后膨胀后不会发生较大的变形，因而不会影响到照明效果。文档编号H01L33/48GK202084579SQ20112020480公开日2011年12月21日 申请日期2011年6月17日 优先权日2011年6月17日专利技术者赵勇, 陈祥龙 申请人:北京中智锦成科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管的封装结构，包括金属支架脚（１）、硅胶包覆层（２）、绝缘座体（３）以及发光二极管芯片（４），发光二极管芯片（４）位于金属支架脚（１）顶端，绝缘座体（３）套在金属支架脚（１）上，其特征在于：还包括一环形的基座（５），所述环形的基座（５）套在所述绝缘座体（３）中，所述环形的基座（５）上设有硅胶支撑槽（５１），所述硅胶包覆层（２）底部落在所述硅胶支撑槽（５１）中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈祥龙，赵勇，
申请(专利权)人：北京中智锦成科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11