一种沉积二氧化硅薄膜的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。本实用新型专利技术沉积二氧化硅薄膜的装置包括：炉管1、闸阀2和过滤器3；其中，所述闸阀2处于所述炉管1和所述过滤器3之间。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置。
技术介绍
在集成电路的制造工艺中，由于注入源、漏杂质时的横向扩散会产生短沟道效应， 使MOS管的开启电压产生变化，而且会使高能量的离子注入会令多晶侧壁损伤，因此，在进行集成电路制造时，经常使用浅结(LDD)注入和侧墙隔离(SPACER)层保护来减少短沟道效应的影响和对多晶侧壁的损伤。在工艺制作时，制作侧墙隔离层所使用的气体为正硅酸乙酯(TEOS)，也就是 Si(0C2H5)4，又称四乙氧基硅烷。采用正硅酸乙酯沉积的二氧化硅薄膜具有良好的柔韧性和台覆性，因此被广泛的用于MOS器件中的侧墙隔离层及电容隔离层。目前，使用低压化学气相沉积方法来沉积二氧化硅薄膜的工艺已经成熟，广泛的用于器件生产制作当中，其主要反应如下Si(0C2H5)4 — Si02+4C2H4+2H20正硅酸乙酯在常温下是一种液体，它在加热之后通过气相传输的方式进入低压炉管，再在低压高温的环境下进行分解反应，实现二氧化硅薄膜的沉积。但是目前普遍遇到的一个难题就是如何去降低沉积过程中所产生的颗粒。正硅酸乙酯分解时属于不完全反应和过量反应，在淀积薄膜的同时，也伴随着大量有机副产物气体分子和残余反应物蒸气的产生，这些副产物是容易冷凝的，为了避免它在炉尾管路内冷凝，通常在炉尾管路外面包上加热带，对管路进行保温，使之保持气体状态，并在加热管路后面设置过滤器(Trap)，用来过滤反应副产物。但是在优化前的管路设计中，很容易在作业和破真空出炉的过程中形成气流倒灌，导致携带尾部管路的制程残留物返回炉管，造成产品颗粒异常。综上所述，目前在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量。
技术实现思路
本技术实施例提供的一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。本技术提供的一种沉积二氧化硅薄膜的装置，包括炉管1、闸阀2和过滤器 3 ；其中，所述闸阀2处于所述炉管1和所述过滤器3之间。较佳的，所述闸阀2用于在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，从开启状态转成关闭状态。较佳的，所述过滤器3用于在二氧化硅薄膜沉积时，过滤沉积二氧化硅薄膜反应过程中的残留物。较佳的，所述装置还包括与所述过滤器连接的泵4。较佳的，所述泵4用于在二氧化硅薄膜沉积时，抽真空。较佳的，所述炉管1用于在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，开启进气口使氮气进入。较佳的，所述炉管1具体用于在闸阀2处于关闭状态一定时长后，开启进气口 5使氮气进入。较佳的，所述炉管1用于在进行破真空出炉时，开启炉门6。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。附图说明图1为本技术实施例第一种沉积二氧化硅薄膜的装置结构示意图；图2为本技术实施例第二种沉积二氧化硅薄膜的装置结构示意图。具体实施方式本技术实施例的沉积二氧化硅薄膜的装置中，将闸阀2置于炉管1和过滤器3 之间。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时， 避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。下面结合说明书附图对本技术实施例作进一步详细描述。如图1所示，本技术实施例第一种沉积二氧化硅薄膜的装置包括炉管1、闸阀2和过滤器3。其中，闸阀2处于炉管1和过滤器3之间。较佳的，闸阀2用于在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，从开启状态转成关闭状态。较佳的，过滤器3用于在进行二氧化硅薄膜沉积时，过滤沉积二氧化硅薄膜反应过程中的残留物。较佳的，炉管1用于在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，开启进气口 5使氮气进入。在实施中，较佳的，炉管1在闸阀2处于关闭状态一定时长后，开启进气口使氮气进入。具体时长可以根据需要进行设定。较佳的，在进行破真空出炉时，炉管1开启炉门6。本技术实施例的装置二氧化硅薄膜沉积完成后，准备破真空出炉时，设定闸阀2关闭，开启进气口 5通入N2 (氮气)让炉管1至闸阀2之间回到大气状态，然后出炉。在闸阀2关闭到氮气开启的瞬间，炉管1相对于炉尾管路及过滤器3是负压的，里面的残余气体容易反向流动(向炉管1流动)，闸阀2设计在过滤器3前，可以避免气体携带过滤器里面的制程残留物倒灌到炉管里面的问题。炉管1破真空完成到打开炉门6出舟之前，管内的气体是过剩的，气体会在炉管1 与炉尾管路之间流动，间阀2设计在过滤器前，可以避免气体携带过滤器里面的制程残留物倒灌到炉管里面的问题。较佳的，本技术实施例的装置还可以进一步包括泵4。具体如图2所示，本技术实施例第二种沉积二氧化硅薄膜的装置还包括与过滤器连接的泵4。较佳的，泵4用于在二氧化硅薄膜沉积时，抽真空。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。权利要求1.一种沉积二氧化硅薄膜的装置，其特征在于，该装置包括炉管(1)、间阀( 和过滤器⑶；其中，所述闸阀(2)处于所述炉管(1)和所述过滤器(3)之间。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述闸阀(2)用于在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，从开启状态转成关闭状态。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过滤器(3)用于在二氧化硅薄膜沉积时，过滤沉积二氧化硅薄膜反应过程中的残留物。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括与所述过滤器连接的泵⑷。5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述泵(4)用于在二氧化硅薄膜沉积时，抽真空。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述炉管(1)用于在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，开启进气口使氮气进入。7.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述炉管(1)具体用于 在闸阀2处于关闭状态一定时长后，开启进气口( 使氮气进入。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述炉管(1)用于 在进行破真空出炉时，开启炉门(6)。专利摘要本技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。本技术沉积二氧化硅薄膜的装置包括炉管1、闸阀2和过滤器3；其中，所述闸阀2处于所述炉管1和所述过滤器3之间。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。文档编号C23C16/455GK202081165SQ20112016838公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月24日 优先权日2本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种沉积二氧化硅薄膜的装置，其特征在于，该装置包括：炉管（１）、闸阀（２）和过滤器（３）；其中，所述闸阀（２）处于所述炉管（１）和所述过滤器（３）之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘根，徐家俊，黄辛庭，秦正健，宋定峰，冯超林，叶双飞，王传鹏，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11