液晶显示元件制造技术

本发明专利技术涉及一种液晶显示元件，其具备：薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的沿着上述薄膜晶体管的沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及配置成辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的液晶显示元件。
技术介绍
近年来，开发了一种使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵型液晶显示元件。在有源矩阵型液晶显示元件中，为了将写入到像素电极中的显示信号电压保持到下一次的写入定时而形成有辅助电容。而且，该辅助电容由被配置成在其与像素电极之间夹设有绝缘层的辅助电容电极形成。不过，在对薄膜晶体管应用了反交错(inversely-staggered)构造(底栅 (bottom gate)构造)的部件的结构中，为了防止因从液晶层侧朝向该薄膜晶体管入射来的光而产生的光泄漏，公知兼用辅助电容电极来作为针对该光的遮光膜(例如日本特开 2004-341185号公报-图5)。即，公知有一种按照与薄膜晶体管重叠的方式，在源/漏电极层与像素电极层之间形成由铬、钼等遮光性的金属构成的辅助电容电极的方法。但是，由于辅助电容电极通过溅射法等被形成为在平坦形成的绝缘层上该辅助电容电极的下表面与绝缘层接触，所以导致辅助电容电极的下表面形成为镜面。因此，从形成有薄膜晶体管的基板侧朝向液晶层的光中、在该薄膜晶体管的附近通过且朝向辅助电容电极的光，以维持高的光量的状态被辅助电容电极反射，即便是反交错构造，该反射光也会入射到薄膜晶体管的半导体层中，存在着在源电极与漏电极之间发生光泄漏电流的问题。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的在于，提供一种即便是辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的构造的情况，也能够抑制光泄漏电流的产生的液晶显示元件。本专利技术的一个方式涉及的液晶显示元件具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。本专利技术的另一个方式涉及的液晶显示元件具备液晶层，配置在共用电极与像素电极之间；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与上述像素电极连接；以及辅助电容电极，被设定为与上述共用电极相等的电位，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沿着沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。本专利技术的又一个方式涉及的液晶显示元件具备扫描线，被配置成在第1方向上延伸；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，并且与上述扫描线连接。上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、与上述第1方向正交的第2 方向上的长度，比上述栅电极的上述第2方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述第2方向上的长度长。根据本专利技术，即使是辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的构造的情况，也能够抑制光泄漏电流的产生。本专利技术的优点将在下面的描述中阐述，部分优点将通过该描述而显现，或通过实践本专利技术而获悉。本专利技术的优点可通过下面具体指出的手段和组合来实现和获得。附图说明附图是说明书的一部分，它们示出了本专利技术当前优选的实施例，并且与上面给出的概要说明和下面给出的优选实施例的详细说明一起阐明本专利技术的原理。图IA是液晶显示元件的概略俯视图。图IB是液晶显示元件的概略剖视图。图2是薄膜晶体管阵列的等价电路的俯视图。图3是第1基板上形成的多层膜的俯视图。图4是沿着图3的A-A'线的区域的剖视图。图5是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示在第1基板上形成了第1导电层的状态。图6是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示对第1导电层进行了构图的状态。图7是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示形成了第1绝缘层、半导体层以及防蚀刻层的状态。图8是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示对防蚀刻层进行了构图的状态。图9是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示形成了欧姆接触层以及金属层的状态。图10是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示对第2导电层进行了构图的状态。图11是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示在第2绝缘层上形成了第3传导层的状态。图12是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示将第3导电层构图为辅助电容电极的状态。图13是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示在第3绝缘层上对接触孔形成用光致抗蚀剂进行了构图的状态。图14是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示在第2绝缘层以及第 3绝缘层中形成了接触孔的状态。图15是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图，表示形成了第4导电层的状态。具体实施例方式下面，参照附图对实施专利技术的方式进行说明。本专利技术的液晶显示元件1如图IA及图IB所示，第1基板2与第2基板3被配置成相互对置。而且，第1基板2与第2基板3通过形成为框形状的密封件4而相互粘合在一起。另外，通过在第1基板2与第2基板3之间向被密封件4包围的区域填充液晶，形成了液晶层5。而且，液晶显示元件1在显示区域6中以矩阵状排列有多个显示像素。液晶显示元件1是有源矩阵型液晶显示元件，图2是第1基板2上形成的薄膜晶体管阵列的等价电路的俯视图。在第1基板2上，按照一个像素电极7与一个显示像素对应的方式，在显示区域6中以矩阵状排列有多个像素电极7。而且，多个像素电极7分别与各自对应的薄膜晶体管8中的源电极和漏电极中的一方、例如源电极S连接。另外，薄膜晶体管8中的源电极和漏电极中的另一方、例如漏电极D与沿着列方向延伸的信号线10连接。并且，薄膜晶体管8中的栅电极G与沿着行方向延伸的扫描线9连接。另外，辅助电容电极11以与薄膜晶体管8重叠的方式形成为格子形状，该辅助电容电极11用于与像素电极7之间形成辅助电容Cs。而且，像素电极7被配置成该像素电极7中的周缘部7a的一部分与辅助电容电极11重叠。这里，薄膜晶体管8作为开关元件发挥功能，例如可以采用 nMOS型的薄膜晶体管。另外，扫描线9用于对薄膜晶体管8的栅电极G供给对薄膜晶体管 8进行导通/截止控制用的扫描信号，信号线10用于经由薄膜晶体管8向像素电极7供给数据信号。另外，扫描线9、信号线10以及辅助电容电极11延伸突出到显示区域6的外侧的区域。而且，扫描线9与在显示区域6的外侧的区域设置的第1外部连接端子12连接，信号线10与在显示区域6的外侧的区域设置的第2外部连接端子13连接，辅助电容电极11 与在显示区域6的外侧的区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示元件，其特征在于，具备：薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠；上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村弥生，下牧伸一，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP