导线式桥接整流装置制造方法及图纸

本发明专利技术为导线式桥接整流装置，包含有多个金属脚架及多个二极管芯片，其中各金属脚架是具有焊垫部，所述多个焊垫部是排列于同一平面，根据桥接电路的分布架构，所述多个二极管芯片其一极性是适当焊接在所述多个焊垫部，另一极性再以多个导线连接至对应的金属脚架，通过导线达成电性连接，本发明专利技术可采用小尺寸的二极管芯片时而不受限制，达到缩减桥接整流装置体积的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种桥接整流装置，特别是指一种由导线电性连接于二极管芯片与金属脚架之间的桥接整流装置。
技术介绍
请参考图5与图6，为一现有桥接整流装置立体分解示意图及组合立体图，现有桥接整流装置是由多个金属脚架41 44与多个芯片51 M堆叠连接形成，其中每一芯片 51 M包含有一第一极性区与一第二极性区，现有桥接整流装置包含有一第一金属脚架41，包含一第一接脚411及第一焊垫部，第一焊垫部的顶面是供一第一芯片51及一第二芯片52的第一极性区电性焊接；一第二金属脚架42，是设于第一金属脚架41的上方，其包含一第二接脚421及一第二焊垫部，所述第二焊垫部的底面是形成一凸部与所述第一芯片51的第二极性区对应焊接，而第二焊垫部的顶面是与一第三芯片53的第一极性区焊接；一第三金属脚架43，是设于第一金属脚架41的上方，其包含一第三接脚431及一第三焊垫部，所述第三焊垫部的底面是形成一凸部与所述第二芯片52的第二极性区对应焊接，而第三焊垫部的顶面是与一第四芯片M的第一极性区焊接；一第四金属脚架44，是设于第二金属脚架42及第三金属脚架43的上方，其包含一第四接脚441及第四焊垫部，其中第四焊垫部的底面是形成两凸部以分别电性焊接所述第三芯片53与所述第四芯片M的第二极性区。请参考图7，为所述现有桥接整流装置的封装后的侧视平面示意图，第一、第二、第三与第四芯片51 M为二极管芯片，其中所述第一极性区可为N型极性，第二极性区相对为P型极性，利用所述组装方式是使多个金属脚架与多个二极管芯片形成交替堆叠的结构。除了所述芯片堆叠式的结构之外，另有一种现有桥接整流装置为非芯片堆叠式的结构，如图8所示，是包含有多个金属脚架61 64与多个芯片71 74其中每一芯片71 74包含有一第一极性区与一第二极性区，请配合图8与图9为非芯片堆叠式桥接整流装置立体分解示意图及组合立体图，所述桥接整流装置包含一第一金属脚架61，包含一第一接脚611及第一焊垫部，第一焊垫部的顶面是供第一芯片71及第二芯片72的第一极性区电性焊接；一第二金属脚架62，包含一第二接脚621及第二焊垫部，第二焊垫部是与第一金属脚架61的第一焊垫部呈同一平面，第二焊垫部的顶面是供第三芯片73及第四芯片74的第二极性区电性焊接；一第三金属脚架63，包含一第三接脚631及第三焊垫部，第三焊垫部的底面是形成两凸部并分别与第一芯片71的第二极性区及第三芯片73的第一极性区电性焊接；一第四金属脚架64，包含一第四接脚641及第四焊垫部，第四焊垫部的底面是形成两凸部并分别与第二芯片72的第二极性区及第四芯片74的第一极性区电性焊接；请参考图10，为所述现有非堆叠式桥接整流装置的封装后的侧视平面示意图，第一、第二、第三与第四芯片71 74为二极管芯片，其中所述第一极性区可为N型极性，第二极性区相对为P型极性，利用所述组装方式使二极管芯片均位在同一平面，但所述多个金属脚架仍是呈现堆叠状态。上述两种现有桥接整流装置皆利用金属脚架上所形成的凸部直接与二极管芯片电性焊接，所述凸部大多是以冲压方式形成，凸部尺寸有一定的极限而无法制作的非常微小。但随着半导体工艺的进步，二极管芯片的尺寸渐渐缩小，可供焊接面积将越来越小，但金属脚架上的凸部却无法与小尺寸的二极管芯片相匹配，以致于现有桥接整流装置仍必须采用较大尺寸的二极管芯片，经封装后成品难以在尺寸上有显著的缩减。对于一电子零组件其体积愈小愈能节省材料成本与增加空间的利用率，综合以上所述，现有两种桥接整流装置以金属脚架直接电性焊接二极管芯片的作法，将会限制一电子零组件体积的缩小程度。
技术实现思路
有鉴于现有金属脚架是直接焊接的作法无法适用小尺寸的二极管芯片与占用空间等缺点，本专利技术导线式桥接整流装置是利用多个导线与二极管芯片电性连接，而可达到缩小桥接整流装置其体积的目的。为了达到上述目的，本专利技术提供一种导线式桥接整流装置，其包含有一第一金属脚架，包含第一接脚及第一焊垫部，所述第一焊垫部是与一第一芯片与一第二芯片的第一极性区焊接；一第二金属脚架，包含第二接脚及第二焊垫部，所述第二焊垫部是与一第三芯片的第一极性区焊接；一第三金属脚架，包含第三接脚及第三焊垫部，所述第三焊垫部是与一第四芯片的第一极性区焊接；一第四金属脚架，包含第四接脚及第四焊垫部；所述第一芯片的第二极性区与所述第二焊垫部之间是以第一导线电性连接；所述第二芯片的第二极性区与所述第三焊垫部之间是以第二导线电性连接；所述第三芯片的第二极性区与所述第四焊垫部之间是以第三导线电性连接；所述第四芯片的第二极性区与所述第四焊垫部之间是以第四导线电性连接；一封装层，是包覆上述多个金属脚架、多个芯片与多个导线，其中所述第一至所述第四接脚穿透出所述封装层。较佳的实施方式中，所述第一、第二、第三及第四焊垫部是排列在同一平面。较佳的实施方式中，所述第一、第二、第三与第四芯片为二极管芯片，其中第一极性区为N型极性，第二极性区为P型极性。较佳的实施方式中，所述第一、第二、第三与第四芯片为二极管芯片，其中第一极性区为P型极性，第二极性区为N型极性。由此，多个导线除了易于焊接小面积的二极管芯片，本专利技术导线式桥接整流装置体积也可较现有桥接整流装置小。附图说明图1为本专利技术导线式桥接整流装置第一较佳实施例立体分解示意图；图2为本专利技术桥接整流装置第一较佳实施例立体示意图；图3为桥式整流电路示意图；图4为本专利技术导线式桥接整流装置第一较佳实施例侧视平面图；图5为现有桥接整流装置立体分解示意图；图6为现有桥接整流装置的组合立体图；图7为现有桥接整流装置的封装后的侧视平面示意图；图8为现有桥接整流装置立体分解示意图；图9为现有桥接整流装置的立体示意图；图10为现有桥接整流装置侧视平面图。附图标记说明11、41、61_第一金属脚架；111、411、611-第一接脚；12、42、62_第二金属脚架；121、421、621-第二接脚；13、43、63_第三金属脚架；131、431、631_第三接脚； 14、44、64_ 第四金属脚架；141、441、641-第四接脚；21、51、71_ 第一芯片；22、52、72_ 第二芯片；23、53、73_第三芯片；24、M、74-第四芯片；31-第一导线；32-第二导线；33-第三导线；34-第四导线；40-封装层。具体实施例方式以下结合附图，对本专利技术上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。请参考图1与图2，本专利技术导线式桥接整流装置第一较佳实施例立体分解示意图与立体示意图，包含有—第一金属脚架11，包含第一接脚111及第一焊垫部，第一焊垫部的顶面是供第一芯片21及第二芯片22的第一极性区电性焊接；一第二金属脚架12，包含第二接脚121及第二焊垫部，第二焊垫部的顶面是供第三芯片23的第一极性区电性焊接；—第三金属脚架13，包含第三接脚131及第三焊垫部，第三焊垫部的顶面是供第四芯片M的第一极性区电性焊接；一第四金属脚架14，包含第四接脚141及第四焊垫部。在所述第一芯片21的第二极性区与所述第二焊垫部之间是以第一导线31电性连接。在所述第二芯片22的第二极性区与所述第三焊垫部之间是以第二导线32电性连接。在所述第三芯片23的第二极性区与所述第四焊垫部之间是以第三导线33电性连接。在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种导线式桥接整流装置，其特征在于，是包含有：一第一金属脚架，包含第一接脚及第一焊垫部，所述第一焊垫部是与一第一芯片与一第二芯片的第一极性区焊接；一第二金属脚架，包含第二接脚及第二焊垫部，所述第二焊垫部是与一第三芯片的第一极性区焊接；一第三金属脚架，包含第三接脚及第三焊垫部，所述第三焊垫部是与一第四芯片的第一极性区焊接；一第四金属脚架，包含第四接脚及第四焊垫部；所述第一芯片的第二极性区与所述第二焊垫部之间是以第一导线电性连接；所述第二芯片的第二极性区与所述第三焊垫部之间是以第二导线电性连接；所述第三芯片的第二极性区与所述第四焊垫部之间是以第三导线电性连接；所述第四芯片的第二极性区与所述第四焊垫部之间是以第四导线电性连接；一封装层，是包覆上述多个金属脚架、多个芯片与多个导线，其中所述第一至所述第四接脚穿透出所述封装层。

【技术特征摘要】
1.一种导线式桥接整流装置，其特征在于，是包含有一第一金属脚架，包含第一接脚及第一焊垫部，所述第一焊垫部是与一第一芯片与一第二芯片的第一极性区焊接；一第二金属脚架，包含第二接脚及第二焊垫部，所述第二焊垫部是与一第三芯片的第一极性区焊接；一第三金属脚架，包含第三接脚及第三焊垫部，所述第三焊垫部是与一第四芯片的第一极性区焊接；一第四金属脚架，包含第四接脚及第四焊垫部；所述第一芯片的第二极性区与所述第二焊垫部之间是以第一导线电性连接； 所述第二芯片的第二极性区与所述第三焊垫部之间是以第二导线电性连接； 所述第三芯片的第二极性区与所述第四焊垫部之间是以第三导线电性连接； 所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭承造，苏俊清，
申请(专利权)人：强茂股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71