一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源制造技术

本发明专利技术属集成电路技术领域，具体涉及一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。它由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器，并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同，其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路，利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，本发明专利技术结构简单，温度系数低，面积小，成本低，适用于各种模拟电路、模数混合电路中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。
技术介绍
电流源是CMOS集成电路中非常重要的基本电路之一，它为芯片中其它模块提供正常工作所必需的偏置电流，因此它的性能也很大程度上影响了整个芯片的性能。与温度无关的电流源广泛应用于模数转换器、数模转换器、Viterbi解码器中。目前，多数应用的电流源温度系数较高，大于IOOOppm/°C，不能满足高精度电路对参考电流源的要求。虽然近年来出现了一些能够实现低温度系数的电流源，但是它们通常来源于双极型带隙基准，结构比较复杂，占用面积大，制造成本高；有些甚至需要在BiCMOS 的工艺下实现，不能与标准CMOS工艺兼容。因此，设计得到一种结构简单、性能稳定、占用芯片面积小，温度系数低、完全与标准CMOS工艺兼容的恒定电流参考源是CMOS高性能集成电路设计领域需要解决的一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术存在的问题，提共一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。本专利技术能克服现有技术的电流源面积大、电流随温度变化明显、制造工艺成本高的缺点，迎合当今电子产品对模拟电流源的要求。本专利技术的新型温度补偿电流源由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器，并自带偏置电路。 高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同，其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路，利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。具体而言，本专利技术提出的一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源由PMOS管4、5、6，NMOS管1、2、3、7，补偿电阻8，运算放大器9经电路连接构成；其中，PMOS 管4、5、6，NMOS管1、2、3、7，补偿电阻8为电流源的主体电路，利用电阻、迁移率、阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿；运算放大器具有很高的增益，以保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同。本专利技术中，新型温度补偿电流源的主体电路由PMOS管4、5、6，NMOS管1、2、3、7，补偿电阻8经电路连接构成；其中，PMOS管4、5、6的源极接电源，栅极与放大器的输出端观相连接，补偿电阻8的一端与PMOS管4的漏极相连，另一端与连接成二极管形式的NMOS管 1的栅极相连，NMOS管1、2、3的源极均接地，NMOS管2的漏极与PMOS管5的漏极、NMOS管 7的栅极连接在一起，NMOS管7的漏极与PMOS管6的漏极连接，源极与连接成二极管形式的NMOS管3相连。PMOS管4、5、6，NM0S管1、2、3、7均工作在饱和区，其中，NMOS管2、3的尺寸相同，PMOS管4、5、6的尺寸相同，以保证三条支路的电流相等，补偿电阻8的电阻值与 NMOS管3的跨导在同一量级、并在版图设计中保证NMOS管1、2的阈值电压相差较小，以满足实现温度补偿电流源的基本条件，NMOS管1的尺寸较大以满足整体环路的稳定要求。本专利技术中，应用运算放大器9保证节点10、11电压相等，它由PMOS管20 25， NMOS管12 19，电阻27，补偿电容沈经电路连接构成；其中，PMOS管20、21连接成电流镜的形式，NMOS管12 15连接成共源共栅电流镜的模式，电阻27连接在NMOS管13的源极与地之间，它们共同组成了放大器的偏置电路；PMOS管22镜像PMOS管21的电流，为运算放大器的第一级提供尾电流源，PMOS管M、25构成差分输入对形式，NMOS管16、17为差分输入管的电流镜负载；NMOS管19作为第二级运放的输入管，它的栅极与第一级运放的输出端四相接，PMOS管23的漏极与NMOS管19的漏极相连，作为NMOS管19的负载，工作在线性区的NMOS管18的栅极与PMOS管21的漏端相接，匪OS管18与电容沈串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间，形成动态的密勒补偿，运放的输出端观与PMOS管 4、5、6的栅极连接在一起。其中，除了 NMOS管18工作在线性区，其他MOS管均工作在饱和区，为了实现低功耗、高增益的特点，MOS管的栅长大于1 μ m，偏置电流、MOS管的宽长比较小。本专利技术的优点在于本专利技术所实现的温度补偿电流源具有完全与标准CMOS工艺兼容、温度系数低，结构简单，面积小，成本低等优点，适用于各种模拟电路、模数混合电路中。附图说明图1 本专利技术完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源的电路实现图。图2本专利技术中应用的运算放大器的电路实现图。图中标号说明1、2、3、7、12、13、14、15、16、17、18、19 为 NMOS 管，4、5、6、20、21、22、 23、24、25为PMOS管，8为补偿电阻，9为运算放大器，26为补偿电容，27为偏置电阻，10、11 为运算放大器的输入端口，28为运算放大器的输出端口。具体实施例方式下面结合附图进一步描述本专利技术。实施例1本专利技术示例性的整个温度补偿电流源的电路实现如图1所示。图中，PMOS管4、5、 6接成电流镜的形式以保证三条之路的电流相等，运算放大器9有足够高的增益使得节点 IOUl的电压相等，即得到电阻8与NMOS管1的栅源电压之和等于NMOS管3、7的栅源电压之和，通过这一等式关系，使得参考电流源能够利用电阻、MOS管迁移率、阈值电压的不同温度系数实现温度补偿，从而得到一个温度系数较低的参考电流源。其中，PMOS管4、5、6的源极接电源，栅极与放大器的输出端观相连接，补偿电阻8的一端与PMOS管4的漏极相连， 另一端与连接成二极管形式的NMOS管1的栅极相连，NMOS管1、2、3的源极均接地，NMOS管 2的漏极与PMOS管5的漏极、NMOS管7的栅极连接在一起，NMOS管7的漏极与PMOS管6 的漏极连接，源极与连接成二极管形式的NMOS管3相连。PMOS管4、5、6，NMOS管1、2、3、84均工作在饱和区，其中，NMOS管2、3的尺寸相同，PMOS管4、5、6的尺寸相同，以保证三条支路的电流相等，补偿电阻8的电阻值与NMOS管3的跨导在同一量级、并在版图设计中保证 NMOS管1、2的阈值电压相差较小，以满足温度补偿所需的假设条件，NMOS管1的尺寸应较大以满足整体环路稳定的要求。图2所示为图1中运算放大器9的电路实现。图中PMOS管20、21连接成电流镜的形式，NMOS管12 15连接成共源共栅电流镜的模式，电阻27连接在NMOS管13的源极与地之间，它们共同组成了放大器的偏置电路；PMOS管22镜像PMOS管21的电流，为运算放大器的第一级提供尾电流源，PMOS管M、25构成差分输入对形式，NMOS管16、17为差分输入管的电流镜负载；NMOS管19作为第二级运算放大器的输入管与第一级运算放大器的输出端四相接，PMOS管23作为NMOS管19的负载，工作在线性区的NMOS管18与电容沈串联在第一级运算放大器的输出端与第二级运算放大器的输出端之间，NMOS管18的栅极与PMOS管21的漏端相接，形成动态的密勒补偿，运算放大器的输出端观与电流源主体电路中的PMOS管4 6的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种完全与标准ＣＭＯＳ工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于由ＰＭＯＳ管（４、５、６）、ＮＭＯＳ管（１、２、３、７）、补偿电阻（８）、运算放大器（９）经电路连接构成；其中，运算放大器具有高增益，保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同，ＰＭＯＳ管（４、５、６）、ＮＭＯＳ管（１、２、３、７）、补偿电阻（８）组成电流源的主体电路，电阻、ＭＯＳ管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿。

【技术特征摘要】
1.一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于由PMOS管0、5、6)、 NMOS管(1、2、3、7)、补偿电阻(8)、运算放大器(9)经电路连接构成；其中，运算放大器具有高增益，保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同，PMOS管G、5、6)、NM0S管(1、2、 3、7)、补偿电阻⑶组成电流源的主体电路，电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿。2.根据权利要求1所述的完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的主体电路由PMOS管G、5、6)、NM0S管(1、2、3、7)经电路连接构成；其中，PMOS管(4、5、 6)的源极接电源，栅极与放大器的输出端08)相连接，补偿电阻(8)的一端与PMOS管(4) 的漏极相连，另一端与连接成二极管形式的NMOS管(1)的栅极相连，NMOS管(1、2、；3)的源极均接地，NMOS管⑵的漏极与PMOS管(5)的漏极以及NMOS管(7)的栅极连接在一起， NMOS管(7)的漏极与PMOS管(6)的漏极连接，NMOS管(7)的源极与连接成二极管形式的 NMOS管(3)相连。3.根据权利要求2所述的完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的电流源主体电路中，所有MOS管均工作在饱和...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵喆，周锋，黄圣专，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31