一种可控硅的隔离触发电路制造技术

技术编号:6948938 阅读:498 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种可控硅的隔离触发电路,包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器U51、及双向可控硅TR51;双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连,其T1极接交流电源的另一端;二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极;晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端,其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连,晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极;稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的T1极之间。本实用新型专利技术提供的可控硅的隔离触发电路具有结构简单、成本较低的优点。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电路结构,尤其涉及一种可控硅的隔离触发电路
技术介绍
目前,大量的电路中需要用可控硅进行隔离,尤其是家用电器,例如变频洗衣机、 变频空调等。现有技术中可控硅的隔离触发主要有以下两种方式第一种、用光控双向可控硅, 如图ι所示,这种控制方法利用MCU的控制信号TR2,当TR2为高电平时,三极管Q21导通, 双向可控硅IC21导通,从而可控硅TR21导通。由于双向可控硅IC21的输出端需要是耐高压的,所以其价格较高;第二种、利用变压器隔离,如图2所示,其提供一组与控制电路的电源独立的电源,该电源和AC交流输入只有单点联接,是相对独立的。该电路具有至少两路的输出,且输出端完全隔离。其控制导通的回路是从AC220L -Tl - G-R31 - U31 一 Gndl-,由于该触发回路电压为低压,所以其可以用到只有几十伏耐压的成本较低的普通光藕,但是该控制方法由于需要额外的一组回路,且增加了变压器其变压器的外围电路,使电路结构较复杂,且增加了电路成本,同时由于其中一路电源是由变压器引出,从物理空间的角度,其与用电端(可控硅)较远,不方便布线,其会增加PCB的尺寸及成本。所以,现有技术中对可控硅进行隔离触发的电路结构较复杂,成本较高。可以理解的是,本部分的陈述仅仅提供与本技术相关的背景信息,可能构成或不构成所谓的现有技术。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对现有技术中可控硅进行隔离触发的电路结构较复杂,成本较高的缺陷,提供一种结构简单、成本较低的可控硅隔离触发电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种可控硅的隔离触发电路,其特征在于,包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器TOl、 及双向可控硅TR51 ;双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管 D51的阳极相连,其Tl极接交流电源的另一端;二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极;晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端,其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连,晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极;稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的Tl极之间。本技术提供的可控硅的隔离触发电路中,也可以用单向可控硅替换双向可控硅,单向可控硅的阳极的电路接法与双向可控硅的T2极相同,单向可控硅的阴极的电路接法与双向可控硅的Tl极相同。在上述可控硅的隔离触发电路中,所述稳压件为电阻或稳压管。在上述可控硅的隔离触发电路中,所述电容C51为极性电容。本技术提供的可控硅的隔离触发电路,其采用普通的光耦即可隔离可控硅, 且仅采用一个二极管、三个电阻、一稳压件及一电容即可触发光耦,所以本技术提供的电路能实现可控硅的隔离触发的同时,元器件少且简单,从而整个电路简单、成本较低。附图说明图1为现有技术中的可控硅的隔离触发的电路图;图2为现有技术中的又一可控硅的隔离触发的电路图;图3是本技术提供的可控硅的隔离触发电路的一优选实施例的电路图。具体实施方式为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。本技术提供的可控硅的隔离触发电路主要利用晶体管耦合器(即本领域技术人员熟知的普通光耦)及简单的低廉的电子元器件即可实现可控硅的隔离触发。本技术提供的可控硅的隔离触发电路包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器TO1、及双向可控硅TR51 ;双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连,其Tl极接交流电源的另一端;二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极;晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端,其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连,晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极;稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的Tl极之间。优选地,稳压件为电阻或稳压管,参见图3,其为本技术提供的双向可控硅的隔离触发电路的一优选实施例的电路图,其中稳压件采用电阻R54,分压电阻R54的主要作用是柑位电压。本技术提供的可控硅的隔离触发电路也可用于单向可控硅,包括二极管D51、 电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器TOl、及单向可控硅TR51 ;单向可控硅 TR51的阳极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连,其阴极接交流电源的另一端;二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极;晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端,其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连,晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接单向可控硅的门极,稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与单向可控硅的阴极之间。由于单向可控硅较少用于交流电中进行隔离,且其电路连接方法与上述的双向可控硅的一样,故此处省去其电路图。再参见图3,下面结合可控硅为双向可控硅的电路结构将本技术提供的隔离触发电路的工作原理描述如下二极管D51将市电的交流电整流为直流电,电阻R53及R54 分压,在电阻R53及R54的连接点处分压出较低的稳定电压以触发晶体管耦合器TO1,然后晶体管耦合器U51驱动可控硅导通且同时隔离了可控硅。其中,可控硅用的电源可以就近取,其可直接从二极管整流分压后由晶体管耦合器直接提供,如图中power M端提供。在电源处于交流电的正半周时,电流从AC220 _ L流经D51、R53及R54,然后到AC220 — N, C51为电源存储能量。在AC电源是负半周时,电容C51开始放电,电流可能的路径为R52 — R53 — D51,由于D51反向偏置,所以负半周电流不能通过。因此,在光藕导通时,触发电路将工作,可控硅触发导通回路为C51的正极一 U51 - R51 - G-Tl - C51的负极。本电路利用R53及R54的分压,高电压被分至R53上,所以可以用到低耐压的普通的光藕。在光藕断路时,由于R54的分压作用,在光藕输出的两端不会产生高电压,确保光藕U51不会被击穿。其中,二极管D51为能耐高压的二极管,例如廉价的D51(可用1N4007)耐压1000V, 其能足够保证在负半周时不会被击穿,从而使电路可以可靠地工作。所以,本技术提供的可控硅的隔离触发电路中电子元器件少,且均为成本较低的元器件,其使整个电路结构简单,成本较低。优选地,电容C51为极性电容,其正极与晶体管耦合器的三极管的集电极相连,其负极与单向可控硅的阴极相连,以更好的保持电路工作的稳定可靠性及降低成本 (当可控硅为单向可控硅时,电容C51的连接原理与此相同)。本领域技术人员熟知可采用其它稳压电路来代替上述稳压件,以将POWER —M点稳定到一定电压范围,其为本领域常用技术手段,其均包含在本技术的保护范围之内。本技术提供的可控硅的隔离触发电路可以广泛的应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅的隔离触发电路,其特征在于,包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器U51、及双向可控硅TR51;双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连,其T1极接交流电源的另一端;二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极;晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端,其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连,晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极;稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的T1极之间。

【技术特征摘要】
1.一种可控硅的隔离触发电路,其特征在于,包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器TO1、及双向可控硅TR51 ;双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连,其Tl极接交流电源的另一端;二极管D51 的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极;晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端,其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连,晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极;稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的Tl极之间。2.如权利要求1所述的隔离触发电路,其特征在于,所述稳压件为电阻或稳压管。3.如权利要求1所述的隔离触发电路,其特征在于,所述电容C51为极性电容,其正极与晶体管耦合器的三极管的集电极相连,其负极与双向可控硅的T...

【专利技术属性】
技术研发人员:何山
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:94

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