【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳制造领域，具体涉及。
技术介绍
纳米压印技术以其高效率、高精度、低成本的优势被认为具有广阔应用前景的下一代光刻技术。纳米压印技术不但在集成电路制造领域具有广阔的应用价值，在其它微/ 纳制造领域中也具有重要的研究和应用价值。传统的纳米压印技术利用高精度的模板压入涂覆在衬底上的阻蚀胶，阻蚀胶固化后进行脱模即可获得与模板相应的阻蚀胶图案。传统的纳米压印需要在机械压力作用下使模具压入阻蚀胶，较大压印力可能会使模具发生变形影响复形精度，还会增加多层对准的难度，甚至会使模具或衬底发生不可恢复的形变。并且阻蚀胶的图案是在一次压印中完成的，无法获得具有任意高度的阻蚀胶图案。流体介电泳力是针对在电场中的介电液体而言的，该力作用在气液界面，从液相指向气相，拉动介电流体而运动。流体介电泳力可以有效的控制微/纳流体的流动，目前在微流控中已获得广泛的应用。已有研究表明，利用介电泳力来驱动预聚物填充模具腔体，以代替传统的机械压力压印过程，从而可以克服较大的机械压力带来的弊端。利用探针电极产生局部电场可在局部产生流体介电泳力，使该部分模具腔体得到填充，而周围其他部分腔体不被聚合物填充，并且通过控制探针电极的扫描轨迹及施加电压的大小，可以实现对模具不同位置的不同深度填充，填充结束后将模具并转移到衬底上再固化聚合物并脱模，即可获得具有三维特征的微/纳结构。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供，使聚合物在模具的不同位置实现不同深度的填充，能够复制出三维微/纳结构。为了达到上述目的，本专利技术采取的技术方案为—种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压...
【技术保护点】
１．一种三维微／纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法，其特征在于，包括下列步骤：１）加工导电模具，在硅片或石英上刻蚀出具有微米或纳米级图案结构，然后在图案结构的表面顺序制备一透明导电层和介电层，透明导电层的厚度为５０ｎｍ，介电层的厚度为模具腔体宽度的１／１０～１／１００，透明导电层为氧化铟锡ＩＴＯ，介电层为ＳｉＯ２，当导电模具采用硅片时，无需再淀积透明导电层，其介电层通过热氧工艺获得，２）在导电模具上匀胶，在导电模具上旋涂紫外光固化胶、热固化胶或热熔胶，胶的厚度为模具腔体深度的２倍，３）探针电极扫描填充，将探针电极插入或接触阻蚀胶薄膜，在导电模具和探针电极间施加直流电压，电压大小以介电层不被击穿为限，然后移动探针电极，则探针电极扫描过的模具腔体会被聚合物填充进去，４）阻蚀胶转移，将目标基底覆盖在阻蚀胶膜上，然后将阻蚀胶固化，固化后脱模，即可得到具有三维结构的微／纳米图案，目标衬底为硅或石英。
【技术特征摘要】
1. 一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法，其特征在于，包括下列步骤1)加工导电模具，在硅片或石英上刻蚀出具有微米或纳米级图案结构，然后在图案结构的表面顺序制备一透明导电层和介电层，透明导电层的厚度为50nm，介电层的厚度为模具腔体宽度的1/10 1/100，透明导电层为氧化铟锡ΙΤ0，介电层为Si02，当导电模具采用硅片时，无需再淀积透明导电层，其介电层通过热氧工艺获得，2)在导电模...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁玉成，邵金友，刘红忠，李祥明，田洪淼，黎相孟，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87
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