开关组件制造技术

一种开关组件，其包括一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一漏电流抑制层。栅绝缘层配置于栅极与信道层之间，源极与漏极分别与通道层接触，且源极与漏极彼此分离。漏电流抑制层配置于信道层上，漏电流抑制层位于源极与漏极之间以于通道层中形成一材料诱发空乏区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种开关组件，且特别是关于一种具有漏电流抑制层(leakage current restrain layer)以及材料诱发空乏区(material-induced depletion region) 的开关组件。
技术介绍
近年来，薄膜晶体管在液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的应用日趋广泛，且相关的产品也在陆续量产中。一般而言，薄膜晶体管大致上可区分为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管等。不论是何种型态的薄膜晶体管，其在关闭状态(Off state)下的漏电流是无法完全避免的。漏电流产生的原因主要是因为通道层的厚度过厚以及制程条件(如通道层的沉积条件、主动层的后制程(如紫外光照射)、离子布植的制程条件等)不稳定所导致。当信道层的厚度过后或者形成通道层的制程条件不稳定时，栅极对于通道层的控制能力便会下降，导致背通道效应(back channel effect) 0 详言之，在与源极以及漏极接触的通道层表面上会有漏电路径(leakage path)产生，此位于源极与漏极之间的漏电路径将使得漏电流无法被抑制，进而导致薄膜晶体管的电气特性T^ ο承上所述，如何进一步改善薄膜晶体管的电气特性，以有效降低薄膜晶体管在关闭状态下的漏电流，实为研发者目前亟欲解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有漏电流抑制层以及由漏电流抑制层诱发所形成的材料诱发空乏区的开关组件。本专利技术提供一种开关组件，其包括一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一漏电流抑制层。栅绝缘层配置于栅极与信道层之间，源极与漏极分别与通道层接触， 且源极与漏极彼此分离。漏电流抑制层配置于信道层上，漏电流抑制层位于源极与漏极之间以于通道层中形成一材料诱发空乏区。一种开关组件，包括一栅极；一通道层；一栅绝缘层，配置于该栅极与该通道层之间；一源极；一漏极，该源极与该漏极分别与该通道层接触，且该源极与该漏极彼此分离；以及一漏电流抑制层，配置于该信道层上，该漏电流抑制层位于该源极与该漏极之间以于该通道层中形成一材料诱发空乏区。所述的开关组件，其特征在于，包括该漏电流抑制层不与该源极以及该漏极接触。所述的开关组件，其特征在于，包括该漏电流抑制层为电性浮置。所述的开关组件，其特征在于，包括该漏电流抑制层为电性耦接于一固定电位。所述的开关组件，其特征在于，包括该漏电流抑制层与该源极电性连接或与该漏极电性连接。所述的开关组件，其特征在于，包括该源极与该漏极的材质相同，而该源极以及该漏极的材质与该漏电流抑制层的材质不同。所述的开关组件，其特征在于，包括该漏电流抑制层的材质包括半导体或金属。所述的开关组件，其特征在于，包括该信道层的材质包括硅基半导体、锗基半导体或金属氧化物半导体。所述的开关组件，其特征在于，还包括一配置于该信道层上的蚀刻终止层，其中该源极与该漏极覆盖部分的该蚀刻终止层以及部分的该通道层，而该漏电流抑制层为嵌于该蚀刻终止层中并与该通道层接触。所述的开关组件，其特征在于，还包括一覆盖该通道层、该源极与该漏极的保护层，其中该通道层为覆盖部分该源极与部分该漏极，而该漏电流抑制层为嵌于该保护层中并与该通道层接触。所述的开关组件，其特征在于，还包括一覆盖该通道层、该源极、该漏极与该漏电流抑制层的保护层，其中该通道层为覆盖部分该源极与部分该漏极。在本专利技术的一实施例中，前述的漏电流抑制层不与源极以及漏极接触。在本专利技术的一实施例中，前述的漏电流抑制层为电性浮置(electrical floating)。在本专利技术的一实施例中，前述的漏电流抑制层为电性耦接于一固定电位。在本专利技术的一实施例中，前述的漏电流抑制层与源极电性连接或与漏极电性连接。在本专利技术的一实施例中，前述的源极与漏极的材质相同，而源极以及漏极的材质与漏电流抑制层的材质不同。在本专利技术的一实施例中，前述的漏电流抑制层的材质包括半导体或金属。在本专利技术的一实施例中，前述的通道层的材质包括硅基(silicon-based)半导体、锗基(germanium-based)半导体或金属氧化物半导体。在本专利技术的一实施例中，前述的开关组件可进一步包括一配置于信道层上的蚀刻终止层，其中源极与漏极覆盖部分的蚀刻终止层以及部分的通道层，而漏电流抑制层为嵌于蚀刻终止层中并与通道层接触。在本专利技术的一实施例中，前述的开关组件可进一步包括一覆盖通道层、源极与漏极的保护层，其中通道层为覆盖部分源极与部分漏极，而漏电流抑制层为嵌于保护层中并与通道层接触。在本专利技术的一实施例中，前述的开关组件可进一步包括一覆盖通道层、源极、漏极与漏电流抑制层的保护层，其中通道层为覆盖部分源极与部分漏极。由于本专利技术的开关组件具有漏电流抑制层以及由漏电流抑制层诱发所形成的材料诱发空乏区，因此本专利技术的开关组件具有良好的电气特性(electrical characteristics)0为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例， 并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术第一实施例的主动组件的剖面示意图；图2为本专利技术第二实施例的主动组件的剖面示意图；图3为本专利技术第三实施例的主动组件的剖面示意图；图4为本专利技术第四实施例的主动组件的剖面示意图；图5A至图5C为栅极电压(gate voltage)与漏极电流(drain current)的关系图。附图标识100、100’、100”、100”，主动组件110:漏电流抑制层120 材料诱发空乏区130 蚀刻终止层140 保护层G 栅极GI 栅绝缘层C、C，通道层S 源极D 漏极具体实施例方式第一实施例为，图1为本专利技术第一实施例的主动组件的剖面示意图。请参照图1， 本实施例的开关组件100包括一栅极G、一通道层C、一栅绝缘层GI、一源极S、一漏极D以及一漏电流抑制层110。栅绝缘层GI配置于栅极G与通道层C之间，源极S与漏极D分别与通道层C接触，且源极S与漏极D彼此分离。此外，漏电流抑制层110配置于信道层C上， 且漏电流抑制层110位于源极S与漏极D之间以于通道层C中形成一材料诱发空乏区120。从图1可知，本实施例的源极S与漏极D例如为形成于信道层C的部分区域上，且漏电流抑制层110不与源极S以及漏极D接触。举例而言，本实施例的漏电流抑制层110 例如是电性浮置，或者是耦接于一固定电位。然而，本专利技术并非限定漏电流抑制层110不得与源极S以及漏极D接触，在其它可行的实施例中，漏电流抑制层110可选择性地与源极S 电性连接或是与漏极D电性连接。此时，漏电流抑制层110的电位便与所述电性连接的源极S或漏极D相同。值得注意的是，漏电流抑制层110不得同时与源极S以及漏极D电性连接。请继续参照图1，主动组件100中的源极S与漏极D例如是采用相同材质制作，举例而言，源极S与漏极D例如是凭借图案化(例如微影蚀刻制程)同一层导体层所形成的。 源极S与通道层C之间以及漏极D与通道层C之间会形成奥姆接触(ohmic contact)。此外，源极S以及漏极D的材质与漏电流抑制层110的材质不同，举例而言，源极S与漏极D是凭借图案化(例如微影蚀刻制程)同一层导体层所形成的，而漏电流抑制层110是凭借图案化(例如微影蚀刻制程)另一层导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种开关组件，包括：一栅极；一通道层；一栅绝缘层，配置于该栅极与该通道层之间；一源极；一漏极，该源极与该漏极分别与该通道层接触，且该源极与该漏极彼此分离；以及一漏电流抑制层，配置于该信道层上，该漏电流抑制层位于该源极与该漏极之间以于该通道层中形成一材料诱发空乏区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冉晓雯，陈蔚宗，林建宏，方俊雄，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71