一种铌、LOW-E玻璃及其制造方法技术

本发明专利技术涉及低辐射玻璃（即LOW-E玻璃），特别是一种鈮、LOW-E玻璃及其制造方法。它使用浮法超白玻璃作为基片，并采用离线真空溅射法将铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭作为靶材溅镀到基片上形成镀膜层；其中，镀膜层厚度为10um-25um。它能对太阳光中可见光有高的透射效率可达93%以上，而反射比则很低，保证了建筑物良好的采光，又避免了光污染，营造柔和、舒适的光环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低辐射玻璃(即LOW-E玻璃)，特别是一种铌、LOff-E玻璃及其制造方法。
技术介绍
随着经济的发展，玻璃在建筑行业中的使用量不断增大。近代建筑上除了考虑美学和外观特征外，现在更注重的是如何控制热量、室内制冷成本和内部阳光投射舒适的整体平衡问题。目前，能源短缺的问题已经越来越凸显出来，如何减少建筑能耗也成为人们普遍关注的问题，而现有的外门窗玻璃的热辐射能耗损失是建筑物总能耗的50%以上，这是十分可惜的。为此，LOW-E玻璃就应运而生。这种产品是在玻璃表面镀上多层金属或其它化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异个隔热效果和良好的透光性。目前的LOW-E玻璃生产方法有在线高温热解沉积法和离线真空溅射法两种。其中又以离线真空溅射法使用最为普遍。和高温热解沉积法不同，溅射法是离线的。且据玻璃传输位置的不同有水平及垂直之分。现有的溅射法工艺生产LOW-E玻璃，需一层纯银薄膜作为功能膜。纯银膜在二层金属氧化物膜之间。金属氧化物膜对纯银膜提供保护，且作为膜层之间的中间层增加颜色的纯度及光透射度。垂直式生产工艺中，玻璃垂直放置在架子上，送入KT1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体(惰性气体Ar或反应气体02、N2),并保持真空度稳定。将靶材Ag、Si等嵌入阴极，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶。以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体。其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃表面来回移动。为了取得多层膜，必须使用多个阴极，每一个阴极均是在玻璃表面来回移动，形成一定的膜厚。水平法在很大程度上是和垂直法相似的。主要区别在玻璃的放置，玻璃由水平排列的轮子传输，通过阴极，玻璃通过一系列销定阀门之后，真空度也随之变化。当玻璃到达主要溅射室时，镀膜压力达到，金属阴极靶固定，玻璃移动。在玻璃通过阴极过程中，膜层形成。但是，上述现有技术中采用的纯银膜将大大提高产品的成本，而且镀膜玻璃不能直接进行钢化操作，而且在钢化过程中，镀膜层常常容易被破坏，造成产品功能缺失。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铌、LOW-E玻璃及其制造方法，它主要解决现有离线真空溅射法生产LOW-E玻璃所存在的缺陷，它能对太阳光中可见光有高的透射效率可达93% 以上，而反射比则很低，保证了建筑物良好的采光，又避免了光污染，营造柔和、舒适的光环本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是。一种铌、LOW-E玻璃，其特征在于它使用浮法超白玻璃作为基片，并采用离线真空溅射法将铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭作为靶材溅镀到基片上形成镀膜层；其中，镀膜层厚度为10 um—25um。一种铌、LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于它包括如下步骤，将浮法超白玻璃基片送入10—1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如惰性气体Ar或反应气体02、 N2,并保持真空度稳定；将靶材铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭依次嵌入阴极，并在与阴极垂直的方向置入磁场从而构成磁控靶；以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。所述的铌、LOff-E玻璃的制造方法，其特征在于为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃基片表面来回移动。本专利技术的有益效果是。1)本专利技术LOW-E玻璃具有可见光的高透过率达到90%以上和阻断紫外线的阻断效率达到50%以上。2)本专利技术LOW-E玻璃采用能够获得比能和光透过率高的镀膜层铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭作为镀膜层特性的靶材，与采用纯银膜的产品相比，将大大降低产品的成本。3)本专利技术的LOW-E玻璃的镀膜靶材包括炭，它解决了镀膜玻璃不能直接钢化的技术难题，它可利用炭性能的辐射热传递进行钢化，镀膜层牢固，在环境中不霉变不变质，具有安全性。具体实施例方式本专利技术公开了一种铌、LOW-E玻璃及其制造方法。其制造方法包括如下步骤，将浮法超白玻璃基片送入 ο—1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如惰性气体Ar或反应气体02、N2，并保持真空度稳定；将靶材铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭依次嵌入阴极， 并在与阴极垂直的方向置入磁场从而构成磁控靶；以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源， 在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体，电子在电场和磁场的共同作用下， 进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃基片表面来回移动。本专利技术采用的离线真空溅射法的工艺步骤与现有工艺步骤基本一致，也可以包括水平和垂直两种操作方式，其主要不同之处就是靶材的选择方面。本专利技术方法步骤中，要求选择高质量的浮法超白玻璃作Low-E玻璃的基片，然后按照要求实施玻璃深加工，制成一定规格的外型要求、进入玻璃清洗、烘干程序、工序在保证玻璃质量的前提下提供镀膜。本专利技术方法步骤中，选择作为镀膜层的铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭作为靶材材料，按照一定的程序排列，但必须把炭作为最后排列项目。本专利技术方法步骤中，设定的玻璃输送速度(如水平输送)为5-6米/分和各靶材射沉积效率，来决定镀膜层的厚度从而实现镀膜光谱效果，其镀膜厚度，一般控制在10 um—25um。本专利技术方法生产获得的LOW-E玻璃产品，其在350nm-800 nm的太阳光透过率可达到85%以上。具有原料易获得，制造成本低有一定的经济竞争性。综上所述，仅为本专利技术的较佳实施例而已，并非用来限定本专利技术的实施范围，即凡依本专利技术申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应为本专利技术的技术范畴。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种铌、ＬＯＷ－Ｅ玻璃，其特征在于：它使用浮法超白玻璃作为基片，并采用离线真空溅射法将铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭作为靶材溅镀到基片上形成镀膜层；其中，镀膜层厚度为１０　ｕｍ－－２５ｕｍ。

【技术特征摘要】
1.一种铌、LOW-E玻璃，其特征在于它使用浮法超白玻璃作为基片，并采用离线真空溅射法将铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭作为靶材溅镀到基片上形成镀膜层；其中，镀膜层厚度为 10 um—25um。2.—种铌、LOW-E玻璃的制造方法，其特征在于它包括如下步骤，将浮法超白玻璃基片送入10—1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如惰性气体Ar或反应气体02、 N2,并保持真空度稳定；将靶材铌、氧化锌、纳米级无机硅及炭依次嵌入阴极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮洪良，阮泽云，
申请(专利权)人：福莱特光伏玻璃集团股份有限公司，上海福莱特玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：33