【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多晶硅锭切方的加工技术，具体涉及一种开方机中多晶硅锭的放置结构。
技术介绍
多晶硅锭在铸锭炉内生产过程中，在惰性气体环境下，将石英坩埚内的半导体材料硅融化；通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而控制晶体由下往上定向生长， 在生长过程中，硅料中含有的杂质会自动聚集到多晶硅锭的上表面。若多晶硅锭不翻转，直接放入开方机中开方，会造成多晶硅棒暗裂、拉锭的现象发生。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种开方机中多晶硅锭的放置结构，解决了因多晶硅锭在开方前没有翻锭所引起的多晶硅棒暗裂、拉锭，从而影响产量和增加了生产成本等问题。本技术采用的技术方案是一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭、晶托和杂质层，所述多晶硅锭的下表面设置有杂质层，所述杂质层的下表面与所述晶托固定连接。本技术通过发泡剂将多晶硅锭与晶托粘牢后放入多线开方机中，开方机通过钢线将硅锭切成25个多晶硅棒。当钢线切至晶托与多晶硅锭连接处时，多晶硅锭底部的部分一般都会出现暗裂和拉锭的现象。多晶硅锭翻转后再开方时，出现暗裂和拉锭的部分就会在杂质层中，而在下一道工序中杂质层会被切除，所以即使出现暗裂和拉锭现象也不会对产品的合格率、产量等产生影响。有益效果本技术将多晶硅锭翻转再与晶托粘牢后放入开方机中开方，提高了产品的合格率，增加了产量，降低了生产成本。附图说明附图为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步说明如附图所示一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭1、晶托2和杂质层3，所述多晶硅锭1的下表面设置有杂质层3，所述杂质层3的...
【技术保护点】
１．一种开方机中多晶硅锭的放置结构，其特征在于：包括多晶硅锭（１）、晶托（２）和杂质层（３），所述多晶硅锭（１）的下表面设置有杂质层（３），所述杂质层（３）的下表面与所述晶托（２）固定连接。
【技术特征摘要】
1. 一种开方机中多晶硅锭的放置结构，其特征在于包括多晶硅锭(1)、晶托(2)和杂质层(3)，...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚兴平，
申请(专利权)人：江苏新潮光伏能源发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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