无线芯片以及具有无线芯片的电子设备制造技术

本发明专利技术涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明专利技术提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够通过无线通信传送数据的无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。
技术介绍
近些年，包括多个电路和天线的无线芯片的发展有所进步。这种无线芯片称作ID 标签、IC标签、IC芯片、RF(射频)标签、无线标签、电子设备标签和RFID (射频标识)标签，并已经被引入到一些市场中。通过使用半导体衬底如硅和天线，目前投入到实际应用的很多这些无线芯片都包括电路(称作IC(集成电路)芯片)。天线通过如印刷方法、蚀刻导电薄膜的方法和电镀方法的技术形成(例如参考专利文献1)。日本专利特开No.Hei9_1970。
技术实现思路
通过上述技术形成的天线是薄膜或者是厚膜。附着到柔性材料如纸和塑料上的天线在弯曲或折叠方面的能力差，使得天线的一部分容易被破坏。而且，具有这种天线的无线芯片有耐用性低的问题。考虑到上述问题，本专利技术的目的是提供一种能够增强机械强度的无线芯片。此外， 本专利技术的目的是提供一种具有高耐用性的无线芯片。另外，本专利技术的目的是提供一种具有无线芯片的产品。本专利技术的一个特征是这样一种芯片，其包括具有场效应晶体管的晶体管；具有介电层和把介电层夹在中间的多个导电层的天线，以及连接芯片和天线的导电层。此外，本专利技术的一个特征是这样一种芯片，其包括具有场效应晶体管的晶体管；具有介电层和把介电层夹在中间的多个导电层的天线；传感器装置；连接芯片和天线的导电层，以及连接芯片和传感器的导电层。注意，芯片、天线和传感器装置安装于布线基板上。另外，芯片和传感器装置安装到布线基板中天线的相对侧。此外，本专利技术的一个特征是这样一种芯片，其包括具有场效应晶体管的晶体管；具有介电层和把介电层夹在中间的多个导电层的天线；电池；连接芯片和天线的导电层，以及连接芯片和电池的导电层。注意，芯片、天线和电池安装于布线基板上。另外，芯片和电池安装于布线基板中天线的相对侧。此外，本专利技术的一个特征是这样一种芯片，其包括具有场效应晶体管的晶体管；具有介电层和把介电层夹在中间的多个导电层的天线；电池；传感器装置；连接芯片和天线的导电层，连接芯片和电池的导电层，以及连接芯片和传感器装置的导电层。注意，芯片、天线、传感器装置和电池安装于布线基板上。另外，芯片、传感器装置和电池安装于布线基板中天线的相对侧。注意，天线中把介电层夹在中间的该多个导电层分别用作辐射电极和地接触体。此外，天线的介电层由陶瓷、有机树脂或者陶瓷和有机树脂的混合物形成。作为陶瓷的典型实例，可指定氧化铝、玻璃、镁橄榄石、钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锆酸铅、铌酸锂、钛酸锆铅等。此外，作为介电层的典型实例，可指定环氧树脂、酚树脂、聚丁二烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimide triazine resin)、乙烯基苄基(vinylbenzyl)、聚富马酸 (poly fumarate)等。本专利技术的一个特征是这样一种电子设备，其具有上述无线芯片。作为这种电子设备的典型实例，可指定液晶显示设备、EL显示设备、电视机设备、移动电话、打印机、照相机、 个人计算机、扬声器设备、头戴式耳机、导航设备、ETC车载设备、电子钥匙等。此外，由于贴片天线(patch antenna)具有高机械强度，因此其能重复使用。因此， 可以给贴片天线提供容器，其具有高耐用性且可重复利用，如可回收的容器。此外，具有传感器装置的无线芯片能利用读/写器读取数据，该数据被传感器装置探测到。因此，可以控制质量数据并存储产品的状况。此外，具有电池的无线芯片能自动将信号传送到读/写器。此外，能延长与读/写器的通信距离。此外，具有电池和传感器装置的无线芯片能自动将通过传感器装置探测的数据传送到外部。因此，所探测的数据能实时地存储在数据库中。附图说明在附图中图1是描述涉及到本专利技术的无线芯片的截面图；图2是描述涉及到本专利技术的无线芯片的截面图；图3是描述涉及到本专利技术的无线芯片的截面图；图4是描述具有涉及到本专利技术的场效应晶体管效应的芯片的截面图；图5A至5D是描述可应用于本专利技术的贴片天线的透视图；图6是描述涉及到本专利技术的无线芯片的图；图7是描述涉及到本专利技术的无线芯片的图；图8A和8B是描述涉及到本专利技术的无线芯片的图；图9是描述涉及到本专利技术的无线芯片的操作方法的图；图10是描述涉及本专利技术的无线芯片和读/写器的传输/接收方法的图；图IlA至IlG是描述本专利技术的布线芯片的应用的图；图12是描述本专利技术的布线芯片的应用的投影图；图13A至13D是描述本专利技术的布线芯片的应用的图；图14是描述可应用于本专利技术的高频电路的图；图15是描述本专利技术的无线芯片的应用的图。 附图标记说明20 无线芯片，31 探测元件，101 芯片，103 贴片天线，104 底部填料，110 介电层，111 导电层，112 导电层，113 供电层，114:底部填料，121 布线基板，122 传感器装置， 126 连接端子，127 连接端子，1 导电层，141 电池，142 连接端子，143 连接端子， 144 导电层，153 探测电路，201 介电层，202 导电层，203 导电层，204 供电点，205 退化分离元件，211 介电层，212 导电层，213 导电层，214 供电点，215 退化分离元件，221 介电层，222 导电层，223 导电层，2M 供电层，225 退化分离元件，241 介电层，242 导电层，243 导电层，244 供电层，301 天线，302 双工器，303 低噪声放大器(LNA)，304 带通滤波器(BPF)，305 混频器，306 混合电路，307 带通滤波器(BPF)，308 :SAW滤波器， 309 放大器，310 混频器，311 局部振荡电路，312 放大器，313 基带单元，321 混频器， 322 电压控制传输电路(VCO), 323 带通滤波器(BPF)，324 功率放大器(PA)，325 耦合器，326 衰减器(APC)，327 隔离器，328 低通滤波器，331 天线前端模块，332 隔离功率放大器模块，401 数据管理设备，500 衬底，502 场效应晶体管，503 栅绝缘膜，504 栅电极，508 层间绝缘层，511 层间绝缘层，512 连接端子，514 绝缘层，601 温室，605 无线芯片，608 读/写器，611 接口，612 数据库，613 端子，900 无线芯片，901 芯片，902 天线，903 算术处理电路部分，904 存储器部分，905 通信电路部分，906 传感器元件，907 电源电路部分，908 传感器装置，909 传感器电路，910 总线，912 解调电路，913 调制电路，920 读/写器，921 天线，922 通信电路部分，923 传送器，拟4 解调电路，925 调制电路，拟6 算术处理电路部分，927 外部接口部分，拟8 加密/解密电路部分，9 存储器部分，930 电源电路部分，931 外部电源，941 电信号，942 信号，952 传感器驱动电路，953 探测电路，卯4 :A/D转换电路，955 用于复位的TFT，956 用于放大的TFT，957 用于偏置的 TFT, 958 放大侧的电源线，959 偏置侧的电源线，102a 导电层，102b 导电层，102c 导电层，104a 连本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：第一导电层；第二导电层；设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层；设置在介电层的侧表面上的第三导电层；包括场效应晶体管的芯片；以及电连接到芯片的第四导电层，其中第四导电层电连接到第二导电层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：铃木幸惠，荒井康行，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP