晶片烘干系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种晶片烘干系统，包括：烘干室；传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括：传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或者向下倾斜。根据本实用新型专利技术的晶片烘干系统，可以更高效、更清洁地干燥晶片。此外，该晶片烘干系统可以降低功率消耗并提高晶片承载器的利用效率和使用寿命。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片加工
，尤其是涉及一种改进的晶片烘干系统、特别是用于太阳能晶片的烘干系统。
技术介绍
在现有的晶片烘干设备中，用于传输晶片的传输带通常是水平的，由此可以顺序地在晶片烘干设备中连续地传输和干燥所述晶片及相应的晶片承载器。图4中显示了现有的晶片烘干设备100’的示意图。其中，用于传输晶片的传输带1’水平设置。在图4的晶片承载器中包括了清洗框与晶片承载篮21’以容纳晶片5’。常用的晶片承载篮21’的两个侧墙上相对设置有多个纵向凹槽6’，需清洗的晶片5’放置在对应的纵向凹槽6’中。由此，在将晶片插入所述承载篮21’中并在水溶液中清洗之后，由于水的粘附作用及运动惯性作用，晶片5’的两端通常容易紧贴在该晶片承载篮21’的凹槽壁的一侧，如图4中的放大部分A’中所示。由于对于晶片上的该紧贴部分，用于干燥的热风通常难以进入以干燥其中的水分，由此导致对于晶片的该部分比其他部分更加难以干燥，亦即，位于承载篮21’的凹槽6’ 中的晶片部分是难以干燥的。为了干燥晶片与承载篮21’的凹槽壁相贴合的部分，现有技术中，通常采用高温(最高可达到80-100度)并鼓入大流量的热风。由此导致用于加热气体的加热器3’的功率消耗较大，通常需要十余千瓦以上且连续加热。而且，这导致另外的一个问题是，由于现有的晶片承载篮21’通常是塑料制造的，由此导致该晶片承载篮21’在高温下容易变形且报废。
技术实现思路
有鉴于此，本技术需要提供一种晶片烘干系统，该晶片烘干系统可以更高效、 更清洁地干燥晶片，且可降低功率消耗和提高晶片承载器的利用效率和使用寿命。根据本技术第一方面实施例的晶片烘干系统包括烘干室；传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或者向下倾斜。由此，根据本技术实施例的晶片烘干系统，通过将传输带倾斜地设置，使得对清洗之后的待烘干晶片的双面均高效、清洁地进行了干燥。这样就避免了因晶片两端紧贴承载篮的凹槽壁而不易被烘干的情况，可以大幅度降低热风温度，风速也可以降低，节能 50%以上。根据本技术第一方面实施例的晶片烘干系统还具有如下附加特征在本技术的一个实施例中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央分别以第一预定角度和第二预定角度向上或者向下倾斜。可选地，所述第一预定角度和所述第二预定角度相同，且相对于水平面的大小为5-40 度。进一步可选地，所述第一预定角度和所述第二预定角度相对于水平面的大小为 10-30 度。在本技术的另一个实施例中，所述传输带的上段的两侧以弧形的方式相对所述传输带的中央向上或者向下倾斜。从而使得清洗框和承载篮在倾斜运动过程中运行平稳，进而使烘干过程更彻底。在本技术的一个实施例中，所述烘干室内包括加热器，所述加热器设置在所述传输带的上方，用于加热用于干燥晶片的气体；以及设置在所述加热器之下的过滤器，所述过滤器用于过滤被加热的气体。可选地，所述过滤器设置成平行于所述传输带的上表面。由此，可使从过滤器中过滤后的气体更容易进入承载篮中，提高了对晶片的烘干效果。所述烘干室内进一步包括气流导向件，所述气流导向件设置在所述过滤器的下方，且所述气流导向件用于将加热气体引导成垂直于所述上段的上表面，以使得通过过滤器的气体流向保持与倾斜的晶片平行，使待烘干晶片的底部也能被吹到而被烘干，提高了对晶片的烘干效果。在本技术的一个实施例中，所述传输带的上段的中央部分水平地设置。在本技术的一个实施例中，所述传输带的表面粗糙度被设置成防止晶片承载器在其上滑动。在本技术的另一个实施例中，所述传输带的表面上设有承载器定位器以防止晶片承载器在其上滑动。可选地，所述承载器定位器包括多个间隔开的定位齿以避免影响晶片的烘干效^ ο根据本技术第二方面实施例的一种晶片烘干系统，包括烘干室；传输单元， 所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向下倾斜设置。本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图1为根据本技术的一个实施例的晶片烘干系统的示意图；图2为根据本技术的另一个实施例的晶片烘干系统的示意图；图3为根据本技术的再一个实施例的晶片烘干系统的示意图；以及图4中显示了现有的晶片烘干设备的示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，术语“内”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术而不是要求本技术必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，术语“横向”指的是垂直于图纸面的方向，“纵向”指的是沿传输部的传输方向，而“竖向”指的是图中上下方向。另外，附图中的箭头表示气体流向。下面将参考图1-图3来说明根据本技术第一方面实施例的晶片烘干系统。如图1所示，根据本技术实施例的晶片烘干系统包括烘干室1和传输单元， 其中传输单元用于将晶片传输通过烘干室1。传输单元包括在烘干室1内循环运动的传输带2，传输带2贯穿烘干室1而设置，用于将在位于烘干室1的上游的清洗室6中清洗后的晶片传输至烘干室1中进行烘干。如图1中所示，传输带2的上段用于承载和传输晶片承载器，晶片承载器包括清洗框3和设在清洗框3内的承载篮4，且晶片5容纳在承载篮4中，该清洗框3被传输带2从清洗室6中运输到烘干室1中。其中，传输带2的上段的两侧朝向传输带2的中央向上倾斜，即如图中所示传输带2将包括上升段和下降段。在本技术的一个示例中，传输带2 的上段的两侧朝向传输带2的中央向上倾斜可通过在传输带2下方设有支撑板7来实现， 如图1中所示。当然，本技术并不限于此，传输带2的倾斜还可以通过其他方式来实现， 例如传输带2的中央通过吊具向上吊起(图未示出)，或在传输带2的两侧所在平面的中央设有凸出部以将传输带2的中央向上撑起(图未示出)等，只要满足可以将传输带2的中央高于其两侧即可，均落入本技术的保护范围内。通过将传输带倾斜地设置，在上升段和下降段上分别放置的晶片承载器也相应地倾斜，同时待烘干晶片5也倾斜而非保持竖直状态。在传输带2的上升段处放置的晶片承载器中的待烘干晶片5在传输带2的运动过程中由于重力作用以及热风吹动将会相对于承载篮4倒下，即晶片5的顶端将会倒向承载篮4的一侧(例如图1中的左侧)，也就是说晶片5的一侧(即图中的左侧)将紧贴向承载篮4的凹槽的左侧壁，而晶片5的另一侧(即图中的右侧)与承载篮4的凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片烘干系统，其特征在于，包括：烘干室；传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中所述传输单元包括：传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或向下倾斜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李园，
申请(专利权)人：王楚雯，
类型：实用新型
国别省市：11