晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及了一种晶片传送装置，其用于在检查晶片期间稳定传送晶片，从而改善总厚度变化检测的可靠性，以及一种具有其的位置感应系统和可视检查系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统，更具体地，涉及一种能够在检查晶片期间稳定地传送晶片以改善总厚度变化测量的可靠性的晶片传送装置，以及具有其的位置感应系统和可视检查系统。
技术介绍
太阳能电池是一种使用半导体特性将太阳能转换成电能的器件。太阳能电池配置成具有PN结结构，其中结合了正⑵型半导体和负(N)型半导体。当太阳光入射到太阳能电池上时，通过入射的太阳光能在半导体中产生空穴和电子。此时，通过在PN结处产生的电场，空穴(+)被移动到P型半导体侧，而电子(_)被移动到N型半导体侧，结果产生了电势从而产生电功率。太阳能电池可分类为薄膜型太阳能电池或者晶片型太阳能电池。薄膜型太阳能电池是通过在诸如玻璃的基板上形成薄膜半导体而制造。晶片型太阳能电池是通过使用诸如硅的半导体材料作为晶片而制造。薄膜型太阳能电池或者晶片型太阳能电池是通过在玻璃、透明塑料或者硅晶片 (以下将‘玻璃、透明塑料或者硅晶片’统一称作“晶片”)上形成用于PN结的半导体层并形成电连接到半导体层的正(+)电极和负(_)电极而制造。而且，在晶片型太阳能电池中，还执行在其太阳光入射平面上形成抗反射层的工艺，以防止太阳光自PN结层反射，从而能通过PN结层传输太阳光。使用沉积设备或者溅射设备(以下统一称作工艺设备)形成半导体层、电极层和抗反射层。在处理晶片的工艺之前或之后，可执行检查晶片上的残留污染物或者晶片缺陷如裂缝的工艺。特别是，为了降低成本，用于制造太阳能电池的晶片厚度已经越来越小。结果，在制造太阳能电池期间损坏晶片的可能性增加。尽管在太阳能电池制造期间损坏了晶片，但如果不检查晶片缺陷而对晶片执行一工艺，，在晶片上存在裂缝或者在晶片表面上留有污染物，要在需要更多成本的随后工艺之后处置缺陷晶片。也就是说，对必须要被处置的晶片执行了不必要的工艺。因此，浪费了材料且使得工艺复杂化，结果太阳能电池生产效率降低且浪费成本。而且，除了检查晶片上残留污染物的工艺或者检查晶片裂缝的工艺之外，可能执行检查晶片总厚度变化(或扭挤)的工艺。因此，非常重要的是在制造太阳能电池期间检查晶片质量。如果在晶片表面上留有污染物，在晶片处存在裂缝，或者晶片的总厚度变化不均勻，那么即使对晶片执行随后工艺，产品也不会显示出理想性能。因此，优选的是在执行随后工艺之前检查晶片并且只要确定晶片是有缺陷的就处置该晶片。检查晶片总厚度变化的工艺是在被检查的晶片保持平坦的条件下执行的。但是，晶片厚度已经越来越薄。在测量晶片厚度期间，由于重力或者由于传送晶片的传送带弯曲而不能确保晶片的平坦状态。如果不能确保被检查的晶片的平坦状态，则降低了总厚度变化测量的可靠性，这导致太阳能电池生产效率降低以及成本浪费。而且，晶片检查工艺是在使用自动设备传送晶片期间执行的。如果由于晶片变得非常薄导致不能稳定地支撑由自动传送装置高速传送的晶片， 则会发生晶片滑移，结果可能损坏晶片。而且，在传送晶片期间发生故障会降低检查工艺的效率。
技术实现思路
本专利技术涉及一种晶片传送装置以及具有其的位置感应系统和可视检查系统，其基本避免了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。本专利技术的优点、目的和特征将部分在下文的说明书中列出，而部分将在本领域技术人员查阅了下文后显而易见，或者可通过实践本专利技术而知晓。可通过说明书及其权利要求书以及所附附图中特别指出的结构认识和获知本专利技术的目的和其他优点。为了实现这些目的和其他优点以及根据本专利技术的目的，如本文所体现以及广泛描述的，晶片传送装置包括传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动传送带的带轮，和设在传送带内部空间中的抽吸组块(suction block)，用于将吸力施加到传送带的内表面。传送带可水平设置，并且抽吸组块可将吸力施加到传送带内表面的上部。而且，传送带可包括第一传送带和第二传送带，以及抽吸组块可包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。第一传送带和第二传送带可通过相同驱动电机驱动。这种情况下，晶片传送装置还可包括驱动轴以同时驱动第一传送带和第二传送带的带轮(belt pulley)。第一传送带和第二传送带之间的距离可小于在垂直于晶片传送方向的方向上的晶片宽度。而且，可将抽吸组块配置成长杆形式且可在传送带长度方向上将其设置在传送带内部空间中。抽吸组块具有大于传送带宽度的上部宽度。这种情况下，抽吸组块的长度可等于或者大于在晶片传送方向上的晶片宽度的两倍。而且，抽吸组块可在其上表面的预定区域设有多个以预定间隔设置的抽吸孔。设在抽吸组块上表面的抽吸孔中的至少一个可配置成截面为椭圆或者长孔形式。这种情况下，配置成截面为椭圆或长孔形式的至少一个抽吸孔设在垂直于传送带长度方向的方向上。该预定区域的长度可等于或大于在晶片传送方向上晶片宽度的两倍。而且，晶片传送装置还可包括限定在抽吸组块中的至少一个主要流道，至少一个抽吸口和多个支路流道，通过该抽吸口将吸力施加到该至少一个主要流道的，和通过该支路流道使至少一个主要流道与抽吸孔连通。这种情况下，至少一个主要流道可设置在水平方向上，和在支路流道与至少一个主要流道连通的状态下，支路流道可设置在垂直方向上。支路流道的数目可等于抽吸孔的数目。至少一个主要流道可包括多个主要流道，和主要流道可在抽吸组块的长度方向上排列成行。这种情况下，抽吸组块可具有与每个带轮的上部端高度相应的上部高度。在本专利技术的另一方面中，位置感应系统包括传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动每条传送带的带轮；抽吸组块，设在每条传送带的内部空间中以将吸力施加到每条传送带内表面；和激光传感器，设在位于传送带之间或内部的至少一个检查点上方和/或下方，用于照射激光至由传送带传送的晶片上表面和下表面并感应自晶片上表面或下表面反射的激光，以测量晶片上表面或下表面的相对位置。这种情况下，传送带可包括第一传送带和第二传送带，而抽吸组块可包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。而且，至少一个检查点可包括设在第一传送带和第二传送带之间、第一传送带外部和第二传送带外部的第一至第三检查点，第一至第三检查点设置在第一传送带和第二传送带长度方向的等分线上。激光传感器可包括分别设在第一至第三检查点上方和下方的上部激光传感器和下部激光传感器。这种情况下，第一传送带和第二传送带可通过相同的驱动电机驱动，而位置感应系统可进一步包括用于同时驱动第一传送带的带轮和第二传送带的带轮的驱动轴和用于同时驱动该驱动轴的驱动电机。而且，抽吸组块配置成长杆形式且可在相应的传送带的长度方向上设置该相应的传送带的内部空间中，并且形成抽吸孔的抽吸组块的预定区域的长度可等于或大于晶片传送方向上晶片宽度的两倍。而且，至少一个检查点可设置在第一抽吸组块的预定区域和第二抽吸组块的预定区域的等分线上。这种情况下，传送带的数目可为N并且至少一个检查点可包括至少N+1个检查点。而且，抽吸组块在其上部表面的预定区域设有以预定间隔设置的多个抽吸孔。在本专利技术的另一方面中，可视检查系统包括传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动传送带的带轮；抽吸组块，设在传送带的内部空间中以将吸力施加到传送带的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片传送装置，包括：传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动传送带的带轮；和抽吸组块，设在传送带内部空间中，用于将吸力施加到传送带内表面。

【技术特征摘要】
2010.05.25 KR 10-2010-00483601.一种晶片传送装置，包括传送带，用于在晶片放在传送带上的状态下传送晶片；一对驱动传送带的带轮；和抽吸组块，设在传送带内部空间中，用于将吸力施加到传送带内表面。2.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中传送带水平设置，且抽吸组块将吸力施加到传送带内表面的上部。3.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中传送带包括第一传送带和第二传送带，且抽吸组块包括分别设在第一传送带内部空间中和第二传送带内部空间中的第一抽吸组块和第二抽吸组块。4.如权利要求3所述的晶片传送装置，其中第一传送带和第二传送带通过相同驱动电机驱动。5.如权利要求4所述的晶片传送装置，还包括驱动轴，用于同时驱动第一传送带和第二传送带的带轮。6.如权利要求3所述的晶片传送装置，其中第一传送带和第二传送带之间的距离小于在垂直于晶片传送方向的方向上的晶片宽度。7.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块配置成长杆形式且在传送带的长度方向上设置在传送带的内部空间中。8.如权利要求7所述的晶片传送装置，其中抽吸组块具有大于传送带宽度的上部宽度。9.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块具有等于或者大于在晶片传送方向上的晶片宽度两倍的长度。10.如权利要求1所述的晶片传送装置，其中抽吸组块在其上表面的预定区域设有多个以预定间隔设置的抽吸孔。11.如权利要求10所述的晶片传送装置，其中设在抽吸组块上表面的至少一个抽吸孔配置成截面为椭圆或者长孔形式。12.如权利要求11所述的晶片传送装置，其中配置成截面为椭圆或者长孔形式的至少一个抽吸孔设在垂直于传送带长度方向的方向上。13.如权利要求10所述的晶片传送装置，其中预定区域具有等于或者大于在晶片传送方向上的晶片宽度两倍的长度。14.如权利要求10所述的晶片传送装置，还包括限定在抽吸组块中的至少一个主要流道、至少一个抽吸口以及多个支路流道，通过至少一个抽吸口将吸力施加到至少一个主要流道，以及通过多个支路流道使至少一个主要流道与抽吸孔连通。15.如权利要求14所述的晶片传送装置，其中，在支路流道与至少一个主要流道连通的状态下，该至少一个主要流道设置在水平方向上，而该支路流道设置在垂直方向上。16.根据权利要求14的晶片传送装置，其中支路流道的数目等于抽吸孔的数目。17.如权利要求14的晶片传送装置，其中至少一个主要流道包括多个主要流道...

【专利技术属性】
技术研发人员：李暻植，金昌显，林裁瑛，
申请(专利权)人：韩美半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR